三星HBM4E将采用2nm基底芯片

三星计划在下一代HBM4E内存的基底芯片上采用其2nm工艺，以提升散热与能效。此举旨在巩固其HBM市场地位，对标使用台积电12nm工艺的SK海力士，后者计划在定制版HBM4E中升级至3nm。中性：此为远期技术路线图，对当前HBM现货供应、价格及短期交易无直接影响。

来源：快科技 · 2026/3/15 · 查看原始来源