三星电子今年向99家韩国中小企业免费转让126项移动、显示及家电技术
据韩国产业通商资源部消息,三星电子今年已将其移动、显示及家电领域的126项技术免费转让给99家中小企业,其中移动技术占转让的大头。该部门于2026年10月19日在首尔良才洞L Tower与三星共同举办了2026年技术分享活动。
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据韩国产业通商资源部消息,三星电子今年已将其移动、显示及家电领域的126项技术免费转让给99家中小企业,其中移动技术占转让的大头。该部门于2026年10月19日在首尔良才洞L Tower与三星共同举办了2026年技术分享活动。
据10月19日在台北举行的一场研讨会上官员和企业界人士的说法,台湾电子厂商正在深化其在墨西哥奇瓦瓦州的布局,动因是美国对AI服务器需求激增。外国投资的步伐受到该州接近美国市场的区位优势推动;与此同时,奇瓦瓦州正寻求从制造基地转型为研发中心。原文未给出具体投资金额、工厂或时间表。
研究显示,韩国、台湾和新加坡的可再生能源瓶颈拖慢了存储芯片厂商的RE100进展。全球三大存储制造商——三星电子、SK海力士和美光科技,以及台湾的南亚科技、华邦电子和旺宏电子,在向可再生能源转型过程中面临重大障碍。
Mouser Electronics于2026年10月19日发布的New Product Insider称,2026年第三季度(7月至9月)其作为授权全球分销商推出了超过5,000个可供出货的新料号。文中列举的季度新品包括:Renesas Electronics的RZ/G3SE系列64位通用微处理器(面向IoT边缘应用,最多四个Arm Cortex-A55核心、主频最高1.2 GHz,含200 MHz Cortex-M33协处理器);Semtech的LR2021EVK2XxS1评估套件(基于LR2021 LoRa Plus RF收发器,支持868MHz、915MHz、2.4GHz、S波段和L波段卫星通信,并提供北美915 MHz、欧洲868 MHz、亚洲490 MHz配置版本,套件含两块LoRa Plus RF板和两块基于Nordic Semiconductor nRF54L SoC的XIAO模块);Infineon Technologies的XENSIV TLx49012磁角度传感器(汽车用TLE49012和工业用TLI49012,支持SPI、ABZ、PWM、UVW接口);以及Banner Engineering的S100系列多点触控显示器。Mouser表示其客户可获得100%经认证、可完全溯源至制造商的正品。原文未说明原因(该报道属产品目录更新性质,无价格或供需变化事件)。
2026年9月,燃油车在中国乘用车市场的销售占比首次跌破三分之一。中国汽车流通协会乘用车市场信息联席分会数据显示,当月国内新能源乘用车零售渗透率升至67%;燃油车零售同比下降43%,其中纯燃油车下降49%,普通混动车型却增长25%。9月全国乘用车市场零售161.8万辆,同比下降28%;新能源乘用车零售同比下降16.7%,两类市场均在收缩但燃油车降幅更大。乘联分会将高油价列为抑制燃油车消费的重要因素,并指出上年同期部分地区补贴退出前的集中购车抬高了比较基数,因此单月降幅既包含需求结构变化也受短期因素影响。10月17日,新华社报道上述份额变化;同日吉利汽车在成都上市星瑞L PLUS,提供i-HEV智擎混动和2.0TD燃油两种动力形式。9月主流合资品牌零售同比下降36%,其新能源零售渗透率为15.9%,与整体市场67%差距较大。特斯拉首席执行官马斯克转发相关数据并评论称,中国对石油的依赖正在快速下降。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系,将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform,具体涵盖37个RECOM CUBO(平台上的可复用电路模块,亦称Digital Datasheets)。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建,分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块,包括RVP001(4个)、RVP003(9个)、RVP003S(1个)、RVP010(6个)、RVP6501(1个)、RVPW011(1个)、RVPW012(1个)、RVPW014(4个)、RVPW015(1个)、RVPW016(1个);其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器(6个:R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2)和RAC AC/DC转换器模块(2个:RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1)。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建,包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出:工程师定义带电压和方向的供电网络后,Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案,设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
沃尔沃汽车宣布扩大与英伟达的合作,为其未来车型开发自动驾驶技术,目标是让车辆能够应对从高速公路、城市交通到泊车的各类场景,并逐步引入eyes-off和mind-off驾驶。该技术将基于英伟达的Hyperion传感器与计算架构,结合Halos操作系统和Alpamayo驾驶软件栈,沃尔沃则贡献其车辆安全系统和工程专业知识。首款采用该技术的车型将是沃尔沃下一代车型,属于该公司所称的有史以来最大规模产品攻势的一部分。两家公司自2017年起开始合作,沃尔沃旗舰SUV EX90目前已在英伟达DRIVE Orin和DRIVE Xavier平台上运行。
摩根大通2026年10月19日发布的韩国股票策略报告指出,韩国综合指数(KOSPI)上周5个交易日累计下跌超15%,为年内第三次触及该阈值,前两次分别发生在3月和7月。该行认为此轮急跌的关键变化是:自8月底以来充当市场最主要边际买家的企业回购正在退场,其中三星电子回购计划已完成,SK海力士回购接近尾声;本轮下跌最初伴随企业回购放缓启动,随后因全球AI情绪波动加速,并在KOSPI跌破200日均线后触发技术性抛售。当前市场呈"卖方主导、买方观望"格局:外资持续卖出AI相关股票,趋势跟随型投资者压缩对韩敞口,散户情绪脆弱构成潜在抛压,杠杆ETF在下跌日放大卖压,长线机构表示需等待波动率回落后才入场。剔除存储板块(剔除三星电子、SK海力士、SK Square、SK Inc及三星物产)后KOSPI前瞻市盈率仅8.4倍,处于历史第11百分位,14日RSI降至光复节以来最低;该板块剔除后EPS预估仍持续上修,工业、金融和医疗领先。摩根大通维持自9月中旬以来的战术谨慎立场至10月底,理由包括加息周期启动、长端利率偏上、日元走强、油价偏高及美国中期选举前季节性疲软;同时维持6至12个月结构性看多。近期催化剂包括存储公司三季报及股东回报方案更新(验证窗口2026年10月31日前)、VKOSPI回落等,完整验证窗口定于2026年11月15日;若外资净卖出扩散至非存储板块或剔除存储后EPS转为下修,看多立场需重新评估。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET,采用8×8 mm双面散热(DSC)PQFN封装,型号为TP65H020G4PLSGBD,目前已向AI数据中心OEM和ODM送样,量产计划于2027年中。据瑞萨称,Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进,实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容(CGS、CGD)和输出电容(Coss);Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode,与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热,当前支持20-mΩ器件,未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装,DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%,高度约1 mm(对比TOLT的2.35 mm,表格中为2.3 mm),热阻抗低9%至10%(0.36 °C/W对比0.4 °C/W),四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中,DSC全负载效率提升0.14%,相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率;测试未使用液冷,下一步将进行液冷测试。DSC 8×8(含650-V GaN)应用于初级侧,每个模块仅承受约400 V,两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器(IBC)。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况,瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件,作为其800-V电源解决方案的一部分。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究,中国DRAM制造商长鑫存储(CXMT)计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能,使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上;到2028年底,其月产能有望进一步跃升至60万片,较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%,2028年进一步提升87.5%,扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施,此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下,长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域,新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场,以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求,且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求,给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容,能否按计划完成尚不确定;分析人士指出若按计划完成扩产,长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
台湾半导体封装设备供应商E&R Engineering Corp.宣布开设其马来西亚子公司E&R Semiconductor (MALAYSIA) SDN. BHD.,以扩大封装材料产能。新厂房目前正在进行样品测试与认证,公司称量产预定于明年年初正式启动。该厂预计创造50个本地就业机会,并加强E&R在东南亚的供应能力,为半导体及OSAT客户提供实时技术支持与供应链灵活性。总裁KS Chen表示,开设马来西亚厂房是其载带业务全球布局的里程碑,为应对东南亚客户需求增长,公司将部分生产重心转移至马来西亚并扩大产能。厂长总经理AK Ong称新设施落成使其能更贴近客户提供实时支持。此为计划中的扩产,量产尚未开始。
据泄露消息(来源为知名爆料者Jaykihn),英特尔正准备推出基于Nova Lake硅片的Xeon E系列处理器,将仅有两种版本:仅大核P-Core或仅能效核E-Core的SKU,不会提供同时包含P-Core与E-Core的混合SKU,混合设计将保留给常规的Nova Lake-S桌面处理器。P-Core only产品线据报将包含5种配置,分别为4、6、8、12和16个P-Core;E-Core产品线稍小,包含4种SKU,分别为4、8、16和32个E-Core;在产品线顶端,买家可在16 P-Core设计与32 E-Core配置之间选择。新Xeon E设计将采用W980芯片组平台,支持原生DDR5 ECC内存、最多48条PCIe通道(其中12条PCIe 5.0与12条PCIe 4.0来自芯片组)、Intel vPro技术;DMI 5.0 x4使DMI芯片组总线带宽达每方向128 Gbps;CPU提供两个40 Gbps的USB4或Thunderbolt 4端口;来自处理器的PCIe 5.0 x16 PEG插槽可借助lane switch分割为x8/x8等组合;两个CPU直连M.2 NVMe插槽均可配置为Gen 5。该消息为泄露信息,属计划中的产品路线图,原文未说明原因,无价格或供应数据。
据市场消息,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),其中基底裸片(BaseDie)采用台积电3nm制程,核心裸片(CoreDie)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面:10月19日,三星电子回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Infineon 在 SEDEX 2026(于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行)上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案,重点是微控制器(MCU)、功率半导体和触觉传感器,并展示了配备 MCU、氮化镓(GaN)功率半导体及功率/位置传感器的驱动板,可驱动最高 1.2 千瓦的电机,尺寸约 66 毫米。
LG将于10月19日开始集团旗下所有子公司的业务审视会议,由LG董事长兼CEO具光谟主持,各子公司CEO及事业部门负责人参加,会议将审视公司2026年业务表现及2027年计划。审视首先从LG电子、LG Display、LG Innotek等电子类子公司开始,随后是LG能源解决方案、LG化学等化学与电池业务,以及LG Uplus、LG CNS等电信与服务类子公司,整个过程将持续约一个月。会议将讨论与Nvidia、Microsoft等全球科技公司的具体业务合作及后续实施计划。LG在2026年加强了与Nvidia在AI工厂、物理AI和移动出行方面的合作,并已同意扩大与Microsoft在AI基础设施方面的合作。LG还将在2026年3月聚焦AX执行、6月聚焦Winning R&D、9月聚焦投资策略细化作为季度讨论主题;9月CEO会议上,具光谟敦促高管“以速度和持续执行确保在AI未来战场取胜”。该举措属于LG整合集团能力的“One LG”战略的一部分,目标是在关键未来AI市场取得成果,而非短期合作。
10月19日A股半导体方向领跌:中证半导(相关ETF:561980)以4.54%的跌幅居首,科创50(相关ETF:588450)跌2.17%,科创创业50(相关ETF:588300)跌1.79%,创业板人工智能(相关ETF:159243)跌0.42%;当日半导体指数跌1.39%,板块内39家上涨、148家下跌,存储与设备链调整最为明显。海外情绪是主要源头:上周五费城半导体指数收跌3.83%、连续第8个交易日下跌,创2008年金融危机以来最长连跌,8个交易日板块市值蒸发近2万亿美元,AI算力服务商CoreWeave信用风险发酵,市场对AI资本开支回报的担忧传导至亚太,SK海力士、三星电子'存储双雄'大跌,韩国KOSPI早盘一度跌超3%。国内方面,长鑫科技三季报预告前三季度归母净利润1310亿至1325亿元、同比扭亏为盈,但三季度单季环比增速降至1%至3.9%,较一二季度的246%、113%明显放缓,市场按环比重新定价,该股早盘一度跌近9%,拖累科创50盘中跌超2%。
Flip Electronics宣布已与Synaptics签署授权分销合作协议。根据该协议,Flip Electronics将分销Synaptics的嵌入式计算、无线连接和传感解决方案产品组合,重点关注面向汽车和IoT市场的老化、停产(EOL)和淘汰器件。Synaptics全球销售与营销高级副总裁Eric Stauffer表示很高兴通过Flip Electronics提供产品;Flip Electronics首席执行官Jason Murphy表示欢迎Synaptics加入其授权合作伙伴产品线。原文未说明原因之外未给出其他背景;协议的执行效果未在文中确认。
三星电子正在开发Exynos 2700,计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用(属于计划,尚未实现);与此同时,华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出,双方的竞争举措正给三星带来压力,促使三星提升应用处理器(AP)性能、制造良率和成本竞争力,以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
10月19日,北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资,由博原资本领投,博世创投、米哈游、兆易创新等跟投,小米战投等老股东持续加注;相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM(阻变存储器)产业化、商业化及新产品LPU(语言处理单元)研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司,出任CEO兼联合创始人,并启动第一代LPU研发,面向大模型推理场景;卢涛表示第一代LPU不采用RRAM,将使用更成熟的存储介质,目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token,该指标为研发目标,尚无实测性能支撑;LPU目前处于研发阶段,未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日,公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息,基于1TnR技术路线(1T4R结构,一个选择晶体管对应四个阻变存储单元),搭配28纳米CMOS工艺,披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒,并集成片上硬件纠错电路;泰山一号已完成流片、正在推进验证,尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模,但未披露客户名称、订单金额或出货量;混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |