ST推出L4983 PFC控制器,峰值效率97.4%
ST推出L4983 PFC控制器,针对kW级电源设计,评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式,旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布,对当前现货价格及供应链无直接影响。
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- L4983L4983AEVL4983-350W
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ST推出L4983 PFC控制器,针对kW级电源设计,评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式,旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布,对当前现货价格及供应链无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
QRT向一家欧洲国防承包商售出其自研射频高温工作寿命测试系统Q-RoLA,实现测试设备首次海外销售。此举标志其从测试服务商向设备供应商的战略转型,旨在切入高壁垒的国防市场。
此为单一公司的业务拓展,对半导体元件供需及价格无直接即时影响。
剑桥GaN器件公司(CGD)发布其Combo ICeGaN技术,将GaN HEMT IC与IGBT并联集成于同一模块,瞄准价值超100亿美元的100kW以上电动汽车动力总成市场。该方案旨在作为碳化硅(SiC)模块的高性价比替代品。
此为技术产品发布,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
ROHM推出GNP2070TD-Z型号650V GaN HEMT,采用TOLL封装并由中国山东ATX半导体代工。该产品面向工业设备和汽车系统等高功率应用场景。
此次新品发布属于常规市场行为,未提及产能、短缺或价格变动,对当前交易无直接方向性影响。
Guerrilla RF正式发布首批GaN-on-SiC HEMT功率放大器裸片GRF0020D和GRF0030D。此举标志着该公司产品线向高性能射频领域扩展。
此次新品发布属于技术迭代,对当前射频元件市场供需及价格无直接影响。
VisIC在PCIM欧洲展推出新款650V/6mΩ和650V/5mΩ GaN HEMT功率器件及大电流功率模块。新品主要面向电动汽车、AI数据中心及可再生能源应用。
此次为常规新品发布,未提及产能、供应或价格变动,对现有元件交易无直接冲击。
Nexperia推出采用紧凑型CCPAK封装的GaN FET器件,面向工业和可再生能源应用。这是该公司对其现有GaN HEMT技术推出的新表面贴装封装选项。
此次产品发布为常规市场行为,未对GaN元器件的整体供应、需求或交易价格产生直接影响。
Gallium Semiconductor推出GTH2e-2425300P,一款用于ISM频段的2.4-2.5GHz 300W GaN-on-SiC分立晶体管。该产品针对工业与医疗市场,属于公司常规产品线更新。
此次新品发布为市场正常迭代,未提及产能、供应或成本变化,对现有射频元件交易无直接影响。
意法半导体已开始对其增强型PowerGaN HEMT器件进行批量生产。此举旨在满足充电器、工业电源和汽车电气化等领域对高效功率转换日益增长的需求。
新产品上市增加了GaN元件供应,但对现有市场供需格局及现货价格暂无直接冲击。
剑桥GaN器件公司推出应用接口板,旨在帮助工程师在其现有设计中评估ICeGaN HEMT。此举为市场推广行为,意在争夺硅基MOSFET及其他GaN竞品的市场份额。
此为常规产品推广,未直接引发供应链变动或价格影响。
无晶圆厂公司剑桥氮化镓器件推出第二代650V ICeGaN HEMT系列。这是该公司对其现有氮化镓功率晶体管产品线的常规迭代更新。
此次新品发布未涉及产能、短缺或价格变动,对当前交易供需格局无直接影响。
英飞凌宣布将完整的600V CoolGaN GIT HEMT产品组合推向更广泛的市场,其HD-GIT技术已实现内部制造集成。此举旨在扩大其在氮化镓功率半导体市场的产品覆盖。
此次为标准产品线扩展,未提及产能、短缺或具体订单变化,对现货交易价格无直接方向性影响。
剑桥GaN器件公司在PCIM欧洲展发布新一代ICeGaN HEMT系列,强调易用性与耐用性。此举标志该公司正从初创阶段向规模化阶段过渡。
此为常规新品发布与技术展示,未提供影响GaN功率器件供需或价格的直接数据与事件。
三菱电机新增两款用于12.75-13.25GHz频段的70W GaN HEMT产品,已于2023年1月15日上市。此举旨在提升卫星通信地面站的数据传输容量并缩小其体积。
此次产品线常规扩展,对GaN元件整体供需及现货价格无直接影响。
剑桥GaN器件公司宣布其650V IceGaN HEMT功率解决方案已可供大批量出货。该公司称其为业界首个易用且可扩展的650V GaN HEMT系列,旨在打造更坚固的平台。
此次新品上市仅为市场增加一家GaN供应商,未对现有元件的供需或价格产生直接影响。
英诺赛科推出三款650V GaN HEMT新品,导通电阻分别为190mΩ、350mΩ和600mΩ,采用标准DFN封装。此举完善了其增强型氮化镓功率晶体管产品组合,覆盖更广泛的电源应用需求。
此次产品线常规扩充增加了市场供应选项,但未对现有供需格局或价格产生直接影响。
罗姆开始量产GNE10xxTB系列150V GaN HEMT,其栅极耐受电压达到业界领先的8V。该产品主要面向基站、数据中心及物联网设备的电源电路应用。
此次新品发布属于常规技术迭代,未对现有功率半导体元件的供应、需求或价格产生直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |