长鑫科技：合肥、北京两地晶圆厂保持高产能利用率运转，订单饱满
长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并称有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。原文未说明具体产能数字或订单量。
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长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并称有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。原文未说明具体产能数字或订单量。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
摩根士丹利首席股票策略师Michael Wilson在最新客户报告中认为，美股持续数月的内部调整正接近尾声，投资者应准备增加风险敞口。其依据是：质量因子综合指数升至52周新高（自8月中旬以来累计上涨约6%），同期等权重标普500指数自8月14日高点以来累计下跌近4%；高质量与低质量股票盈利修正广度差距扩大至约10%，为2010年以来第二高水平；周期性板块（金融、工业、非必需消费品等）估值已大幅压缩。Wilson将周期转换起点追溯至2025年4月的"解放日"，并指出其在6月识别出低质量早周期领涨股（半导体、非必需消费品、金融）盈利修正广度的变化率见顶，叠加美联储新主席上任带来的更鹰派政策取向，确认中周期过渡到来。摩根士丹利经济学家预计美联储将在10月维持利率不变。盈利方面，Bloomberg Intelligence估算标普500成分股第三季度盈利预计同比增长约24.6%，摩根士丹利数据显示第三季度EPS预期同比增长27%，2026年和2027年EPS增速预期分别为33%和16%；Wilson估算2027年超大规模云计算商及新兴云服务商的AI资本开支总额将达1.58万亿美元，其中约65%将流入标普500公司，AI相关公司2027年盈利增速预计达25%，而非AI公司仅为4%。Wilson建议优先布局高质量股票，并点名资本品板块及摩根士丹利筛选出的"高质量+盈利修正向上"股票池（含信息技术领域的苹果、博通、美光等），该筛选条件为市值前1000、质量综合评分前四分位、近期NTM EPS上调且获摩根士丹利增持评级。
10月19日，国务院新闻办公室举行新闻发布会介绍加快推进科技兴商有关情况。会上介绍，今年上半年我国人形机器人整机产品突破400款，产量超4万台，预计全年将突破10万台。工信部推动以人形机器人为代表的具身智能产业实现规模体量、创新能力、产业应用三个"加速"，并实施人形机器人与具身智能实景实训专项行动，推动相关产品在仓储物流、餐饮零售、家庭服务等300多个重点场景加快验证和部署。另据IDC报告，工业、物流等应用探索持续加速，头部厂商不断扩充生产能力，中国市场开始出现面向个人消费者的小型人形机器人。
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目，原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节，也未说明扩产原因。
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
中国人民银行行长潘功胜在2026金融街论坛年会开幕式上发表演讲，宣布央行即将推动出台的一系列政策措施，文中内容均为拟议或计划状态：一是将会同金融监管总局、中国证监会设立应对非银机构大额赎回的流动性支持工具，该工具旨在建立债券市场稳定机制，构成宏观审慎管理新工具，拟在资管机构面临群体性流动性风险、债券市场出现赎回—抛售负向循环的特定情景时启用，操作须满足宏观审慎要求并提供高等级抵押品，适用机构包括银行理财子公司、公募基金管理人及对应的银行母行、证券母公司等，具体操作要素将在公开市场业务公告中明确；二是扩大常备借贷便利（SLF）适用机构范围，在现有面向城商行和农村金融机构、期限为隔夜、7天和1个月的基础上，纳入境内外资法人银行并明确全国性银行适用同样安排，实现境内存款类金融机构全覆盖；三是推动银行间与交易所债券市场互联互通落地，当前已具备落地条件，基础设施运营主体和市场参与者测试后即可开通；四是试点允许8家中资和外资人民币境外清算行在境内银行间外汇市场开展自营交易，并将根据试点情况进一步加大开放力度；五是会同科技部等10个部门出台金融支持北京（京津冀）、上海（长三角）、粤港澳大湾区国际科技创新中心的指导意见。利率改革方面，央行将退出存贷款基准利率——该基准自2015年10月以来长期未做调整，在存贷款定价中实际已不再发挥作用——用市场化利率指标替代相关计息依据；同时将研究择机把公开市场主要操作品种期限由7天切换为隔夜，使公开市场隔夜回购利率成为主要政策利率，目前银行间隔夜回购利率（DR001）实际上已成为央行货币政策调控的目标利率。此外还提及今年6月设立的境外央行回购工具拟纳入外资人民币清算行，以及数字人民币业务运营机构已从10家拓展至30家。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
TDK InvenSense正在为人形机器人关节开发低成本磁性传感器技术。TDK副总裁Jung Do-hyung于10月16日在首尔COEX举行的THE ELEC'Semiconductors Powering Humanoids'会议上表示，公司正与机器人制造商合作开发基于磁性传感器的关节测量方案。该方案采用一个磁铁加一个传感器的简单配置测量关节角度，可能在手指等关节中替代编码器，使用TMR传感器和霍尔传感器：TMR通过磁场引起的电阻变化测量，精度高于通过磁场产生电压测量的霍尔传感器，霍尔传感器还可检测球形关节的三维位置。其背景原因是关节增多时传感器成本上升，手指多关节集中于狭小空间。Jung表示，仅需要角度测量的应用精度可能低于编码器，但传感器更小、功耗更低且便宜得多；公司同时为需要精确位置控制的关节开发磁性编码器，并将此前用于智能手机和汽车的磁性传感技术应用于机器人关节。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |