SK海力士在HPED 2026展示12层36GB及16层48GB HBM4，以及12层36GB HBM3e，重申与HPE的合作伙伴关系。
新规格确认AI服务器内存需求强劲，强化全栈AI内存供应商地位。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品，单引脚速率达16Gbps，能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺，热阻降低17%，确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度，强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
SK海力士开始供应HBM4E 12层堆叠样品，引脚速率最高达16Gbps。该产品面向AI训练，较上一代HBM4在能效上提升20%以上。
新一代HBM的推出预示着AI算力需求持续旺盛，未来供应紧张预期加剧。
SK海力士已向核心客户交付12层新一代HBM4E芯片样品。此举标志着HBM技术向下一代演进，旨在满足AI算力需求。
关注后续量产进度及产能规划，短期现货价格影响有限。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
三星电子开始向全球合作伙伴交付全球首款12层HBM4E样品，性能较HBM4提升20%，容量增加30%。该产品采用先进低功耗设计，计划随客户时间表进入量产，竞争对手SK海力士也在加速HBM4E研发。
尽管供应端出现新进展，但AI算力需求强劲，HBM4E的量产节奏对缓解当前缺货状况至关重要。
SK海力士计划2027年量产HBM4E并将于今年下半年提供样品，同时启动192GB SOCAMM2量产。公司利用成熟的1c DRAM工艺提升竞争力，LPDDR6性能提升33%且功耗降低20%以上。
（供应增加）。
三星在GTC 2026展示Groq-3晶圆并确认量产，展位访客超1500人。黄仁勋确认三星为代工厂，展示HBM4/HBM4E及SSD产品。
三星HBM4及SSD供应链地位稳固，但暂无具体价格变动数据。
英伟达展示其配备1TB HBM4E内存的Rubin Ultra数据中心GPU托盘，计划于2027年推出。该平台将采用新的Kyber机架设计，集成144个GPU封装并默认使用液冷。
该路线图可能影响远期HBM及先进封装需求，但对当前供应链及现货价格无直接影响。
三星电子在英伟达GTC 2026大会上首次公开展示HBM4E样品，预计单引脚速度16Gbps，带宽4.0TB/s。此举旨在巩固其作为英伟达AI平台（如Vera Rubin）核心内存及代工合作伙伴的地位。
此为2026年技术路线图展示，对当前HBM现货供应、价格及库存决策无直接影响。
三星电子将在2026年Nvidia GTC大会上展示其HBM4E内存及涵盖逻辑、代工、先进封装的完整AI解决方案。此举旨在强化与Nvidia的合作伙伴关系，并展示其在AI基础设施领域的长期技术布局。
/利多/关注: 中性。此为未来技术路线图展示，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
三星电子宣布其HBM4内存已投入量产，速度最高可达13 Gbps，适配英伟达Vera Rubin平台。该产品在NVIDIA GTC 2026大会上展示。
此为既定产品发布，对当前现货交易及供应无直接、即时影响。
三星电子确认代工NVIDIA的Groq 3 LPU，该芯片将集成至Vera Rubin平台；美光已开始为Rubin量产36GB HBM4，并已向客户送样48GB版本。背景是NVIDIA在GTC 2026上明确了其下一代AI平台的关键供应链伙伴与组件规格。
此为既定产品路线与生产确认，明确了供应链格局，但对现货市场无直接价格影响。
三星计划在下一代HBM4E内存的基底芯片上采用其2nm工艺，以提升散热与能效。此举旨在巩固其HBM市场地位，对标使用台积电12nm工艺的SK海力士，后者计划在定制版HBM4E中升级至3nm。
此为远期技术路线图，对当前HBM现货供应、价格及短期交易无直接影响。
Rambus发布HBM4E内存控制器IP，支持每引脚16 Gbps速率，单设备带宽达4.1 TB/s。该IP旨在为下一代AI加速器提供高达32 TB/s的总内存带宽。
此为技术研发进展，对当前HBM现货供应、价格及交易决策无直接影响。
Rambus发布新款HBM4E内存控制器IP，宣称每引脚速率达16 Gbps。该产品旨在满足下一代AI加速器与GPU对内存带宽的需求。
此为技术路线图发布，对当前组件供应、价格或生产无直接影响。
英伟达GTC 2026预计将讨论其基于台积电A16节点的未来Feynman架构，并展示三星与SK海力士的HBM4。Feynman芯片计划于2028年推出，HBM4已开始为Vera Rubin平台量产。
此为远期技术路线图，对当前供应链及价格无直接影响。
三星电子已开始出货其12层堆叠、容量36GB、速度最高13Gbps的HBM4内存，性能较HBM3E提升显著。此举源于三星响应客户对超JEDEC标准性能的要求，并应用了10nm DRAM和4nm基片等先进工艺。
该产品发布为技术里程碑，确认了三星的研发进度，但作为计划内的新品上市，对当前HBM现货市场的供需格局暂无直接冲击。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |