SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform，具体涵盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，亦称Digital Datasheets）。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建，分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块，包括RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）；其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器（6个：R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2）和RAC AC/DC转换器模块（2个：RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1）。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建，包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出：工程师定义带电压和方向的供电网络后，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案，设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
LG将于10月19日开始集团旗下所有子公司的业务审视会议，由LG董事长兼CEO具光谟主持，各子公司CEO及事业部门负责人参加，会议将审视公司2026年业务表现及2027年计划。审视首先从LG电子、LG Display、LG Innotek等电子类子公司开始，随后是LG能源解决方案、LG化学等化学与电池业务，以及LG Uplus、LG CNS等电信与服务类子公司，整个过程将持续约一个月。会议将讨论与Nvidia、Microsoft等全球科技公司的具体业务合作及后续实施计划。LG在2026年加强了与Nvidia在AI工厂、物理AI和移动出行方面的合作，并已同意扩大与Microsoft在AI基础设施方面的合作。LG还将在2026年3月聚焦AX执行、6月聚焦Winning R&D、9月聚焦投资策略细化作为季度讨论主题；9月CEO会议上，具光谟敦促高管“以速度和持续执行确保在AI未来战场取胜”。该举措属于LG整合集团能力的“One LG”战略的一部分，目标是在关键未来AI市场取得成果，而非短期合作。
10月19日A股半导体方向领跌：中证半导（相关ETF：561980）以4.54%的跌幅居首，科创50（相关ETF：588450）跌2.17%，科创创业50（相关ETF：588300）跌1.79%，创业板人工智能（相关ETF：159243）跌0.42%；当日半导体指数跌1.39%，板块内39家上涨、148家下跌，存储与设备链调整最为明显。海外情绪是主要源头：上周五费城半导体指数收跌3.83%、连续第8个交易日下跌，创2008年金融危机以来最长连跌，8个交易日板块市值蒸发近2万亿美元，AI算力服务商CoreWeave信用风险发酵，市场对AI资本开支回报的担忧传导至亚太，SK海力士、三星电子'存储双雄'大跌，韩国KOSPI早盘一度跌超3%。国内方面，长鑫科技三季报预告前三季度归母净利润1310亿至1325亿元、同比扭亏为盈，但三季度单季环比增速降至1%至3.9%，较一二季度的246%、113%明显放缓，市场按环比重新定价，该股早盘一度跌近9%，拖累科创50盘中跌超2%。
三星电子正在开发Exynos 2700，计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用（属于计划，尚未实现）；与此同时，华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出，双方的竞争举措正给三星带来压力，促使三星提升应用处理器（AP）性能、制造良率和成本竞争力，以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
QYResearch发布《2026年全球PMN-PT单晶行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据该报告统计，2025年全球PMN-PT单晶市场销售额达到6.96亿元，预计2032年将达到11.49亿元，年复合增长率（CAGR）为7.5%（2026-2032）。报告称中国市场近几年变化较快，但正文给出的中国2025年市场规模、全球占比及2032年预测数值均为空白（％占位符），未提供具体数字。报告列出主要企业包括CTS、Ceracomp Co.、JFE Mineral、TRS Technologies、Sinoceramics、IBULE PHOTONICS、上海怡英新材料科技有限公司、合肥科晶；产品类型分为Type A、Type B；应用涵盖超声波探头、无损检测(NDT)探头、执行器和传感器及其他。报告提到2025年美国关税体系将给全球经济带来重大不确定性，并评估贸易壁垒升级与多国反制措施的影响；发展趋势方面提及5G、物联网需求带动晶体生长工艺优化、医疗成像/精密定位/声呐系统/高性能传感器等应用拓展、政策支持推动产能扩张，以及环保法规对含铅材料的严格要求增加研发和生产成本。原文未说明原因；以上市场规模数字均为报告的统计与预测，非已实现结果。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
快科技10月19日报道，日本存储芯片巨头铠侠控股的市值已从今年6月约60万亿日元（约合人民币2.54万亿）的峰值跌至10月中旬约21万亿日元（约合人民币8876亿），蒸发约六成半。据高盛统计，10月1日至15日期间三星电子股价下跌20%，SK海力士下跌25%，美光科技下跌11%，闪迪下跌11%，铠侠下跌26%，六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元；铠侠跌幅最深，因其业务高度集中于NAND闪存，且企业级服务器市场出货占比超过三成。文章给出的原因：一方面利率上升威胁AI数据中心的商业模式，另一方面以长江存储、长鑫存储为代表的国产芯片快速追赶，动摇海外巨头的定价权与市场份额。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度长江存储NAND出货量份额约16.5%，首次超越铠侠与美光跃居全球第三，仅次于三星和SK海力士；若剔除SK海力士旗下Solidigm则升至全球第二；2025年第一季度至2026年第一季度长江存储全球NAND营收份额从9%升至14%。据TrendForce数据，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比增长99.3%，全球市占率从7.6%升至9.5%，同期全球DRAM产业整体环比增长59.5%。技术路线方面：长江存储基于自研Xtacking架构已实现267层3D NAND量产，并计划于2026年下半年启动超300层产品X5-9080的量产；长鑫存储计划年底前供应采用4F²架构的DDR5服务器内存（以上量产计划均为规划状态）。
存储厂商长鑫科技（688825.SH）发布三季度业绩预告后，10月19日早盘股价大跌，截至上午10点40分跌6.31%，市值蒸发1927亿元，总市值降至2.87万亿元，回落至3万亿元以下，在A股市值排行榜从第一名滑落至第三名。长鑫科技10月16日晚间发布前三季度业绩预告：预计前三季度营收2650亿元至2700亿元，同比增长726%~741.5%，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈；据此计算第三季度营收1146.9亿元~1196.9亿元，同比增长589%~619%，净利润533.95亿元~548.95亿元，营收环比增长15.25%~20.3%，净利润环比增长1.04%~3.88%，相比第二季度营收环比增长95.9%、净利润环比增长113.4%，环比增速有所放缓。原文未说明环比增速放缓的详细原因，公司称2025年下半年以来AI算力需求快速增长、前三季度产能利用率保持高位。公司同日（10月16日晚间）公告董事长朱一明提议以自有或自筹资金回购股份，回购资金总额不低于10亿元、不超过20亿元，信息披露似乎未明显提振投资者信心。背景方面：江波龙披露第三季度扣非净利润环比下降22%~38%，称DRAM和NAND闪存价格涨幅较前期明显收窄；TrendForce预计第三季度一般型DRAM价格环比增长13%~18%，第四季度环比增速进一步缩减至10%~15%；三星电子第三季度营业利润突破百万亿韩元，销售额和营业利润均创单季新高，但同比增幅已收窄。
Lens Technology 通过提出收购 PMG International 控股股权的方案，计划投资 2500 万美元进入 AI 服务器冷却市场，以获得服务器机架制造和液冷技术。该交易尚未完成，属于所提议的收购，文中未说明原因。此举将使公司在现有消费电子和汽车零部件业务之外进一步多元化。
Flip Electronics与Synaptics达成授权分销协议，覆盖嵌入式计算、无线连接和传感元器件。原文未说明协议生效日期、财务条款或原因。该事件来自EE Times Asia的报道，仅为分销网络扩张消息，未涉及具体元器件型号或数量。
10月19日，A股早盘低开低走，三大股指盘中跌幅有所扩大，创业板指、科创50双双跌超2%，AI硬件、半导体等再度集体调整，存储芯片、光模块、电路板等概念股普跌，长鑫科技盘初一度下挫8%。PCB概念盘中持续下挫，天津普林触及跌停，新锐股份、迅捷兴、三孚新科跌超10%；光模块（CPO）指数持续下行，天孚通信、联讯仪器、剑桥科技、胜宏科技、太辰光均跌超6%。AI硬件侧核心标的早盘抛压较大，三环集团、中材科技、天孚通信、鹏鼎控股、胜宏科技、中芯国际、沪电股份、长电科技、生益电子均跌4%左右。盘初上证指数低开0.6%，创业板指跌0.43%；随后创业板一度跌超1%。盘中GPU板块一度拉升，沐曦股份涨近7%，摩尔线程、寒武纪、海光信息同步拉升；存储板块明显收窄跌幅，大普微封住涨停，德明利、君正股份、佰维存储跟进。白酒、银行等板块逆势拉升，顺鑫农业涨停。香港股市因重阳节假期休市；债市方面国债期货全线下跌，截至发稿30年期主力合约跌0.22%、10年期主力合约跌0.04%、5年期主力合约跌0.01%、2年期主力合约涨0.01%。原文未说明原因。
美光正在开发面向人形机器人的内存架构，加入三星电子和SK海力士的行列，共同瞄准必须处理传感器数据同时受电池功耗限制的物理AI系统。三家公司在为机器人和自动驾驶汽车追求内存设计与存储产品。文中未说明具体时间、投资规模或量产时间表，该开发属于进行中/计划中的研发事项，尚无落地或出货的确认信息。
原文指出，AI数据中心投资持续扩张，使全球存储市场在2026年第四季度处于供应不足状态。DRAM与NAND闪存合约价格上涨，提振了对三星电子和SK海力士2027年业绩的预期；但原文同时指出，消费需求疲软以及长期协议（LTA）价格上限将限制价格进一步上涨。
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| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |