SK海力士推迟部分HBM4后段工艺设备订单至明年
SK海力士决定将原订于2026年采购的部分HBM4后段制程(封装与检测)设备订单延后至2027年。原文未说明原因。事件状态为已决定的计划。
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SK海力士决定将原订于2026年采购的部分HBM4后段制程(封装与检测)设备订单延后至2027年。原文未说明原因。事件状态为已决定的计划。
英特尔 Panther Lake 芯片实测显示其 18A 制程 HP 库的 M0 间距为 36nm,GAA 间距为 76nm,且背面供电技术仅用于逻辑芯片。报告指出该制程良率仍在爬坡,且 SRAM 因技术限制暂无法采用背面供电。
此为制程技术细节披露,对当前元器件供应、价格及产能无直接影响。
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