三星展示HBM5样机,HBM4E已出货
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机,并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈,三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
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属于长期技术路线图确认,对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
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- Samsung Electronics, SK hynix
- Impact score
- 10 / 100, low impact