台积电将微通道冷却纳入路线图
台积电将微通道冷却纳入研发路线图，以解决AI芯片功耗激增的问题（5年内6倍）。随着封装功耗从600W增加到4100W，行业正从风冷转向液冷。
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该技术代表了先进封装的长期方向，但制造挑战意味着短期内不会出现供应中断。
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台积电将微通道冷却纳入研发路线图，以解决AI芯片功耗激增的问题（5年内6倍）。随着封装功耗从600W增加到4100W，行业正从风冷转向液冷。
该技术代表了先进封装的长期方向，但制造挑战意味着短期内不会出现供应中断。
三星2024年量产钼字线，美光2025年跟进，SK海力士2026年底推出375层产品，预计2027年钼沉积设备市场超10亿美元。因钨在300层以上堆叠中触及物理极限，钼成为3D NAND制造必选项。
前道设备商，如Lam Research和TEL。
三星zHBM散热降低50%且密度提升10倍，液冷技术在AI芯片中的渗透率预计升至60%。随着3D堆叠加剧散热挑战，行业正加速转向CPO和STCO解决方案。
先进封装与液冷技术需求。
SK海力士开发CTI技术，将176层3D NAND干扰减少30%，保持力提升45%，单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题，公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
技术突破为AI内存扩展铺平了道路，但尚未对现货价格产生直接影响。
SK海力士通过CTI创新技术推动176层3D NAND加速量产。该技术基于IEDM展示的先进架构，旨在提升存储密度。
该技术后续良率表现及量产时间表。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
Solidigm VP Avi Shetty 展望未来技术，包括 PCIe 6.0 SSD 和液冷存储。这是技术路线图讨论，而非供应链冲击。
三星计划2030年左右通过键合技术实现1000层堆栈，SK海力士已量产321层。当前主流产品为200-300层，未来堆栈层数提升将带来PB级容量。
该技术趋势预示未来供应增加，但短期内对现货价格无直接影响。
三星成功研发出900层3D NAND芯片，通过堆叠两个450层串组成。尽管竞争对手目前处于192至321层水平，三星计划今年量产400层技术。
这一技术突破将迫使竞争对手加速追赶，并预示未来存储成本下降和产能提升。
ETH Zurich研究人员发现AMD EPYC平台安全漏洞，可100%成功读取内存。该漏洞利用UEFI和Infinity Fabric配置缺陷，无需物理访问即可绕过SEV-SNP机密计算保护。
AMD服务器芯片需求，云服务商需重新评估EPYC安全性。
铠侠与闪迪在VLSI 2026展示千层以上3D NAND技术路径。此举旨在突破存储密度极限。
技术里程碑，非即时供需影响。
NEO半导体成功验证3D X-DRAM POC，利用3D NAND工艺实现HBM容量提升8倍至1.5TB。该技术旨在解决当前HBM供需紧张及高成本问题。
POC验证成功表明3D NAND基础设施可用于制造下一代DRAM，但商业化落地尚需时日。
三星电子首次在10a（亚10纳米）DRAM工艺上制造出功能正常的芯片，应用了4F²单元和垂直沟道晶体管（VCT）结构。该技术旨在突破DRAM微缩极限，计划于2028年量产。
此为远期研发里程碑，对当前DRAM供应、价格及交易决策无直接影响。
北方华创宣称其刻蚀、薄膜沉积等多类设备可满足DRAM及NAND产线技术需求。公司北京亦庄生产基地产能充足以保障交付。
此为常规企业能力宣示，对存储芯片供需及价格无直接影响。
韩华半导体正在开发W2W混合键合设备以支持前端及先进封装工艺。该设备旨在服务逻辑芯片市场，并计划对标行业龙头EV Group的精度水平。此举标志着韩华在先进封装领域的技术布局，需关注后续量产时间表对供应链格局的影响。
SanDisk计划将下一代堆叠式内存HBF的试产线时间表提前约半年，目标在2026年下半年推出原型，2027年商业化。该技术将复用HBM的材料与设备供应链生态，SK海力士与三星电子也在推进相关标准与专利布局。
/利空/关注: 此为远期技术研发进展，对当前存储芯片的现货供应、价格及短期交易无直接影响。
三星支持的垂直Die研发项目目标HBM I/O密度提升10倍及带宽增长4倍。该项目由KAIST教授主导，通过直立芯片架构突破TSV限制，论文将于2026年6月IEEE会议发表。
影响，属于长期技术趋势，无即时供需变化。
Solidigm宣布其位于Rancho Cordova的研发园区投资已超1亿美元初始目标，新增近100项NAND工具并建成价值超500万美元的NAND实验室。该投资旨在支持其AI数据中心存储产品线的研发。
此为长期研发与设施扩张公告，对组件供应、价格或产能无直接影响。
HBM之父预测AI架构将从GPU中心转向内存中心，并强调HBF为下一代技术。SK海力士与三星电子已展开布局，HBF工程样品预计2027年问世。
/利多/关注: 此为远期技术路线图，对当前HBM/NAND现货供需及价格无直接影响。
Rapidus计划在1nm节点将技术差距缩小至台积电约六个月，目标2026年启动1.4nm开发并于2029年前后量产。台积电1nm风险试产预计2027年底完成，2028年下半年量产。
此为远期研发路线图，对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |