GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
Lattice半导体推出Mach-N2 FPGA系列，集成闪存与后量子密码学功能，今日可下单。该系列面向长期基础设施项目，满足CNSA 2.0合规及系统控制与安全需求。
新产品发布虽具技术前瞻性，但短期内对现货价格影响中性。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
苹果今日开启iPhone 18 Pro与Pro Max全球预购，起售价1099美元，全系标配256GB起步存储。受2纳米A20 Pro芯片及AI功能驱动，热门配置预订火爆，预计交付延迟数周。
高端智能手机对存储芯片与先进制程晶圆的需求。
NVIDIA据称将RTX 5070的芯片从GB205切换至更大的GB203。GB203面积达378mm²，需禁用43%核心以匹配12GB GDDR7规格。
此举旨在良率管理，预计性能与价格均无变化。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术，TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算，旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革，短期对现有存储芯片供需无实质影响。
华为9月7日发布Mate XT 2，全系搭载麒麟9050 Pro芯片，整机性能较前代提升42%。该芯片采用独创“韬定律”逻辑折叠架构，通过内部立体分层结构实现性能与能效突破。
华为全栈自研体系完善，有望带动国产半导体产业链升级，但短期对通用芯片现货价格影响中性。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
华为Mate 90系列计划提前登场，将搭载基于“韬定律”逻辑折叠技术的新麒麟芯片。该技术由华为半导体业务部总裁何庭波提出，晶体管密度提升53.5%，P核能效提升41%。
新麒麟芯片技术突破对未来供应链需求有潜在影响，但当前现货市场无直接冲击。
Mouser Electronics正在分销Nordic Semiconductor的最新连接方案，涵盖nRF54L、nRF54LM20及nRF9151系列开发套件。这些方案支持BLE、Mesh、Matter及LTE-M/NB-IoT协议，其中nRF54LM20B集成了NPU以加速边缘AI应用。
新方案发布主要影响未来市场需求，对当前现货价格无直接冲击。
华擎推出B550M Pro-A WiFi 6E并增加AM4主板产量，受内存价格驱动。
产能扩张或加剧DDR4主板供应过剩。
英特尔推出Crescent Island离散GPU，配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化，通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存（LPDDR5X）及AI加速器的需求。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存，AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案，该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求，潜在利空HBM份额。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Vishay发布高功率厚膜电阻及Y1 SMD陶瓷圆片安全电容。该新品旨在为紧凑型功率模块节省空间并减少EMI滤波器占用。此为新产品发布，对当前现货价格无直接影响。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |