Bourns发布SRP系列新屏蔽功率电感
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构，专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
中性
新系列现已上市，主要针对汽车和DC-DC转换器市场，对现有库存价格无直接影响。
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构，专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
新系列现已上市，主要针对汽车和DC-DC转换器市场，对现有库存价格无直接影响。
UMC与SILITH宣布完成首批硅光子IC晶圆量产交付。该合作结合了SILITH的1.6T平台与UMC的12英寸产线，服务于AI数据中心光互连。
产能扩张与量产准备就绪，暂无供需缺口信号。
Hyperion发布航空航天工具指南，推荐AM10F硬质合金及PCD/PCBN材料。该指南针对钛合金、HRSA等难加工材料提供选材建议。
无直接供需或价格变动，属技术背景信息。
Scintil Photonics宣布LEAF Light光引擎进入量产，并获NVIDIA投资。公司利用Tower Semiconductor的硅光产线解决AI算力网络瓶颈。
AI光模块需求增长，硅光产业链产能扩张预期增强。
京瓷AVX发布新款48V汽车级多层压敏电阻。新品支持-55°C至175°C宽温运行，并通过VDA-320认证。
新品上市增加市场供应，短期内对现货价格无显著影响。
村田启动MRMS166R及MRMS168R磁阻传感器量产，平均功耗仅20nA至80nA。该产品专为可穿戴及医疗设备设计，旨在延长电池寿命。
新品量产，但市场供应增加，对现有组件价格影响中性。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
应用材料发布两款用于2纳米以下GAA晶体管生产的沉积系统，已被主要逻辑芯片制造商产线采用。新系统旨在提升金属栅极堆栈和隔离沟槽的沉积精度以改善良率。
/利空/关注: 此为设备技术发布，对当前电子元件现货供应、价格及采购决策无直接影响。
三星通过低温焊料解决翘曲问题，量产进度领先。该模块专为NVIDIA Vera Rubin设计，三星预计供应量占需求50%。
三星及SOCAMM2供应链。
Bourns推出SRP2008DP系列屏蔽功率电感，尺寸为2.0x1.6x0.8mm，饱和电流最高达5.5A。新品针对便携设备、IoT模块等高密度电源设计需求。
属常规产品迭代，对现有元件供需及价格无直接影响。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列，声称功率密度达240 W/in³，旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场，迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
Novel Crystal Technology开始出货150mm氧化镓晶圆样品，目标2029年量产。这是下一代宽禁带半导体材料的长期研发里程碑。
对当前交易无直接影响，属于多年期发展规划。
三菱电机将于1月21日开始提供四款新型沟槽SiC MOSFET裸片的样品。新产品旨在用于电动汽车牵引逆变器、车载充电器和太阳能等可再生能源系统的电源设备。
/利多/关注: 中性，此为常规工程样品发布，对现有元件的供应、需求及价格无直接影响。
安森美推出首款基于1200V SiC MOSFET的SPM 31系列智能功率模块，宣称其能效与功率密度优于场截止7型IGBT方案。该产品发布属于公司常规技术迭代与市场拓展。
新品发布可能影响长期需求结构，但对当前现货市场价格及供应无直接冲击。
三菱电机将于11月14日开始为xEV逆变器提供新款SiC MOSFET裸片样品。此举旨在进入由英飞凌、意法半导体主导的汽车功率半导体市场。
此为常规新品送样，对现有元件供需及价格无直接影响。
三菱电机开始出货额定电流为400A和200A的3.3kV嵌入式SBD碳化硅MOSFET模块。此举旨在扩展其高压碳化硅产品组合，满足工业和可再生能源应用需求。
此次新品发布属于常规产品线更新，对当前碳化硅市场的整体供应、需求及现货价格无直接可量化的即时影响。
三菱电机宣布推出六款用于电动汽车逆变器的J3系列功率模块新品，将于3月25日开始提供样品。此举旨在扩大其在快速增长的新能源汽车市场的产品组合。
此次为标准新品发布，对现有功率半导体的供应、需求及价格无直接影响。
三菱电机发布新型SBD嵌入式SiC-MOSFET结构，并于5月31日开始出货3.3kV全SiC功率模块样品。该技术旨在用于铁路牵引和直流输电系统，以实现设备小型化和更高能效。
此为研发里程碑，对现有功率半导体组件的短期供应、需求和价格无直接影响。
三菱电机将于5月31日开始出货新款3.3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块样品。此举是其继发布四款全SiC模块及两款3.3kV高压双型模块后的产品线扩充。
该事件为特定高压功率模块的常规样品发布，对当前主流交易元件的供应、需求及价格无直接影响。
东芝电子元件及存储株式会社推出第三代TWxxNxxxC系列SiC MOSFET，宣称具备更低导通电阻和开关损耗。此次发布属于常规产品迭代，旨在提升其在功率半导体市场的竞争力。
新品发布未改变现有元件供需格局，对现货市场价格无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |