NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
英诺赛科扩充650V GaN HEMT产品组合
英诺赛科推出三款650V GaN HEMT新品，导通电阻分别为190mΩ、350mΩ和600mΩ，采用标准DFN封装。此举完善了其增强型氮化镓功率晶体管产品组合，覆盖更广泛的电源应用需求。中性：此次产品线常规扩充增加了市场供应选项，但未对现有供需格局或价格产生直接影响。
GaN HEMTPower Transistors
product-portfolio650V
来源：Semiconductor Today · 2022/10/24 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生