意法半导体与CEA-Leti展示3D射频前端集成技术
CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
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- 12 / 100, low impact
CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
Guerrilla RF发布四款针对2.5GHz和3.6GHz频段的¼W InGaP HBT线性功率放大器(GRF5526/GRF5536系列),专为5G基站和汽车应用设计,工作温度范围-40°C至105°C。新品旨在满足5G基础设施对高线性度和宽频带的要求。
此为小众供应商的标准新品发布,对整体射频元件市场的供需和价格几无直接影响。
Guerrilla RF发布两款½W InGaP HBT功率放大器GRF5607和GRF5608,线性功率26dBm,工作温度-40°C至85°C。该产品针对无需数字预失真(DPD)等技术的特定5G基础设施应用。
此为针对利基市场的产品发布,预计短期内不会对主流射频元件的供需格局及交易价格产生直接影响。
比利时研究机构imec在IEDM 2022上首次推出用于预测GaN HEMT和InP HBT器件3D热传输的蒙特卡洛建模框架。该技术旨在优化面向5G/6G通信的射频器件设计,属于长期研发进展。
此为纯技术研究突破,对当前相关电子元件的供应、库存及现货价格无直接影响。
Guerrilla RF推出GRF5521,完成其10款¼W线性功率放大器产品线布局。该系列基于InGaP HBT工艺,专为要求高线性度的5G/4G无线基础设施应用设计。
此为小型厂商常规产品线扩展,对整体射频元件市场供需及价格几无直接影响。
Guerrilla RF推出GRF5526和GRF5536两款1/4W线性功率放大器,适用于无需数字预失真的5G基站应用。这是5G基础设施射频元件市场中一次常规的产品迭代。
新品发布增加了市场可选型号,但未改变射频元件整体的供需格局或价格趋势。
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