GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
华为Mate 90系列计划提前登场，将搭载基于“韬定律”逻辑折叠技术的新麒麟芯片。该技术由华为半导体业务部总裁何庭波提出，晶体管密度提升53.5%，P核能效提升41%。
新麒麟芯片技术突破对未来供应链需求有潜在影响，但当前现货市场无直接冲击。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
华为Mate90系列定档9月中下旬，首发搭载基于韬定律架构的麒麟2026芯片，等效3nm工艺，晶体管密度提升53.5%。该芯片通过逻辑折叠双层堆叠技术提升能效，旨在解决产能与良率问题，助力华为手机市场回暖。
华为供应链需求，预计将带动存储、射频及屏幕等元器件出货量回升。
SiMa Technologies宣布转型为自研硅片的AI软件公司，推出“一键式”物理AI开发环境。Modalix MLSoC旨在提供比传统GPU方案高10倍的能效。
英特尔在VLSI Symposium上宣布18A-P工艺，将率先用于2027年发布的Xeon 7 'Diamond Rapids'服务器处理器。该工艺在相同性能下功耗降低18%，热性能提升20-40%，并进入风险试产阶段。目前对现货市场影响有限，因产品发布时间在2027年。
华为在ISCAS 2026上透露，麒麟2026芯片采用“逻辑折叠”技术，晶体管密度达238 MTr/mm²，较传统设计提升53.5%，峰值频率达3.1GHz。该芯片计划于今年秋季面世，较现款麒麟9030（2.75GHz）在性能上有显著提升。
该技术突破预示着对先进封装及高性能芯片需求的潜在增长。
STMicroelectronics推出两款100W VIPerGaN高压转换器，分别支持3.5A和4.2A电流限制。该器件集成700V GaN晶体管与QFN封装，专为家电、智能照明及USB-C PD适配器等应用设计，提供高功率密度与能效。
新GaN电源管理芯片上市，利好ST及GaN产业链。
EPC推出基于Gen-7 EPC2366 eGaN晶体管的评估板，简化BLDC电机驱动设计。该工具旨在加速商业、工业及消费类应用开发。对现货价格影响中性。
意法半导体推出两款用于GaN晶体管的专用半桥栅极驱动器STDRIVEG212（220V）和STDRIVEG612（600V），千颗单价1.25美元起。此举旨在解决GaN晶体管相比硅器件更窄的栅极电压耐受性问题。
此为常规产品发布，增加了市场供应，对现有元器件价格及供应无直接影响。
应用材料发布两款用于2纳米以下GAA晶体管生产的沉积系统，已被主要逻辑芯片制造商产线采用。新系统旨在提升金属栅极堆栈和隔离沟槽的沉积精度以改善良率。
/利空/关注: 此为设备技术发布，对当前电子元件现货供应、价格及采购决策无直接影响。
QRT向一家欧洲国防承包商售出其自研射频高温工作寿命测试系统Q-RoLA，实现测试设备首次海外销售。此举标志其从测试服务商向设备供应商的战略转型，旨在切入高壁垒的国防市场。
此为单一公司的业务拓展，对半导体元件供需及价格无直接即时影响。
EPC在APEC 2026上推出采用第七代40V EPC2366 eGaN器件的BLDC电机驱动评估板EPC91121。此为行业技术会议上的常规产品展示。
/利空/关注: 该发布属于技术宣介，对现有商用元件的供应、需求及价格无直接影响。
韩国无晶圆厂ChipsK展示650-700V氮化镓器件在高温下低阻抗优势，计划今年下半年量产。相比竞争对手G和N，该器件在120°C高温下保持稳定，且开关损耗更低。
ChipsK凭借高温稳定性优势切入数据中心电源转换市场，量产预期将加剧GaN市场竞争。
Wolfspeed推出首款商用10kV SiC MOSFET CPM3-10000-0300A，旨在解决电网及工业电源转换的可靠性挑战。该器件具备高效率与快速开关特性，可简化多级拓扑结构并替代IGBT。
高电压SiC技术突破，有望推动工业及电网电源转换效率提升。
意法半导体推出第二代MasterGaN6功率IC，导通电阻140mΩ，千片单价4.14美元起。该产品集成驱动器和保护电路，适用于充电器、适配器等消费与工业电源应用。
常规新品发布，未提及对现有元件供需及价格的直接影响。
AMD下一代Ryzen 10000系列桌面处理器据传将采用台积电N2制程的Zen 6核心，核心数从6到24不等，并延续AM5插槽。此举基于台积电N2技术提升晶体管密度，以实现单CCD最高12核心的设计。
/利多/关注: 中性，此为远期产品路线图，对现有供应链、库存及现货价格无直接影响。
EPC公司已开始量产首款第七代eGaN功率晶体管EPC2366。该器件属于EPC最新的eGaN家族，旨在提升功率转换效率。
新世代产品发布通常预示技术迭代，短期内对现货市场供需影响有限。
三菱电机将于1月21日开始提供四款新型沟槽SiC MOSFET裸片的样品。新产品旨在用于电动汽车牵引逆变器、车载充电器和太阳能等可再生能源系统的电源设备。
/利多/关注: 中性，此为常规工程样品发布，对现有元件的供应、需求及价格无直接影响。
英飞凌CoolGaN晶体管与XDP数字控制器获安克160W Prime充电器采用。此次合作基于双方在快充领域的持续开发，旨在实现高功率密度与小型化。
此为具体产品设计中标，显示英飞凌GaN产品需求稳定，但未对相关元件的整体供需或价格产生直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |