2026年OCP全球峰会（10月12日至15日，圣何塞）显示焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施，机架级标准化正扩展至AI工厂系统级协同设计
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
- Impact score
- 0 / 100, low impact
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
快科技10月19日消息，华为畅享100系列正在路上，预计推出畅享100、畅享100 Pro和畅享100 Pro Max三款机型，新机将全系搭载麒麟芯片，支持5A、Wi-Fi 7和星闪技术。据数码博主“看山叔”透露的规格：畅享100 Pro Max配备6.84英寸OLED屏幕，最高亮度8000尼特，512GB版本搭载麒麟8020芯片，128GB和256GB版本采用麒麟8020A芯片，配备5000万像素RYYB主摄、800万像素前置摄像头、8800mAh电池，支持40W有线快充；畅享100 Pro搭载麒麟8020A芯片，采用6.7英寸OLED屏幕，后置5000万像素RYYB摄像头，前置升级至3200万像素，内置6100mAh电池，支持40W快充；标准版畅享100采用麒麟8000S芯片，6.56英寸LCD屏幕，后置1300万像素、前置800万像素摄像头，电池容量同为6100mAh，支持40W快充。华为尚未公布具体发布时间及售价，相关配置仍有待官方确认，原文未说明原因。
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Qualcomm于10月19日宣布，将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会（10月19日至23日，江原道江陵奥林匹克公园）上展示基于车联网（V2X）通信的交通安全技术与服务，并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务，涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术，包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。
微软已早期采用台积电2nm工艺。
三星电子正在开发Exynos 2700，计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用（属于计划，尚未实现）；与此同时，华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出，双方的竞争举措正给三星带来压力，促使三星提升应用处理器（AP）性能、制造良率和成本竞争力，以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
据10月19日消息，奇瑞计划于10月20日在芜湖举办以“Change·改变”为主题的2026奇瑞全球创新大会，届时将发布首个汽车行业垂域大模型，并展示专为物理AI世界模型设计的车规级芯片作为底层硬件。大会期间，墨甲首款消费级家庭陪伴人形机器人“墨宝”计划全球首发并开启全球预订，奇瑞智慧农机产品矩阵也将公开亮相。出行与能源领域方面，原生前装Robotaxi将亮相，奇瑞将全球首发交流V2G技术和快充技术；10月16日，奇瑞与国家电网举行战略签约仪式，正式开启首个车网互联V2G规模化运营场站的建设。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |