Marvell推Structera X 3406，支持9TB DDR5
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
利多
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
华为Mate 90系列四款机型（标准版、Pro、Pro Max及RS版）已公布详细SKU配置，涵盖12+256GB至16+1TB多种存储档位。此次发布明确了高端旗舰机型的具体硬件需求，特别是对大容量存储和旗舰SoC的配置要求。
该机型发布将直接拉动高端DRAM与NAND Flash的出货需求，需密切跟踪供应链备货情况。
DapuStor发布J5060企业级SSD，通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题，但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
vivo X500起售价上涨1100元，主因存储成本压力。新一代旗舰集中发布，厂商通过涨价抢占换机预算。
存储芯片与图像传感器需求，预计相关元件现货价将维持坚挺。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
Marvell推出Bravera SC6 NVMe控制器，采用6代NANDEdge技术，性能翻倍。该产品专为HPC高性能计算工作负载设计，配备低密度奇偶校验纠错引擎。
Marvell高端控制器业务，但短期对现货价格影响中性。
紫光闪存发布E5300 PCIe Gen5 SSD，采用国产主控与SK海力士3D eTLC NAND，顺序性能达14GB/s。该产品覆盖30.72TB大容量，适配多平台环境，体现国产存储技术突破。
新产品发布，短期供需无显著影响，属于技术趋势观察。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
Lexar推出Thor Ultra系列PCIe 5.0 NVMe SSD，最高读取速度达11GB/s，容量覆盖512GB至4TB。该产品采用6nm控制器及HBM技术，定价与供货情况尚未公布。
新品发布对现有库存无直接影响，市场观望。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
大普微在FMS 2026峰会上展示了512TB级EDSFF E2外形规格的PCIe Gen5 QLC NVMe SSD。该产品基于自研DP800控制器和3D eQLC NAND，此前最大容量为256TB。
新产品发布通常对现有256TB级库存造成短期压力，但无直接现货价影响。
三星在FMS 2026展示面向AI基础设施的新一代3D内存产品，涵盖DRAM、NAND和企业存储。该技术旨在提升性能与能效。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍，密度为10倍以上，预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈，与SK海力士的HBF形成竞争。
铠侠宣布推出基于XL-FLASH的CXL内存扩展模块XL1，计划本月向合作伙伴出样。该模块利用SCM技术降低延迟并提升可靠性，旨在弥合DRAM与SSD在性能成本间的差距。
NAND Flash技术路线，中性影响短期现货价格。
Nextorage推出面向PS5的NEM-PAD SSD，1TB售价2089元。该产品基于TLC 3D NAND与NVMe 2.0规范，配备散热器。
仅提供定价参考，无明确供需信号。
横河电机发布WT1500精密功率分析仪，支持高达2000V DC输入。该设备专为电动汽车和可再生能源设备的开发与性能评估而设计。
有助于提升高压系统测试效率，但属于测试仪器新品，对半导体芯片供需无直接影响。
茂莱科技宣布试产CXL 3.2 MXC芯片，支持最高8000 MT/s DDR5。该芯片面向AI、云计算及数据中心，旨在突破传统服务器内存容量限制。
新控制器芯片试产标志着高端内存扩展技术进入量产准备阶段，利好DDR5及CXL产业链。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |