GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
10月19日消息，消息人士@金猪升级包 稍早前曝光了AMD尚未推出的锐龙AI 7 HX 455处理器。从规格来看，该型号应该基于"Gorgon Point 1"芯片，保留了完整的16核心GPU，但CPU从完整的12核心24线程降至8核心16线程，此外配备24MB L3高速缓存。消息人士表示，锐龙AI 7 HX 455的兄弟型号是掌机端的锐龙Z2 Extreme，后者的CPU架构是"3x Zen 5, 5x Zen 5c"。该产品尚未正式推出，信息来自爆料，原文未说明原因及发布时间。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
美国与亚洲AI相关资产同步走弱：费城半导体指数（SOX）连续8个交易日下跌，创2008年以来最长连跌纪录，单周跌幅达11.5%，为十多年来最大的单周跌幅之一；韩国KOSPI指数因存储产业链集中度较高、杠杆ETF交易活跃、融资余额高企且空头仓位有限，成为本轮调整的震中，韩国自7月中旬限制杠杆ETF后，KOSPI于10月15日再度熔断。AI云计算基础设施企业CoreWeave股债同步承压，股价单周重挫25%，垃圾级债券收益率升至15%附近，5年期CDS所反映的违约风险显著上升，隐含违约概率超过60%；AI相关高收益债券利差亦较整体高收益债券指数的利差明显走阔。据原文，本轮调整更多源于拥挤仓位集中平仓与信贷市场避险情绪的共振：此前AI交易过度拥挤、主经纪商账簿净敞口处于历史极高水平，加之美国CPI强劲重燃利率担忧、极度超买的技术面触发机械性去杠杆；市场对债务融资建设AI基础设施的信用压力担忧升温，并重新聚焦2027-2028年的资本开支融资问题。原文同时明确，此次回调并非由订单削减或指引走弱所触发，韩国存储芯片盈利及远期EPS预期仍有支撑，半导体远期盈利预测也未同步大幅下修，重估核心是对供给侧利润率可持续性、存储稀缺性溢价及长期竞争格局的重新定价。
IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
快科技10月17日报道，硬件监控工具HWiNFO的预发布更新日志中出现名为Panter Lake-H 080的新条目（Panter为拼写错误），实际指向英特尔尚未正式发布的Arc G系列掌机处理器PTL-080。据爆料人Jaykihn在社交平台X上透露，PTL-080的核心配置编码为0+8+0+4，即没有任何性能核，CPU仅由8个能效核构成，GPU集成4个Xe3核心。作为对比，英特尔已发布的Arc G3与Arc G3 Extreme均采用2个P核、8个E核、4个LPE核的组合（合计14个CPU核心），差异主要在图形单元：G3配备10个Xe3核心，G3 Extreme为12个。PTL-080的GPU核心数大幅缩减，CPU架构也从混合核心调整为纯能效核。此前今年8月，Jaykihn曾披露一套4+0+4+4（4个P核、4个LPE核与4个Xe3核心）的方案，目标功耗区间8W至25W；其后续表示0+8+0+4方案有可能完全取代4+0+4+4，但最终决定尚未敲定。4个Xe3核心意味着PTL-080游戏性能将明显落后于Arc G3系列，定位大概率是更低价的入门级掌机设备。英特尔尚未公布该芯片的主频、功耗限制、正式命名与售价，所有信息仍属第三方爆料，最终方案以官方发布为准。
周五全球股市集体跳水：AI硬件股拖累纳指尾盘大幅跳水、收跌2.15%，费城半导体指数八连跌，为2008年以来最长连跌纪录；存储芯片、光通信概念股领跌，SK海力士、闪迪、西部数据跌超6%，美光科技跌5.63%。据原文，背后压力为AI融资风险与能源驱动的通胀压力：隔夜国际油价飙升3%，10年期美债收益率升破5.1%；总债务超510亿美元的CoreWeave再度暴跌近12%，单周累计跌幅达25%，其债券价格已跌至被视为财务困境的信号水平。据高盛数据，对冲基金连续五个交易日净卖出全球AI股票，自2025年初以来的累计净买入头寸已归零，韩国KOSPI超卖程度创2022年10月以来最极端水平；截至本周四，全球市值最高的20只AI及半导体股票合计蒸发逾1万亿美元。供给与需求担忧方面：Anthropic第三季度营收增速放缓、10月8日OpenAI营收少200亿美元；东芝计划在2027财年内将用于AI数据中心的机械硬盘（HDD）产能提高一倍（属计划，10月2日公布后希捷、西数股价被砸10个点），10月10日长鑫科技4F² DRAM架构研发技术突破引发全球DRAM竞争格局恐生变的担忧。此外，外国社交平台流传一只名为VARA AI的对冲基金可能爆仓的传闻（仅为传闻，连CNBC主持人Jim Cramer也提到），公开资料显示VARA推出仅16个月、管理规模264亿美元、上半年涨幅近200%，前三大重仓为谷歌、亚马逊、英伟达的看涨期权。同时也有人抄底：Cathie Wood旗下ARK Investment Management于10月14日买入CoreWeave 18.87万股（约1468万美元），10月15日增持19.26万股（约1266.7万美元）；黄仁勋表示CoreWeave无需英伟达兜底支持，并称其资本成本实际上正在下降。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
据快科技10月17日消息，博主数码闲聊站公布的数据显示，截至W41周，华为Mate 90系列激活销量约为43.6万台，位居国产旗舰第一名。该系列包含五款机型：Mate 90、Mate 90 Pro、Mate 90 Pro Max、Mate 90 Pro Max典藏版和Mate 90 RS非凡大师。硬件方面，Mate 90标准版搭载麒麟9030芯片，Mate 90 Pro搭载麒麟9035芯片，Mate 90 Pro的12GB内存版本搭载麒麟9050，16GB版本、典藏版及RS版搭载麒麟9050 Pro芯片；麒麟9050 Pro首次采用逻辑折叠技术，不依赖更先进光刻节点。Mate 90系列起售价为5999元。原文未说明该销量数据的进一步原因或影响。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
纳斯达克100指数（NDX）在经历一轮剧烈抛售后，于关键趋势支撑位与100日均线交汇处形成锤形反转K线，多空双方展开决定性博弈；据The Market Ear分析，若守住该区域可能触发强力轧空行情，若跌破则市场或将急速恶化。本周四盘中，半导体行业基金VanEck Semiconductor ETF（SMH）和内存产业基金Roundhill Memory ETF（DRAM）相关标的成交量暴增至近期峰值，两者均录得近期最高单日成交量，随后买盘介入、市场阶段性企稳；全球系统性多空策略一日下跌1.4%，接近四个标准差的极端波动，高盛One-Delta交易台负责人Rich Privorotsky指出多空账簿正在积极压缩总敞口，部分成交量可能反映被动止损平仓。科技股CDS利差走阔与科技股下跌同步发生，VXN逼近9月高点。NDX远期市盈率已回落至约21倍，重回2023年AI行情启动以来的估值低点。Privorotsky对半导体板块短期前景谨慎乐观，并提出做空超大规模云服务商、做多半导体的相对价值交易思路；其同时指出，尽管技术折旧加速，B200、H200、H100乃至老款A100的现货算力租赁价格依然保持强劲，但过多资本追逐电力就绪的算力基础设施，重定价过程远未结束。自9月以来，NDX与美国10年期国债收益率呈现罕见的同向联动。高盛Peter Callahan认为约21倍远期市盈率或已构成四重底技术形态，财报季盈利兑现与否将成为决定市场方向的关键。
IT之家 10 月 16 日援引曝料称，英特尔可能将推出一款 8E + 4Xe 版 "Panther Lake" 锐炫 G 系列掌机处理器，此为未经证实的曝料消息。硬件诊断监控软件 HWiNFO 近日在其版本历史记录页面更新了即将到来的变化，包括“新增 Panter Lake-H 080”及“增强对 Nova Lake-E 和 Razor Lake-S 的支持”（IT之家注："Panter Lake" 应为 "Panther Lake" 的误输入）。消息人士 @jaykihn0 于 10 月 16 日解释称，"Panther Lake-H 080" 是一款采用 0P + 8P + 0LP-E + 4Xe 设计的 "Panther Lake" 处理器，隶属于锐炫 Arc G 系列，其定位显然低于现有的 Arc G3 Extreme 和 Arc G3 标准版。此外，"Nova Lake-E" 指的是面向边缘领域的 "Nova Lake" 处理器，归属 "Xeon E" 产品序列，与 W980 芯片组匹配，其无任何 LP-E 核心，要么仅包含性能 P 核，要么仅包含能效 E 核。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |