GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
- Related manufacturers
- General Micro Systems (GMS)
- Impact score
- 60 / 100, medium impact
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
韩国爆料者Lanzuk近日称,三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定,发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月,但该消息未经三星确认,目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照,S24系列于1月中旬发布,S25系列于1月下旬亮相,S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数:此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存,S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0;最新说法称,随着内存成本高涨,三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本,若调整发生,高端机型最终配置和售价都可能受影响,目前两套方案都只是传闻。背景信息:LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布,数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps,高于LPDDR5X常见的8.5Gbps;三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s,较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%,并计划于今年第四季度开始量产,尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题,三星可能考虑重新采用Exynos 2700,但高通已否认相关芯片存在过热问题,处理器平台尚未定案。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布,计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂,生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示,公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂,后者预计2027年上半年开始量产。海外方面,魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前,设备正在安装,生产定于2027年第三季度开始;日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺,预计2028年开始量产。为支撑3nm需求,台积电正将部分5nm产能转为3nm,并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿,台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施,在台南投资超过1.86万亿新台币(约570亿美元),创造超过11,300个直接就业机会;台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂,这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目,原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节,也未说明扩产原因。
TrendForce集邦咨询表示,2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server(服务器)应用的高性能产品,整体维持供不应求格局,但合约价涨势放缓,预计Conventional DRAM(一般型DRAM)合约价将季增10%-15%;NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出,第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期,AI算力端需求虽有支撑,但消费终端采购需求受到抑制,市场博弈加剧,整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日,长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告:预计收入2650亿元至2700亿元,同比增加2329.16亿元至2379.16亿元;归母净利润1310亿元至1325亿元,同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元(同比增长873.64%)、净利润776.05亿元,由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元(环比增长约15.25%至20.3%)、净利润约533.95亿至548.95亿元(环比增长约1%至3.9%),相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓;江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日,长鑫科技公告称,董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份,回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面,长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂,单座工厂月晶圆产能可达10万片,并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线;北京晶圆厂运营主体长鑫集电(北京)存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿,增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市,募资净额663.1亿元投向技改升级项目(非新建产能);2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元,占期末资产总额38.79%,计提折旧145.10亿元,同比增加27.85%。文章分析称,若DRAM价格涨幅继续放缓,公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
Sandisk于10月19日宣布,将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商,该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系,共同设计面向VR应用的闪存产品,相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示,高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容,用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
10 月 19 日,RISC-V 中国峰会在深圳举行。阿里巴巴达摩院在峰会上发布车规增强处理器玄铁 E908A,成为首款同时达到 ASIL-B 和 ASIL-D 标准的 RISC-V CPU IP,其单点安全度量(SPFM)在业内首次超过 90%,为安全岛、域控、车载网关等场景提供实时计算底座。达摩院还首次发布面向自动驾驶和具身智能的处理器产品路线图,其中下一代 C950A 目标性能将达到现有 RISC-V 车规产品的 5 倍(此为目标,非已实现性能)。达摩院首席科学家孟建熠介绍,玄铁 C950 已成为高性能 RISC-V 技术演进的创新底座,在四类 Agentic 工作负载上的表现相比主流传统架构处理器提升 10% 以上;针对今年 8 月发布的 Qwen3.8-Flash-Next,推理速度达到 43token / 秒。另据行业机构预测,RISC-V 处理器年出货量正保持 50% 的高速增长,到 2030 年市场占有率将达到约 25%(为预测数据)。
位于美国佛罗里达州西棕榈滩的Visium任命资深空气质量行业高管Jason DiBona为首席执行官(CEO)。原文未说明原因,也未提及任命生效日期或其他细节。
