长鑫存储下一个DRAM里程碑：2026年底前实现采用混合键合的4F²服务器内存
中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）的下一个DRAM里程碑为：计划在2026年底前实现采用混合键合（hybrid bonding）技术的4F²服务器内存。在近期一次股东会上，管理层承诺进入其所谓的极端存储微缩'未知领域'，并表示将利用工艺创新来克服技术障碍。该目标为计划性质，原文未说明量产时间表细节以外的进展，也未说明原因或市场影响。
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中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）的下一个DRAM里程碑为：计划在2026年底前实现采用混合键合（hybrid bonding）技术的4F²服务器内存。在近期一次股东会上，管理层承诺进入其所谓的极端存储微缩'未知领域'，并表示将利用工艺创新来克服技术障碍。该目标为计划性质，原文未说明量产时间表细节以外的进展，也未说明原因或市场影响。
据TrendForce转发的消息，三星据报道已开始生产其2nm工艺的Exynos 2700，产量较Exynos 2600可能提升超过10%（source未给出确切日期）。该芯片预计用于Galaxy S27的标准版和Plus机型。上述信息为报道性质，产量提升仅为潜在预期而非已实现结果；报道同时提出该芯片能否帮助振兴三星非存储业务的问题。
据路透社报道，随着AI需求从DRAM延伸至NAND，且中国厂商YMTC竞争加剧，三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂：三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND（内部项目代号“Monami”）；SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND，据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上，并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产出的30–35%，占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍：两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备，且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张；两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行，但拒绝披露详细生产计划。竞争方面，YMTC的NAND产品以160层和232层为主，已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），向NVIDIA加大出货，并开始V10 NAND的量产与供货，下一代V11（目标约500层）研发正在加速；据Bloter，SK海力士正加快转向321层NAND，该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块，预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
据行业消息人士10月20日（原文未注明年份）称，三星电子计划使用2nm工艺制造其下一代M2800系列移动调制解调器芯片，从目前用于外置调制解调器的4nm工艺过渡；该外置5G调制解调器M2800计划于2027年完成开发，拟用于2028年发布的Galaxy S28系列，并与下一代Exynos 2800以双芯片配置搭配。调制解调器生产转向2nm将释放三星4nm产线产能，公司计划将其转用于HBM生产；行业人士称“三星代工正在将其大部分4nm产能转换为HBM制造”，4nm工艺用于制造位于HBM堆栈底部、含控制电路的基底裸片。三星将通过M2700继续使用4nm，M2700是配合2027年Galaxy S27系列中Exynos 2700的外置调制解调器；2026年Galaxy S26所用的Shannon 5410外置调制解调器（对外亦以Exynos Modem 5410销售）同样采用4nm工艺，三星在Galaxy S26和S26+的韩国版本中配备Exynos 2600与Shannon 5410组合，美国型号使用高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。行业人士称三星已停用Shannon调制解调器品牌并以M系列取代。M2700虽采用相同4nm工艺，但据报道在三星MX（Mobile eXperience）事业部内部测试中获得好评，与前代不同；其通过设计和软件改进提升功耗效率与数据传输速度，利用光学收缩（optical shrink）将芯片面积缩小约4%，并从3GPP Release 17升级至Release 18、改进NTN卫星通信能力。行业人士称，现有Shannon 5410在空闲功耗和标准功耗测量条件下落后于竞品，经电压调整等改进后，M2700性能据称与竞品相当或更优。上述2nm转向与4nm产能转用均为计划，其实现情况原文未证实。
Yea Shin Technology(钰新科技,为Eris Technology子公司)将于10月23日在台湾兴柜市场开始挂牌交易,并计划将其产能中6英寸晶圆的占比从35%提升至50%以上,因其TVS产品进入国际AI服务器供应链。原文将此背景归因于AI服务器带动对电源元件、瞬态电压抑制器(TVS)及静电放电(ESD)保护元件的需求。上述6英寸晶圆占比提升为计划,并非已完成事项。
据来源，三星电子预计到2027年其规划存储产能的约80%将通过长期合同获得锁定，从而强化其定价地位；该数字为预期状态，并非已实现的结果。同期，中国的长鑫存储(CXMT)正在扩大产能，并吸引寻求替代DRAM供应商的美国科技公司的关注。来源标题还提及三星的HBM4供应锁定以及苹果和特斯拉寻求DRAM替代方案。原文未说明原因。
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
据10月19日在台北举行的一场研讨会上官员和企业界人士的说法，台湾电子厂商正在深化其在墨西哥奇瓦瓦州的布局，动因是美国对AI服务器需求激增。外国投资的步伐受到该州接近美国市场的区位优势推动；与此同时，奇瓦瓦州正寻求从制造基地转型为研发中心。原文未给出具体投资金额、工厂或时间表。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
据TrendForce于2026年10月19日发布的推文，美光（Micron）看好HBM在人形机器人中的未来潜力，原因在于日益复杂的AI模型带来的带宽需求超出LPDDR所能提供的水平。美光预计未来机器人需要200GB DRAM加4TB存储，并正在为物理AI开发EIM，据报道量产预计在2028年下半年（2H28）。上述均为前瞻性看法与开发计划，量产时间带有'据报道'的限定，尚未实现。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
LED封装厂商Brightek Optoelectronic受成熟制程逻辑IC供应吃紧影响，面临满足日益增长的车用订单的困难；原文将供应紧张归因于代工厂优先生产利润率更高的存储器产品。Brightek预计随着南通厂开幕及出货增加，其车用营收占比将由约50%提升至超过60%；第三季度2026年毛利率预计回升至30%（该毛利率与营收占比均为公司预期，非已实现结果）。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据TrendForce于2026年10月17日发布的消息，CXMT正在加速推进4F² DRAM，目标于年底推出服务器DDR5 RDIMM。原文仅为标题式简讯，未说明技术细节、产能数字、进展程度或原因，该年底发布计划能否实现尚不确定，属计划而非已实现事件。