Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
- Related manufacturers
- Toshiba, Vishay, Skyworks
- Part numbers
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- Impact score
- 25 / 100, low impact