芬兰技术产业协会(TIF)发布了对欧盟《芯片法案2.0》的建议(该法案为委员会提案,尚待立法程序,资金尚未确定),主张法案应以需求为出发点。文中引用的市场背景数据:全球芯片销售额2025年达7010亿美元,今年将突破1万亿美元,并按欧盟委员会的估算到2030年达1.6万亿美元;欧洲目前生产的芯片占全球不到十分之一,覆盖自身消费约五分之一。提案要点包括:首次同时处理需求与供给(大挑战、行业主导的需求加速器、创新采购),首次OfType(first-of-a-kind)地位扩展至全价值链,许可审批上限为12个月,对量子芯片和光子学提供专项支持。资金方面:《条例》本身几乎不含新资金,资金将在2028—2034年欧盟预算与欧洲竞争力基金中另行谈判;委员会影响评估模型给出的示例投资为400亿欧元,业界建议设立300亿至600亿欧元的欧盟半导体专项预算。提案的战略项目优先领域清单包含先进制造、AI芯片、存储和前沿设计,但未包含量子与光子芯片制造。文章还提到,芬兰的行业主导战略'Chips from the North'目标是在2035年前将该行业收入提高两倍至50亿至60亿欧元,并归纳出七项建议(快速行动、确保关键规模的欧盟资金、保留并扩展first-of-a-kind定义至量子芯片制造、以战略项目建设需求导向的关键产能并锚定一座先进晶圆厂、赋予行业结构化角色、通过可信国际伙伴关系构建韧性、保持供应安全义务精准有限)。原文未说明原因——本文为立场性分析文章,不涉及具体价格变动或事件原因。
据天眼查App显示,近日长鑫集电(北京)存储技术有限公司发生工商变更,注册资本由约508.5亿人民币增至约601.8亿人民币,增幅约18%。该公司成立于2016年8月,法定代表人为赵纶,经营范围含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等,由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。原文未说明增资原因,亦未披露产能或投资具体用途。
三安光电(Sanan Optoelectronics Co.)作为中国化合物半导体及LED芯片行业的主要厂商,正处于关键节点:一方面在股东层面面临严重的公司治理挑战,另一方面在下一代显示技术方面取得重大技术进展(文中提及Micro LED突破)。原文未说明治理问题的具体原因,也未说明相关技术进展的具体细节。
快科技10月19日报道,日本存储芯片巨头铠侠控股的市值已从今年6月约60万亿日元(约合人民币2.54万亿)的峰值跌至10月中旬约21万亿日元(约合人民币8876亿),蒸发约六成半。据高盛统计,10月1日至15日期间三星电子股价下跌20%,SK海力士下跌25%,美光科技下跌11%,闪迪下跌11%,铠侠下跌26%,六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元;铠侠跌幅最深,因其业务高度集中于NAND闪存,且企业级服务器市场出货占比超过三成。文章给出的原因:一方面利率上升威胁AI数据中心的商业模式,另一方面以长江存储、长鑫存储为代表的国产芯片快速追赶,动摇海外巨头的定价权与市场份额。据Counterpoint Research数据,2026年第二季度长江存储NAND出货量份额约16.5%,首次超越铠侠与美光跃居全球第三,仅次于三星和SK海力士;若剔除SK海力士旗下Solidigm则升至全球第二;2025年第一季度至2026年第一季度长江存储全球NAND营收份额从9%升至14%。据TrendForce数据,长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元,环比增长99.3%,全球市占率从7.6%升至9.5%,同期全球DRAM产业整体环比增长59.5%。技术路线方面:长江存储基于自研Xtacking架构已实现267层3D NAND量产,并计划于2026年下半年启动超300层产品X5-9080的量产;长鑫存储计划年底前供应采用4F²架构的DDR5服务器内存(以上量产计划均为规划状态)。
日本NAND Flash龙头铠侠股价上周五盘中一度重挫16%,较上月高点累计下跌逾52%,市值累计蒸发至少30万亿日元(约合1850亿美元);公司市值已从60万亿日元(3800亿美元)的历史高点蒸发近40万亿日元(2530亿美元),缩水至高峰期的三分之一左右,排名从日本第一滑落至第四位。该股自2024年上市以来年内最大涨幅一度超过600%,并于今年6月中旬市值超越丰田成为日本市值最高的上市公司,从登顶到市值腰斩仅用约一个月。原文说明的核心原因为AI资本支出回报遭质疑,叠加中国NAND厂商加速扩产、冲击全球NAND价格预期,贝恩资本减持与日本散户高杠杆仓位进一步放大下行风险。背景方面,美国芯片股指数上周四单日跌幅超过4%;铠侠将于10月底发布财报,据彭博汇总的分析师预测其未来一年预期回报率约为118%,东证指数(Topix)将于10月进行成分股调整并预计带来被动资金流入。
特斯拉与三星及台积电(TSMC)的往来凸显出,随着AI处理器需求加速,芯片设计公司与代工厂之间的紧张关系。一名工程师提出指控,内容包括价格压力、索取敏感信息的要求,以及为特斯拉的Terafab项目招聘三星员工;特斯拉和三星均未证实这些指控。
FICG位于马来西亚柔佛的厂区设有八条SMT产线,将生产用于AI基础设施和数据中心的高速光模块。原文未说明原因,也未提及具体扩产量或时间表。
原文指出,AI数据中心投资持续扩张,使全球存储市场在2026年第四季度处于供应不足状态。DRAM与NAND闪存合约价格上涨,提振了对三星电子和SK海力士2027年业绩的预期;但原文同时指出,消费需求疲软以及长期协议(LTA)价格上限将限制价格进一步上涨。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存(EIM),该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率,预计将在2028年下半年实现量产。
据SPIE Digital Library的技术分析,常规极紫外(EUV)光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模,虽能以高产能打印极小特征,但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上,而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件,将数字图形直接写入晶圆,从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈,缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代:EUV辐射被大多数材料强吸收,系统需在真空和专用反射光学下运行;可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷;光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的,如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层,而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析,不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
据快科技10月18日报道,日本NAND闪存厂商铠侠股价暴跌:10月9日到16日的一周下跌26%,目前股价约1.3万日元,近期低点为1.2万日元;与四个月前的3.6万日元相比,市值已跌去约2/3,当前市值约22万亿日元,而6月份高峰期曾超过60万亿日元,当时为数十年来日本首次有芯片公司市值超过丰田。铠侠同时是全球NAND闪存技术的发明者和日本存储芯片领域的独苗。原文将下跌归因于两个因素:一是全球AI产业变化,AI泡沫崩不崩的问题严重影响存储公司股价,美光、三星、SK海力士同样大跌;二是中国公司竞争,长江存储在闪存领域扩张速度快于长鑫,2季度份额已提升至17%,仅次于三星及SK海力士(若扣除收购Intel闪存业务且名义上独立运营的Solidigm的影响,长江份额跃居第二);一年多以前长江份额还属others、约5%,去年底约10%,按此速度今年底可能达20%以上,明年可能坐稳第二甚至冲击第一。原文还称,考虑长江极为庞大的扩产计划,过不了两年闪存市场可能变成产能过剩、大肆杀价,而铠侠没有高价值的内存业务护体,可能是最早倒下的公司之一。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元,同比增长 123%,毛利率 47.8%,非GAAP每股收益 1.20 美元,超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元,截至 2026 年 10 月 3 日,因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |