GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
北京恒州博智（QYResearch）于2026年10月发布《2026年全球镍及镍合金电镀产品行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据QYResearch调研统计，2025年全球镍及镍合金电镀产品市场销售额达到108亿元，预计2032年将达到150.5亿元，2026-2032年复合增长率（CAGR）为4.9%。报告覆盖全球及中国市场占有率、收入份额、企业排名、三年数据对比、产能、销量、价格及市场份额等指标，并列出上村化工、安美特、Dupont、麦德美乐思、奥野制药工业株式会社、日本JCU、光华科技等主要企业；产品类型包括镀镍产品和镀镍合金产品，应用领域涵盖半导体、PCB、汽车、装饰、光学器件、航天航空、电器、工业机械、石油化工等。该内容为市场研究报告数据及预测，非价格波动或供需事件。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
10月19日，A股早盘低开低走，三大股指盘中跌幅有所扩大，创业板指、科创50双双跌超2%，AI硬件、半导体等再度集体调整，存储芯片、光模块、电路板等概念股普跌，长鑫科技盘初一度下挫8%。PCB概念盘中持续下挫，天津普林触及跌停，新锐股份、迅捷兴、三孚新科跌超10%；光模块（CPO）指数持续下行，天孚通信、联讯仪器、剑桥科技、胜宏科技、太辰光均跌超6%。AI硬件侧核心标的早盘抛压较大，三环集团、中材科技、天孚通信、鹏鼎控股、胜宏科技、中芯国际、沪电股份、长电科技、生益电子均跌4%左右。盘初上证指数低开0.6%，创业板指跌0.43%；随后创业板一度跌超1%。盘中GPU板块一度拉升，沐曦股份涨近7%，摩尔线程、寒武纪、海光信息同步拉升；存储板块明显收窄跌幅，大普微封住涨停，德明利、君正股份、佰维存储跟进。白酒、银行等板块逆势拉升，顺鑫农业涨停。香港股市因重阳节假期休市；债市方面国债期货全线下跌，截至发稿30年期主力合约跌0.22%、10年期主力合约跌0.04%、5年期主力合约跌0.01%、2年期主力合约涨0.01%。原文未说明原因。
36氪获悉，中金指出，当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力。中金表示，在不同竞争格局下，供给扩张对ROE和景气度的影响将有所差异：未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备；面临较大考验的是全球数字芯片设计。中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益；美国有色金属则可能阶段性承压。
华泰证券发布A股策略观点称，宽基ETF放量为低位指数提供托底，但历史上此类放量更可能是左侧信号，建议防守为主，并在三季报中寻找盈利环比加速的板块。该策略指出上周A股先跌后稳、整体缩量，AI硬件领跌；AI链回调是全球现象，AI业绩弹性与融资可持续性受质疑；避险情绪仍强，食饮、银行逆势收涨；三季报披露尚早，但市场对单季盈利环比加速的个股定价偏积极，可作为短期交易线索。配置上，建议保持低波红利等防御底仓；AI链关注PCB环节及光器件、半导体设备中的个股，AI链外关注通用及专用设备、风电与电网设备、航运、玻纤化纤、医疗服务等板块。本条为券商策略观点，非价格变动或供给事件。
本文为中金公司2026年10月19日发布的研报《AI高景气能否经住供给考验？》。报告以标准化未预期盈利（SUE大于1）定义高景气行业，测算显示美股电气设备、半导体及设备、电子、软件以及A股电子等板块景气度较高；认为景气上行源于需求打开增长空间、供给约束放大回报弹性。报告从相对投资强度（RI）和新增融资两个维度衡量供给扩张：2026年RI较高的行业包括全球半导体存储、全球半导体代工、美国建材、美国PCB、美国光模块等；新增融资超过50%分位数的仅有全球半导体代工和美国半导体设备（两者处于历史68%分位数），投资强度大且融资强度也大的行业只有全球半导体代工。报告引入行业收入集中度（HHI）并以1997~2025年数据实证：中低集中度组中相对投资强度与下一期ROE及SUE变化呈负相关，高集中度组则转为正相关；历史案例显示美国半导体设备1998年RI达0.535（历史89.7%分位），至2001年ROE累计下降28.0个百分点，美国PCB 2000年RI达0.324（89.7%分位），一年后ROE下降63.2个百分点，而2001年全球半导体代工HHI达4289、RI为0.250（82.8%分位），一年后ROE反而提高7.5个百分点。基于2026年和2027年市场一致预期的测算，报告结论为：当前投资预期尚不至于对全球科技行业景气构成全面压力；未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备，面临较大考验的是全球数字芯片设计；中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益，美国有色金属可能阶段性承压。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
AWS采取“能买不做、择廉而用”的组网策略，基于PCIe的NeuronLink协议和标准以太网变体EFA，Scale-Out带宽两代未提升，交换芯片依赖外采，竞争力并不强。
10月15日，A股放量下跌，沪指盘中跌破3700点，深证成指跌2.43%，创业板跌2.92%，科创50跌约-3%，两市成交1.63万亿元，比前一天多2186亿元，下跌家数增至5105只；尾盘五大行、券商和宽基ETF集体放量，沪指被抬回3700点。原文说明的原因分三层：一是美国9月CPI同比升至3.7%（高于市场预期的3.6%，环比涨0.6%），美债收益率与加息预期回升，纳指跌1.88%，费城半导体指数跌4.3%、已连续第六天下跌，并映射到港A股；二是Anthropic的ARR营收略低于市场预期，被解读为环比增速放缓；三是A股自身仓位集中、增量资金不足，9月23日以后连续十个交易日成交未站上2万亿元。亚洲方面，韩国一度触发熔断，三星电子、SK海力士重挫。半导体相关资金动向：10月14日科创半导体ETF和半导体设备ETF合计净流入5.68亿元；10月15日科创半导体ETF从0.805元低点拉回0.838元，低点到收盘反弹约4.1%，半导体设备ETF从0.575元拉到0.601元、全天涨0.33%；科创50ETF当日成交140.46亿元，其中最后30分钟成交48.07亿元、占34.2%，创业板ETF成交121.60亿元，且两只产品在10月14日已分别净流入14.76亿元和15.75亿元。文章称护盘资金短期承接集中在半导体设备、PCB等方向，并提示若海外芯片股继续杀估值，A股科技难以独立走强，后续一至两周更像高波动修复。
埃隆·马斯克在X平台发文，批评存储厂商在常规DRAM与高带宽内存（HBM）均处于前所未有的短缺之际进行他所称的'敲诈性'定价，同时称赞美光在内存未来价格方面'合理'、是在为长期客户忠诚度做出'聪明的举动'。原文指出，马斯克未点名所批评的公司，也未提供具体定价细节或不同供应商的条款（这些条款通常保密），因此无法确定三星电子和SK海力士对可比产品的要价是否实质高于美光；其言论被认为指向这两家韩国存储厂商。文章补充称，美光自身盈利能力极高：2026财年第四季度营收542.3亿美元，GAAP毛利率81%，高于一年前的40%；云内存业务营收162.83亿美元，非GAAP毛利率83%；核心数据中心存储业务销售180.02亿美元，毛利率90%；汽车与嵌入式业务营收合计68.24亿美元，毛利率达84%；移动与客户端业务营收131.14亿美元，非GAAP毛利率90%。美光已签署26份战略客户协议，覆盖其到2030年预期营收的35%以上，合同包含320亿美元的客户财务承诺（大部分为现金预付款），且公司承认新协议反映了当前更高的内存价格、并非以折扣出售内存。另据报道，三星已锁定覆盖其2027年计划内存产出75%–80%的长期合同，SK海力士也在争取类似安排。市场内部人士与分析师预计内存供应短缺将持续到至少2028年。文章还称，存储厂商此次在没有相应扩大产能的情况下将内存价格提高了数倍，供给仍落后于需求。
第二届中国银河证券大宗商品论坛（以"商品·科技·宏观"为主题）上，与会机构普遍认为大宗商品市场正进入宏观、产业、科技多因素交织共振的新阶段。银河证券章俊认为全球利率中枢上行将成常态，"高利率常态"将系统性影响包括大宗商品在内的大类资产定价体系。马凯认为未来中国大宗商品将出现K型分化：地产基建等旧动能商品处于空头配置逻辑，AI算力基础设施与新能源汽车渗透率提升催生铜、铝等有色金属高增速需求的多头逻辑。吴康概括2020年以来全球石油市场经历三次"黑天鹅"冲击，并给出油价情景：基准情景下（海峡逐步恢复）2027年布伦特年均价约85美元，高风险情景下（封锁持续）年均价可能维持在120美元以上，并认为当前市场定价对中东问题反映不够充分。陈虹称页岩气增长是全球化工原料格局重构的最核心变量，乙烷裂解只产乙烯不产丙烯的结构性矛盾直接推动了2026年二季度PP价格的逆势拉涨；她判断乙烷是少数有机会的化工原料，全球乙烷船数量将从2024年底的40艘扩张至2028年底的105艘，70%运力指向中国。冯源认为2026年煤炭市场反弹是供给侧多重扰动叠加的结果而非单纯需求驱动：中国煤炭产量连续三个月出现10%的同比降幅，印尼全年出口减少约3000-4000万吨，印度库存去化至四年同期最低值；他对2027年的判断是市场对煤炭价格回落的预期过多，2027年动力煤价格大概率在1000元人民币附近震荡。圆桌嘉宾认为AI算力中心建设带来铜、锡等金属的确定性增量需求，AI提升传统产业效率从需求侧对价格形成微妙下行压力，高波动将成为大宗商品常态。以上均为论坛专家观点与预测，非已实现的市场结果。
36氪获悉，中信证券发布研报称，ABF封装基板是受益于AI成长逻辑最持续的PCB产业环节之一，深度受益于PCB载板化的升级趋势，市场空间和利润有望快速爆发。该机构判断行业产能缺口短期内或将持续扩大，行业涨价有望持续；并从国产板厂及国产客户视角切入，判断当前已成为国产ABF载板全面起量的关键节点，看好国产厂商ABF载板业务未来的业绩弹性。以上均为中信证券的判断与预期，并非已实现的价格变动或产能变化，原文未说明具体涨价幅度或时间。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |