长鑫存储已送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产，良率低于SK海力士且售价预计高于海外竞品

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快科技10月28日报道，国产DRAM制造商长鑫存储已向国内多家AI芯片设计公司送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产。今年8月曾有报道称，阿里巴巴平头哥、寒武纪等多家国内芯片设计公司已在测试将长鑫HBM3E与自研处理器搭配使用，最早明年投入产品。知情人士透露，长鑫HBM3E良率目前低于市场龙头SK海力士，良率偏低意味着成本随之上升，且长鑫HBM3E的售价预计将高于海外竞争对手的同类产品；长鑫已向客户送出两个版本，一款为标准设计，另一款为针对良率优化的改良版。市场格局方面，Counterpoint数据显示，今年第二季度SK海力士占全球HBM营收份额50%，三星33%，美光18%；长鑫科技当季在全球DRAM市场的营收占比为10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。

影响与信号

受影响器件与厂商

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来源：快科技 · 2026/10/28 · 查看原始来源