LG Innotek目标2028年供应玻璃基板，同时拓展智能手机以外的业务
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
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LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
日本计划向GlobalFoundries投资最高210亿美元，在纽约州马耳他地区建设两座300mm半导体晶圆厂。首笔约100亿美元投资将用于加速第一座300mm晶圆厂的建设，该厂预计将在2029年投产，年产能约90万片300mm晶圆；第二座厂需再投约100亿美元，产能相当。两座厂合计将显著提升美国半导体制造能力，并预计创造约2.7万名建设及生态链岗位以及超过1000名高技术制造岗位。此举是日本向美国投资5500亿美元协议的一部分，作为回报，美国将对日本汽车等进口的关税从至少25%降至15%。目前该投资仍处于规划阶段。
GlobalFoundries 已被选中在纽约马耳他地点运营两座新的 300mm 晶圆厂，融资来自日本，最高达 210 亿美元，依据美日贸易协议；首座晶圆厂预计将在 2029 年投产，2026 年底前动工，每座晶圆厂投产后每年将增加约 90 万片 300mm 晶圆至美国产能。美国政府将取得约 4% 的股权，且 GlobalFoundries 将把现有 CHIPS 法案奖励中的 9.55 亿美元重新分配用于马耳他和佛蒙特州伯灵顿的硅光子、SiGe 和先进封装投资。客户包括瑞萨电子、苹果、Cirrus Logic、通用汽车和东京电子，瑞萨视该产能为其自身产能的延伸。
SEMI预测2029年300mm晶圆厂设备支出将达2270亿美元，受产能扩张和需求驱动。该报告反映了半导体制造能力的长期增长趋势。
长期产能规划，对短期现货价格无直接影响。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
GlobalFoundries 于 10 月 9 日举行 SPRINT 扩建项目的封顶仪式，标志其在德累斯顿的 11 亿欧元扩建达到里程碑。扩建预计将使厂区年产能提升至超过 100 万片 300 毫米晶圆，目标时间为 2028 年底；目前德累斯顿年产能最高可达 95 万片，扩建后将增加约 5% 的产能。施工已按计划且在预算内完成，项目获得欧盟、德国联邦政府和萨克森自由州在欧洲芯片法案下的支持。
Episil于10月7日举行法说会，表示碳化硅（SiC）产能利用率已从低点的30%快速回升至目前接近90%（原文未说明原因）。公司提出有条件的扩产计划：如果2027年6英寸订单需求持续上升，将通过8英寸生产增加产能。该计划为条件性规划，尚未实施。此前有观点质疑行业是否正进入新的晶圆尺寸转换、6英寸晶圆是否被淘汰。
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
博通与凸版合资企业AST于2026年9月29日在新加坡开设95,000平方米FC-BGA基板工厂。这是凸版集团在日本以外首家此类工厂，计划2026年底投产高价值产品。
新产能扩张将增加基板供应，预计未来价格承压。
Tower半导体与日本政府计划共同投资40亿美元，将日本产能提升至2029年的45,000片/月300mm晶圆，增幅达40倍。该双轨扩张计划包括改造闲置Fab 6及新建300mm产线，旨在满足AI行业对硅光子与SiGe EICs的旺盛需求。
大规模扩产预示未来光通信芯片市场可能面临供应过剩风险，现货价格承压。
DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性认证。此举标志着其向8英寸SiC代工市场扩张的重要一步，并计划于2027年加速量产准备。
未来产能释放对SiC供应链格局的影响。
住友化学建立4英寸InP外延片生产线并开始销售，武汉天源通过收购中讯60%股份进入InP衬底领域。InP在AI数据中心光学领域需求旺盛。
新增产能将缓解供应紧张，压制价格涨幅。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。
Tower半导体在日扩建300mm硅光与SiGe产能，2027年量产。政府支持下，公司计划通过改造Arai厂及新建工厂满足长期需求。
新产能将缓解硅光模块短缺压力，支撑2028年营收目标。
博世获得2.25亿美元美国芯片法案资金，将投入20亿美元改造加州Roseville工厂生产碳化硅。该工厂原为硅基ASIC代工厂，现转型为汽车及工业级SiC芯片生产测试基地。
政府资金支持下的产能扩张计划，可能缓解SiC供应紧张，需观察后续扩产进度。
LG Innotek定下2031年6.47亿美元封装利润目标。受5G、高端智能手机及AI趋势驱动，公司正拓展高附加值半导体基板业务。
预示半导体基板需求前景强劲。
SEMI预计2026年全球300mm存储设备投资将首次突破500亿美元。受AI对高带宽内存（HBM）和DDR5需求激增的推动。
存储芯片价格及未来供应紧张预期。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |