ITEN固态电池扩产至3千万颗
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
利多
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
- 相关厂商
- ITEN
- 影响评分
- 60 / 100，中等影响
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士通过美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师，旨在与客户合作应用该技术。此举表明公司正加大在先进逻辑集成领域的投入，预示着相关高附加值DRAM产能的扩张。
SK海力士计划2027年2月完工首座三明治式Fab。此举旨在打破传统平面布局以抢占产能先机。
预示未来产能过剩风险加剧。
Cirrascale CEO David Driggers指出，传统数据中心规划在AI大规模部署中失效，需转向液冷。随着单机柜功率密度激增至50至400千瓦，传统风冷已无法满足需求。
液冷散热与高功率电源供应商，AI基础设施建设进入系统化攻坚阶段。
YC Chem投资138亿韩元扩建HBM材料产线，Q4量产胶水清洁剂和剥离剂。随着HBM需求上升及客户订单锁定，公司需通过专用产线解决产能瓶颈。
产能扩张将增加HBM后段封装材料供应，缓解供应紧张。
YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。
产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。
长江存储计划新建三座晶圆厂，目标将其总月产能从20万片提升至40万片，首座新厂预计今年投产。此次扩张在美国实体清单限制后高度依赖本土设备，并战略性地推进DRAM生产。
NAND产能大幅扩张及潜在的DRAM市场进入，将对全球存储芯片价格构成长期供应压力。
SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。
HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。
YMTC计划在武汉再建两座晶圆厂，使月产能翻倍至20万片，第三期设备国产化率超50%。此举旨在验证国产设备在量产环境下的3D NAND良率表现，受美国制裁限制西方设备获取影响。
产能扩张计划预示供应增加，可能对NAND Flash和DRAM价格构成下行压力。
TLB拟通过配股筹资1200亿韩元在越南建设第二工厂，将PCB产能翻倍。此次扩产主要针对SoCAMM和LPCAMM等高端内存模组基板。
产能大幅增加将缓解供应紧张，可能导致相关PCB产品价格承压。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
台积电计划在2026年前将SoIC月产能提升至1-1.5万片，并于2027年后进一步扩产以满足英伟达等客户需求。SoIC单位产能资本支出高达68-70亿美元/万片，高度依赖前端混合键合设备。
明确的先进封装产能扩张路线图，将直接拉动设备供应商订单。
Samyang NC Chem计划今年量产HBM后端封装用光刻胶材料，供应三星、SK海力士及美光。该材料用于TSV工艺及凸块结构，公司同时开发玻璃基板光刻胶，预计明年量产。
HBM封装材料产能扩张，缓解供应紧张。
ASE集团因AI芯片需求加速，计划扩大先进封装投资，预计先进封装销售额翻倍。背景是AI加速器和高性能计算芯片对先进封装技术（chiplets、3D堆叠等）的结构性需求增长。
先进封装产能释放有望缓解当前瓶颈并支撑AI芯片供应链，但缺少具体投资额、完成周期和产品线细节，交易面价格影响中等。
SKC宣布将超6000亿韩元增资额的半数投入玻璃基板子公司Absolics，并计划在美建设首座专用工厂。随着AI算力需求推动封装材料革新，SKC通过引入前Intel高管及双轨研发策略加速商业化。
SKC大规模扩产将增加玻璃基板市场供应，加剧行业竞争，对现有价格构成下行压力。
三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。
传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。
三星与SK海力士将HBM产线洁净室建设提速超6个月，目标量产时间提前至2027年末至2028年初；美光则以约20亿美元收购力积电P5厂，利用现有洁净室加速扩产。此举源于NVIDIA等大厂对HBM的强劲需求及激进产品路线图。
巨头竞相扩产预示长期需求强劲，但加速的供应增量可能影响中期价格走势。
三星电子在韩国天安校区建立混合键合生产线，以支持HBM4和HBM5生产。此举旨在应对Nvidia对下一代内存的高需求。
产能扩张以应对Nvidia需求，缓解供应短缺。
华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。
HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |