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HBM

NuAxi collects public semiconductor news, product updates and supply-chain signals about HBM, continuously updated.

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Sat, Oct 31

  1. Impact score 88

    AMD拟2026年11月再次上调Radeon显卡GPU与GDDR6显存套装供货价格，尚未获官方确认

    据中国硬件供应链论坛博板堂传出、并经VideoCardz等媒体关注的消息，AMD正在考虑于2026年11月再次上调向华硕、蓝宝石、讯景等显卡合作伙伴提供的GPU与GDDR6显存套装供货价格，目前该调整尚未得到AMD官方确认，具体涨幅也未公布，且涉及型号、不同容量显存涨幅及各地区执行时间均未确认。这不是提高已组装零售显卡的售价，而是上调上游芯片及显存供应价格，成本增加后才可能逐步传导至消费者。时间线：AMD已于2026年8月和10月1日进行过供货价格调整，8月涨幅据称至少达10%；GDDR6显存2026年第三季度已上涨约8%至10%，其现货价格自2025年底以来一度上涨至原来的数倍。原文给出的原因是全球AI基础设施建设挤压存储芯片产能：三星、SK海力士和美光将更多生产资源投向利润率较高的HBM和服务器DRAM，GDDR6与HBM共享部分DRAM制造资源，产能分配变化影响显存供应。零售端方面，Hardware Unboxed对10个国家的调查显示，2026年10月全球显卡平均售价环比上涨约10%，其中Radeon RX 9060 XT 16GB涨幅达17%，Radeon RX 9070和RX 9070 XT分别上涨约12%，该数据反映消费者实际购买价而非AMD芯片供货价。RX 9000系列采用RDNA 4架构、全部使用GDDR6，部分型号配16GB显存，受影响可能更明显；若11月调整落实，消费者可能在12月购物旺季感受到更明显的价格压力。

    AMD Radeon GPU与GDDR6显存套装GDDR6显存Radeon RX 9000系列显卡AMD, 华硕 and 7 totalcnBetaPrice Movement

Fri, Oct 30

  1. Impact score 30

    三星2026年第三季度营收₩195.3万亿（同比+121.8%）、营业利润₩107.4万亿，存储业务₩140.7万亿，AI对HBM、DRAM和NANN需求飙升推高价格

    据Blocks & Files于2026年10月30日（周五）发布报道，三星2026年第三季度营收达₩195.3万亿（$1455亿），同比增长121.8%，几乎达到其史上首个₩200万亿季度营收；营业利润为₩107.4万亿（$800亿），使三星电子成为首家季度营业利润超过₩100万亿（$745亿）的科技公司。报道将此归因于AI对HBM、DRAM和NAND需求飙升带动半导体技术高价。DS半导体业务占三星电子该季度营收的72%，为₩147万亿（$1096亿），环比增长15%；其中存储业务₩140.7万亿（$1048亿），占DS的95.7%，通过提升HBM4销售和满足服务器SSD需求实现。三星称服务器需求强劲导致所有应用的市场价格上涨。竞争对手SK hynix 2026年第三季度营收为₩104万亿（$789亿），利润₩39.8万亿（约$300亿），低于直接可比的三星DS部门。三星表示计划投资新晶圆厂等基础设施以满足强劲的AI和HPC需求，并计划进一步增加HBM、服务器DRAM和SSD销售，特别是增加高速服务器DDR5产品和QLC SSD供应。三星预计2027年AI基础设施资本支出将达到历史水平、高于今年，并表示与2026年相比，AI驱动的需求将远超行业供应。此为财报观察与公司展望，非已实现的未来结果。

    HBMHBM4DRAMSamsung, SK hynixBlocks & Files
  2. Impact score 0

    台积电垂直DRAM专利披露显示3D DRAM技术探索，但原文强调不构成生产准备或商用DRAM承诺

    台积电涉及垂直DRAM的专利披露引发其是否会挑战现有存储器制造商的讨论。原文指出，US20220359529A1于2022年11月公布，描述垂直沟道晶体管与混合沟槽及堆叠电容的集成；另一件于2022年5月提交、以US20230240066A1公布的申请将电容直接置于垂直环绕栅极晶体管之上。原文强调这些披露是技术探索，不应被合并为单一架构或视为产品公告，不能证明台积电的生产准备、投资承诺或销售商用DRAM的意图；可能用途（嵌入式存储、逻辑-存储集成或未来客户需求）仅为推断而非已披露的商业策略。SK hynix已公开将4F²垂直栅极平台和3D DRAM列为未来方向，但两者是相关而不同的概念。文章还列出3D DRAM的三大障碍：电气控制、电容集成与制造成本经济性，并指出最终竞争取决于以有竞争力的成本将结构前景转化为可靠产品。原文未说明任何价格变动或供给变化。

    DRAM3D DRAMHBMTSMC, SK hynix and 4 totalSemiWiki
  3. Impact score 30

    SK Hynix 任命 AI 存储器开发负责人执掌新设的美国部门，使其更贴近美国主要客户，背景为行业转向定制化高带宽存储器（HBM）

    SK Hynix 已任命其 AI 存储器开发负责人执掌一个新设的美洲部门（Americas unit），该部门总部设在美国，此举使这位技术资深人士更贴近美国主要客户。原文将此举置于行业向定制化高带宽存储器（HBM）以及与芯片开发商更深度合作的转变背景下。原文未说明该任命的具体原因，亦未包含价格、产能或日期信息。

    HBMhigh-bandwidth memory (HBM)SK HynixDigiTimes Asia
  4. Impact score 55

    三星电子单季度营业利润突破100万亿韩元，推进以HBM为核心的中长期战略，目标夺回HBM榜首（当前为SK海力士）且2纳米订单同比翻倍

    三星电子成为全球首家单季度营业利润突破100万亿韩元的科技企业。公司表示，将推进以下一代高带宽内存（HBM）为核心的中长期增长战略，巩固其在AI存储芯片领域的领先地位，并布局三大主线：一是在HBM市场夺回榜首位置（当前该龙头为SK海力士，HBM已经取代通用DRAM，成为存储芯片核心产品）；二是通过长期供货协议（LTA）与基建投资锁定远期需求；三是加快缩小晶圆代工业务的亏损。此外，据标题，三星目标2纳米订单同比翻倍。上述内容为公司的战略计划表述，实施效果未在原文说明，原文未说明原因。

    高带宽内存（HBM）存储芯片通用DRAM三星电子, SK海力士36氪快讯
  5. Impact score 30

    芯片行业一周综述:HBM短缺威胁AI扩张,TSMC考虑涨价,Infineon与UMC增加晶圆厂投资

    这是一篇每周行业综述,罗列了多项半导体行业动态:HBM短缺威胁AI扩张;TSMC正在考虑涨价(仅为考虑,未确认实施);先进封装产能爬坡;领域专用AI模型;Infineon和UMC增加晶圆厂投资;Intel的量子计算动向;Lam与imec推进3D集成;Google扩展TPU;AI驱动的财报;面向代理式AI的CPU基准测试方法。原文均为标题式概述,未提供具体数字、日期或原因,未说明这些事项的实施状态。

    HBMTSMC, Infineon and 7 totalSemiconductor Engineering
  6. Impact score 55

    前英特尔CEO基辛格通过Playground Global领投Nagare Labs 500万美元种子轮，押注仍处实验室早期阶段的Z2RAM内存技术，目标四年内出样、十年内商业化

    前英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）参与的投资机构Playground Global领投了美国初创企业Nagare Labs的500万美元种子轮融资，押注其正在开发的Z2RAM新型内存技术。该公司由佐治亚理工学院研究人员Suman Datta和Shimeng Yu创立。Nagare Labs预计第一代Z2RAM的单位面积存储密度可达传统SRAM的五倍以上，例如相同面积下若SRAM提供64MB容量，Z2RAM理论上可将容量提高至约320MB，并保持接近SRAM的带宽水平。文章以英伟达Groq 3 LPU为例，其单颗芯片SRAM容量约为500MB。Z2RAM采用两个晶体管构成存储单元，利用第二个晶体管的栅极电容保存电荷，可实现非破坏性读取，并计划通过3D混合键合技术集成在计算逻辑芯片上方，借鉴NAND闪存的垂直堆叠思路实现多层制造。需要强调的是，Z2RAM目前仍处于非常早期的研发阶段，现阶段的成果主要是实验室原型，尚未进入成熟的芯片制造阶段；Nagare Labs正在寻找能提供研发制造能力的晶圆厂合作伙伴，希望在未来四年内提供可工作的Z2RAM存储芯片样品，并争取在未来十年内实现商业化出货。该技术还面临行业缺乏统一接口标准、氧化物半导体材料可能出现原子空位等缺陷影响可靠性的工程挑战，且文章明确指出Z2RAM并不是能在短期内解决全球DRAM和HBM供应短缺的技术。

    Z2RAMSRAMDRAMNagare Labs, 英特尔cnBeta
  7. Impact score 0

    Samyang发布面向下一代半导体的超纯水离子交换树脂

    Samyang Corp.于10月28日在首尔钟路区公司总部一楼礼堂举行的TRILITE DAY 2026活动上，发布了面向下一代半导体制造的超纯水离子交换树脂。新品MaxPurity UPRM500U用于超纯水生产的最终纯化阶段，与前代产品UPRM400U相比，树脂内部杂质显著降低，钠含量削减94%，并降低了包括铁、钙、镁在内的八种金属的浓度。约70名水处理客户员工和高管出席活动。公司还发布了基于AI的一体化水处理设计软件New TriAngle，用户输入处理流量、原水条件和运行时间等参数后，可在一分钟内获得满足目标水质要求的AI生成最优水处理工艺推荐，推荐对象除离子交换树脂外还包括反渗透(RO)和电去离子(EDI)；Samyang称其为首家开发此类一体化分析解决方案的公司。活动旨在应对AI进步和高带宽存储器(HBM)需求增长背景下半导体制造日益严格的超纯水标准。WS PU负责人Cho Young-do表示，超纯水生产中每一颗离子交换树脂珠的纯度都需控制，将加速商业化以贡献国内生产，New TriAngle还将缩短水处理系统设计周期。文中提到Samyang是韩国唯一的离子交换树脂本土生产商。

    ultrapure water ion exchange resinSamyang Corp.The Elec
  8. Impact score 45

    Ateco提交科斯达克上市预审申请,拟通过技术特例上市,主承销商为未来资产证券与IBK投资证券

    后段存储半导体设备制造商Ateco于10月28日向韩国交易所提交了科斯达克(Kosdaq)上市预审申请,拟通过技术特例上市程序挂牌,由未来资产证券与IBK投资证券担任主承销商;该程序允许具备公认技术能力但未满足盈利性等部分财务要求的企业上市,公司计划将募集资金用于强化产品线。Ateco生产用于存储半导体自动测试的测试分选机,设备用于HBM、LPCAMM与SOCAMM2;公司于今年上半年开始供应SOCAMM2测试分选机,客户包括三星电子与美光,使用其设备测试的SOCAMM2模块用于英伟达Vera Rubin AI平台。公司面临财务困难:截至去年年底处于资不抵债状态,总负债约431亿韩元远超总资产约275亿韩元,总权益为负156亿韩元;财务缺口源于累计营业亏损,去年营收约120亿韩元,营业亏损约109亿韩元,营收较前一年约180亿韩元下滑约33%,营业亏损较约4.5亿韩元扩大约24倍。

    HBMLPCAMMSOCAMM2 test handlerAteco, Samsung Electronics and 4 totalThe Elec
  9. Impact score 55

    韩美半导体第三季度利润同比上升，但环比下滑30%

    韩美半导体10月30日公布第三季度业绩：营收1810亿韩元，营业利润908亿韩元，同比分别增长8.9%和33.9%；营业利润率为50.2%，较去年同期的40.8%提升9.4个百分点。公司称对用于高带宽内存(HBM)生产的热压缩(TC)键合机等设备的需求增加支撑了盈利增长，并将增长归因于以AI半导体封装设备为核心的高附加值业务结构。环比来看，营收和营业利润分别下滑27.9%和30.3%。公司预计第四季度业绩将环比改善，因部分原定第三季度交付的设备推迟至第四季度交付；公司还预计营收和营业利润将连续第三年创下年度新纪录(继2024年和2025年之后)。公司对美国子公司Hanmi USA(10月在加州设立)及全球半导体厂商产能扩张表示中长乐观看法，并预计今年股息将再创新高(2025年年末股息为每股800韩元)。

    thermocompression (TC) bonders used in high-bandwidth memory (HBM) productionHanmi SemiconductorThe Elec
  10. Impact score 65

    闪迪：AI推理重塑NAND供需，客户低估闪存容量需求，NBM长单排至2030年；10月29日股价收跌5.32%

    闪迪（SanDisk）在2027财年第一财季（2026年7月4日至2026年10月2日）财报电话会议（IT之家10月30日报道）上表示，AI推理正在重塑NAND闪存市场的供需格局，客户普遍“低估了运行AI基础设施所需的NAND容量”，因此正在大举追加长期订单；公司新型商业模式（NBM）订单管道已延伸至2030年甚至更远。闪迪透露，2027财年约50%的位元出货（按存储容量统计的NAND出货量）已被NBM协议锁定，2028财年这一比例预计升至约三分之二，到本十年末NBM储备需求可能超过公司可用供应。技术上，首款高带宽闪存（HBF）存储晶粒已完成流片并进入制造阶段，首批产品样品计划于下一个日历年交付；闪迪还指出市场正探索以SLC NAND替代部分高成本DRAM。财报显示当季营收110.3亿美元、非GAAP每股收益49.51美元，均高于市场预期，并宣布1拆8股票拆分，将于11月19日生效。股价方面，10月29日常规交易时段收报1,330.05美元，单日下跌74.72美元，跌幅5.32%（前一交易日收盘价为1,404.77美元）；财报发布后股价先涨后跌，截至美东时间10月29日晚间盘后价约1,282.50至1,295.05美元，较当日收盘再跌约2.6%至3.6%，较前收盘价累计跌幅约7.8%。

    NAND闪存高带宽闪存（HBF）SLC NAND闪迪（SanDisk）IT HomeInventory Shift
  11. Impact score 95

    闪迪电话会：AI推理重塑NAND需求，Q1营收110亿美元同比增378%其中40%来自价格上涨，NBM长单已排至2030年

    10月30日美股盘后，闪迪公布2027财年第一季度财报：当季营收110亿美元，环比增长23%，同比增长378%；非GAAP毛利率85.1%，高于上一季度的84.6%；产生57亿美元调整后自由现金流。管理层透露，本季度营收增长约60%归功于销量增长、40%归功于价格上涨。分业务看，数据中心业务营收48亿美元，环比增61%；边缘计算（含智能手机和PC）业务营收58亿美元，环比增7%；消费者业务受制于高涨的价格，环比下降29%至3.97亿美元。管理层表示，AI推理需求正重塑NAND市场，客户因低估运行基础设施所需的NAND闪存容量而大举追加长单，NBM订单已排至2030年；2027年约50%、2028年约三分之二的供应已被NBM项目预订。首款高带宽闪存（HBF）存储芯片已完成流片，预计明年交付首批样品；公司同时探讨以SLC模式运行NAND替代部分DRAM使用场景（二者成本差距约20倍至40倍）。公司预计2027财年第二季度营收在122亿至126亿美元之间，非GAAP毛利率84.5%至85.5%，其中包括适度的同店价格上涨；预计明年PC销量可能仍有个位数下降，但PC的存储容量（以EB为单位）将会增长。董事会已批准41拆1股票拆分，新增股份预计11月19日派发，拆分调整后股票预计11月20日开始交易；本季度已用50亿美元回购股票，并预计将100%的盈余现金返还给股东。

    NAND闪存TLCQLC闪迪华尔街见闻Price Movement

Thu, Oct 29

  1. Impact score 25

    Renesas宣布推出面向智能家电系统控制的超低功耗16位RL78/G21 MCU，并将RL78/G23产品线触控通道扩至24/25个

    Renesas Electronics Corporation（TSE:6723）宣布推出RL78家族新成员RL78/G21，一款面向智能家电系统控制的超低功耗16位MCU。据公告，RL78/G21工作电流仅为34 μA/MHz，接近现有RL78/G13领先产品的一半，并实现ULPMark-PeripheralProfile基准测试最高分，±4 kV HBM ESD耐受提升可靠性，工作电压范围1.6V至5.5V，集成±1.0%精度高速片上振荡器（HOCO）和4KB数据闪存，在128KB或256KB代码闪存级别产品中具有价格竞争力。Renesas还扩展了现有RL78/G23产品线，推出RL78/G23（R7F104G）：相比现有RL78/G23（R7F100G）44引脚版本14个触控通道、48引脚版本16个触控通道，新器件分别增至24个和25个电容式触控通道。RL78/G21与现有RL78/G13和RL78/G23引脚和功能兼容。此为新产品发布公告，原文未说明对供需或价格的影响。

    RL78/G21RL78/G23Renesas Electronics CorporationEE Journal
  2. Impact score 30

    分析文章：AI推理由云端向边缘转移，SSD与DRAM被数据中心分流而边缘AI内存存储需求同步攀升

    这是一篇评论分析文章，作者认为AI推理目前仍以云端为主，但将逐步向边缘设备转移，且无论云端还是边缘场景，存储与内存需求都将持续增长。文章称数据中心建设分流了SSD（以及HDD）和DRAM供给，同时PC、智能手机等设备上边缘AI所需容量同步攀升：最新一代Chrome浏览器内置的Gemini AI模型至少占用4 GBytes存储空间；iOS 27中的Apple Intelligence从此前版本26的可选变为必需，最多占用14 GBytes；MacOS 27默认内置的AI模型套件大小为12-30 GBytes。PrismML将阿里巴巴Qwen3.8 27B开源模型压缩9-10倍、仍达到Qwen综合基准分数的98%，但压缩后模型仍有5.9 GBytes；Perplexity的Portable Computer本地模型存储与处理占用20 GBytes。文章还称OpenAI最新一代“Astra”GPT-6的训练运行耗用了超过100,000颗GPU，并认为混合推理（本地基础推理+按需调用云端）将日益普遍，推理解码阶段对内存容量与带宽要求高，推动HBM等先进方案。文中观点均为作者分析判断，原文未报告任何价格变动。

    SSDDRAMHDDApple, Google and 6 totalEDN
  3. Impact score 20

    QYResearch：2025年全球半导体阀市场销售额达150亿元，预计2032年达270.1亿元，CAGR为8.5%（2026-2032）

    QYResearch发布的调研报告统计，2025年全球半导体阀市场销售额达到了150亿元，预计2032年将达到270.1亿元，年复合增长率（CAGR）为8.5%（2026-2032）；2025年全球半导体真空阀销量达4,824千个，平均价格为457美元/个。细分方面，超高真空阀2025年收入占比约39%，预计2032年接近47%；蚀刻和CVD/ALD是最重要的下游应用，2025年合计约占市场收入47%，预计2032年占比超过一半；亚太地区2025年约占全球市场收入84%，主要由中国大陆、中国台湾、韩国和日本的晶圆制造和设备投资推动；隔膜阀2025年约占市场收入18%，波纹管阀约17%，门阀约15%，摆阀占比约9%，预计2032年提升至约14%。报告称，半导体设备投资、工艺复杂度提升以及单台设备真空系统价值量增加是主要驱动因素，同时指出较长的客户认证周期、严格的颗粒和泄漏指标、较高研发制造成本以及出口管制、地缘政治、国产化价格压力和半导体投资周期波动构成限制与挑战。上述2032年数据均为报告预测而非已实现结果。

    半导体阀半导体真空阀超高真空阀VAT Vakuumventile, 富士金 and 16 total格隆汇·半导体
  4. Impact score 95

    三星电话会：三季度DRAM ASP环比涨约20%，存储供给紧张或延续至2028年，2027年HBM供货已按目标价售罄，AI需求从HBM扩展至SSD

    三星电子在10月29日的三季度业绩电话会上表示，存储市场供给紧张不仅将贯穿2027年，还可能延续至2028年；尽管行业2027年资本开支将大幅增加（公司预计2026年全年资本开支达84.4万亿韩元、较去年增加31.7万亿韩元），但受制于新增资本开支中相当部分用于购置新场地、建设周期与设备交期拉长、设备价格上涨及预付款锁产、HBM4E和HBM5 die尺寸扩大且金属制程层数增加、以及常规DRAM向HBM的生产转移，新增产能难以快速转化为bit产出。三星2027年HBM供货量已按反映产品竞争力的目标价格全部售罄，但仍持续收到主要客户的额外供货请求。三季度公司实现总营收195.3万亿韩元、营业利润107.4万亿韩元，分别环比大幅增长14%和20%，连续第四个季度刷新纪录，成为全球首家单季营业利润超100万亿韩元的科技公司；DRAM出货量环比增长低至中个位数百分比、NAND增长中个位数百分比，DRAM平均售价（ASP）环比上涨约20%，NAND ASP上涨高位十几个百分点；公司预计四季度DRAM价格环比上涨十几个百分点的中高位水平、NAND价格上涨十几个百分点左右。三季度HBM4销售量环比增长超过三倍、占HBM总销售额的60%，符合二季度设定的目标；HBM市场份额已于三季度提前达到与整体DRAM市场份额相当的水平；HBM4E样品已于今年5月初率先交付客户并获积极初步反馈，计划明年上半年启动量产、下半年大规模爬坡。AI需求正从HBM扩展至服务器SSD：Agentic AI推动KV缓存爆发式增长带动高性能、大容量TLC SSD需求，云端个人AI智能体带动QLC SSD需求，三星三季度已收到大批量QLC SSD追加订单；基于键合技术的V10 TLC产品已于三季度达到可量产状态，并准备于明年年初推出基于V9、采用2 Tb TLC、32层堆叠技术的256TB产品。商业模式方面，三星已与10家主要客户完成多年期供应合同签约，另有10家主要客户在谈、其中数家接近最后阶段，目标使多年期合同覆盖中长期产能的60%—70%，采用滚动续约机制。晶圆代工方面，预计2026年2纳米项目订单数量将较上一年增长一倍以上；美国Taylor工厂Fab 1洁净室已开始运营、设备安装已启动。股东回报方面，2026年预计总回报为90万亿至110万亿韩元，其中35万亿已列入计划或完成，董事会当日批准三季度每股4,601韩元现金股息、总额30万亿韩元，计划于11月支付；新政策及最终金额将于2027年1月下旬董事会确定。

    存储器HBMHBM4三星电子华尔街见闻Price Movement
  5. Impact score 60

    三星Q3营收195.25万亿韩元、营业利润107.44万亿韩元均创历史新高，营业利润同比飙升783.1%首破100万亿韩元，存储器业务收入与利润创新高，公司称芯片供应短缺明年将进一步加剧

    三星电子于周四早间公布第三季度财报，得益于强劲的AI芯片需求，营收与利润均创历史新高：营收195.25万亿韩元，同比增长126.9%，环比增长13.85%，略低于LSEG SmartEstimates预期的195.79万亿韩元；营业利润107.44万亿韩元（约合800.4亿美元），同比飙升783.1%，历史上首次突破100万亿韩元大关，略低于预期的107.66万亿韩元；净利润75.13万亿韩元（约合562亿美元），较去年同期增长514.6%，低于FactSet分析师普遍预期的86.13万亿韩元。这是三星营收和营业利润连续第四个季度双双刷新历年单季最高纪录，财报公布后三星股价转跌，截至发稿下跌近5%，报230250韩元，此前一度涨近3%。半导体为最主要增长动力：设备解决方案（DS）部门营收147.1万亿韩元，环比增长15%，营业利润106.5万亿韩元，其中存储器业务季度收入和营业利润均创历史新高，凭借HBM4销量提升及服务器SSD需求创下盈利新高；HBM4收入第三季度较第二季度增长超过两倍，2027年HBM产品已售罄。三星预计第四季度DRAM芯片出货量增长15%-20%，计划2027年上半年开始量产HBM4E；预计第四季度晶圆代工营收实现两位数百分比增长。资本支出方面，三星预计2026年为84.4万亿韩元，2025年为52.7万亿韩元。设备体验（DX）部门第三季度营收环比增长8%，录得营业亏损0.8万亿韩元，公司称芯片价格上涨推高零部件成本、挤压消费电子利润，智能手机和家电业务出现小幅运营亏损。股东回报方面，三星将在截至9月的第三季度支付30万亿韩元股息（每股4601韩元），预计2026年全年股东回报总额为90万亿至110万亿韩元，其中35万亿韩元已规划或完成，剩余55万亿至75万亿韩元将用于股票回购注销及现金分红，方案将于2027年1月底公布。三星表示第四季度存储芯片需求将持续扩张，芯片供应短缺问题明年将进一步加剧，未来几年内存供应紧张的局面将持续。此前一天，SK海力士公布创纪录第三季度财报：单季营收首次突破100万亿韩元，营业利润飙升632.1%，并预计到2030年内存需求将持续超过供应。

