美国AI服务器需求升温，台湾电子厂商深化墨西哥奇瓦瓦州投资
据10月19日在台北举行的一场研讨会上官员和企业界人士的说法，台湾电子厂商正在深化其在墨西哥奇瓦瓦州的布局，动因是美国对AI服务器需求激增。外国投资的步伐受到该州接近美国市场的区位优势推动；与此同时，奇瓦瓦州正寻求从制造基地转型为研发中心。原文未给出具体投资金额、工厂或时间表。
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据10月19日在台北举行的一场研讨会上官员和企业界人士的说法，台湾电子厂商正在深化其在墨西哥奇瓦瓦州的布局，动因是美国对AI服务器需求激增。外国投资的步伐受到该州接近美国市场的区位优势推动；与此同时，奇瓦瓦州正寻求从制造基地转型为研发中心。原文未给出具体投资金额、工厂或时间表。
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并称有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。原文未说明具体产能数字或订单量。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
台湾半导体封装设备供应商E&R Engineering Corp.宣布开设其马来西亚子公司E&R Semiconductor (MALAYSIA) SDN. BHD.，以扩大封装材料产能。新厂房目前正在进行样品测试与认证，公司称量产预定于明年年初正式启动。该厂预计创造50个本地就业机会，并加强E&R在东南亚的供应能力，为半导体及OSAT客户提供实时技术支持与供应链灵活性。总裁KS Chen表示，开设马来西亚厂房是其载带业务全球布局的里程碑，为应对东南亚客户需求增长，公司将部分生产重心转移至马来西亚并扩大产能。厂长总经理AK Ong称新设施落成使其能更贴近客户提供实时支持。此为计划中的扩产，量产尚未开始。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
ACM Research（美国半导体设备制造商）正将业务扩展至中国以外，其面板级封装设备正在台湾推进客户评估，同时该公司投资于韩国和俄勒冈州。公司预计海外业务的增长速度将快于其中国收入，但原文说明技术采用、封装尺寸标准以及美中紧张关系可能影响其计划。该扩张为计划/预期状态，客户评估仍在进行，尚未表述为已完成。
Applied将投入50亿美元开设R&D（研发）设施，目的是加速半导体开发。该事件为开设/投资计划性质，原文正文大量乱码无法读取，仅可辨认'1/2 ページ'（第1/2页）等片段；设施的具体时间、地点及细节原文未明确说明。
台湾经济部计划新增25座燃气发电机组，合计装机容量26GW，以满足半导体产业与AI数据中心日益增长的电力需求，目标是确保未来至少10年电力供应充足。此为计划，尚未实施。
据报道，丰田汽车计划从2028年起在中国合资工厂生产下一代卡罗拉，新车将首次采用兼容混动、纯电和燃油的"多路径平台"，同一条产线可根据市场需求灵活切换动力类型。该决策的背景是丰田在中国市场面临持续压力：今年8月，丰田及雷克萨斯在华销量同比暴跌22.8%至11.8万辆，全球销量同比下降6.4%至79万辆，已连续第七个月下滑；中国本土新能源品牌快速蚕食市场份额，丰田急需通过降低制造成本提升价格竞争力。选择中国而非日本或欧洲作为生产基地的核心逻辑是成本：中国已形成全球最密集的汽车供应链和最具竞争力的能源成本结构，丰田在华运营合资工厂已超过二十年。下一代卡罗拉已于2025年秋季东京移动出行展以概念车形式亮相，量产版预计2027年底至2028年初正式发布；据此前披露，新车将搭载全新1.5L四缸混动引擎，油耗有望突破30km/L，同时提供Turbo、PHEV及BEV纯电版本，丰田还计划应用一体化压铸技术进一步降低制造成本和车身重量。
塔塔在多莱拉的晶圆厂面临客户与股东层面的考验，事件为计划中的产能建设，尚未有实施或完成的事实。与此同时，印度的半导体布局正在扩大，封装、芯片服务、AI硬件与基础设施投资在全国本土科技生态中加速推进。原文未说明原因。
SEMI最新的12英寸晶圆厂展望预测,2026年至2029年期间设备支出将实现两位数的年度增长,且该预测较上一版报告有所上调。SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示,涉及资金、电力和政治的外部约束正成为潜在的下行风险,并补充称这可能会防止AI驱动的扩张过热。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道，在传出RTX 5090生产将停止的传闻后，英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示："供应链（产能）确实有些受限，但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止，英伟达将继续出货"，并称尽管存在RTX 5090（芯片）的其他变体。此前有传闻称，在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后，已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止，可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况：亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售；Newegg listings 5090s约7,300美元（据判断可能来自中国卖家，且美国关税可能进一步推高价格）；Best Buy无货；截至发稿，该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复，相关说法均属"据称/传闻"性质，生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外，传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
英伟达个人计算业务高级副总裁 Jeff Fisher 在台北 RTX Spark 活动中否认 RTX 5090 停产传闻，称该显卡仍是重要核心产品并将继续供货；同时承认当前供应链产能受限，英伟达正努力推动产品进入市场。来源未说明产能受限的具体原因。时间：2024年10月17日消息（Fisher 昨日即10月16日发言），此前有消息人士于10月10日爆料称英伟达可能将 GB202 芯片转向 RTX PRO 专业卡并推出24GB RTX 5080，但未获官方证实；Micro Center 曾将 RTX 5090 标记为“不再销售”，但这不等同于正式停产。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。