NuAxi半导体贸易情报
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三菱电机推出新型SBD-SiC-MOSFET，样品已出货
三菱电机发布新型SBD嵌入式SiC-MOSFET结构，并于5月31日开始出货3.3kV全SiC功率模块样品。该技术旨在用于铁路牵引和直流输电系统，以实现设备小型化和更高能效。中性：此为研发里程碑，对现有功率半导体组件的短期供应、需求和价格无直接影响。
SiC-MOSFETSiC Power Module
new-productSiCpower-semiconductor
来源：Semiconductor Today · 2023/6/8 · 查看原始来源
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