    存储芯片DRAMHBM4三星电子, SK海力士快科技
  6. Impact score 96

    三星将新股东回报计划推迟至明年1月公布令市场失望，首尔股价当日下跌约4%，今年资本开支计划上调逾60%至84.4万亿韩元

    三星电子于周四公布，今年资本支出预计跳升逾60%至84.4万亿韩元（约630亿美元），目标是从SK海力士和美光科技手中争夺市场份额；同时公司将新的股东回报安排推迟至明年1月公布，令市场失望，首尔股价当日下跌约4%。芯片部门营业利润较市场预期低约2%，集团整体净利润同样未达预期；尽管三星半导体利润同比暴增15倍，但SK海力士前一日大幅超预期并同时宣布总计450亿美元的新增股东回报计划，抬高了市场预期门槛。里昂证券的Sanjeev Rana指出，三星股价下滑的直接原因在于缺乏新的股票回购公告。三星曾于8月表示计划今年向投资者返还最多110万亿韩元，其中包括第三季度约30万亿韩元的现金股息及约15万亿韩元用于员工薪酬的股票回购。HBM方面，三星表示其HBM产品已售罄至2027年，而SK海力士宣布售罄至2029年；三星第三季度HBM4销售额环比增长两倍，并计划于2027年上半年启动下一代HBM4e量产。三星还预计第四季度DRAM和NAND的比特需求将环比增长逾15%，销售额和营业利润有望大幅提升，并已宣布2026年的额外股东回报计划。

    HBMDRAMNAND三星电子, SK海力士 and 3 total华尔街见闻Price Movement
  7. Impact score 60

    长鑫HBM3E已送样、良率20%至30%，计划未来两个月内启动小批量生产

    据快科技10月29日消息，长鑫存储近日已向国内多家AI芯片设计公司交付HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小批量生产（目前仅为送样与生产计划，尚未量产）。俄媒报道称长鑫HBM3E良率仅为20%至30%（其所谓“80%废品率”），而市场龙头SK海力士的良率约为70%，并称长鑫HBM3E的实际性能更接近SK海力士上一代HBM3产品而非同代HBM3E，在三星和SK海力士主导的HBM竞赛中长鑫处于追赶者位置。由于大量芯片需要报废或返工，其HBM3E生产成本被显著推高，预计售价将高于海外竞争对手的同类产品。背景方面：美国出口管制收紧后，国产AI芯片厂商面临严重的HBM短缺，华为、寒武纪、沐曦等厂商已因存储成本上涨将AI芯片价格上调20%至50%。原文未说明低良率的具体原因；文内关于俄媒态度及“本土供给通道”的表述为评论性内容。

    HBM3EHBM3长鑫存储, 华为 and 6 total快科技Capacity Change
  8. Impact score 60

    三星电子：2027年HBM产能已按既定目标价格售罄，预计2028年整体DRAM内存供应将维持紧张

    三星电子于10月29日早间举行2026Q3财报电话会议，会上高管表示其2027年的HBM产能已按既定目标价格售罄，并预计2028年整体DRAM内存供应将维持紧张；存储半导体市场整体仍供小于求，高管特别提到收到大量QLC需求。2026Q3三星DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点，ASP分别增长20%和近10%；企业预计2026Q4 DRAM出货容量增长15~20%，NAND增长15%左右。三星存储器业务已与10家客户签署LTA，正与另外10家就多年期合同洽谈，并推进通过多年期合同锁定60~70%产出的计划。HBM方面，三星已提前实现细分市占齐平整体DRAM市占的目标，HBM4销售额Q3环比增长超3倍，已占HBM总营收的60%。此外三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂投资，希望同步建设先进封装产能，正就包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估，预计8nm以下节点产能利用率将突破100%。

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