Rambus推出LPDDR6 PMIC，优化AI服务器功耗
Rambus推出专为LPDDR6 SOCAMM2设计的PMIC，旨在提升AI基础设施能效。该产品基于与客户及生态合作伙伴的技术合作开发，顺应了AI训练与推理对高能效内存解决方案的需求。
利多
LPDDR6及服务器内存模块市场，但短期供应无实质性变化。
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Rambus推出专为LPDDR6 SOCAMM2设计的PMIC，旨在提升AI基础设施能效。该产品基于与客户及生态合作伙伴的技术合作开发，顺应了AI训练与推理对高能效内存解决方案的需求。
LPDDR6及服务器内存模块市场，但短期供应无实质性变化。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
JAC Motors推出搭载100.46kWh LFP电池的N90 EV卡车，支持100kW直流快充。该车型针对城市物流场景设计。
电动卡车普及将推升动力电池需求。
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件，瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
Arm发布面向代理AI的新平台，宣称AI性能提升1.7倍且单线程性能提升15%。该平台旨在为边缘和云端提供统一架构以支持AI代理。
（技术规格发布，无直接价格/供应影响）。
创见推出64GB DDR5嵌入式模块，专为边缘AI和工业自动化设计。该产品采用双通道架构和1.1V低电压，集成CKD和PMIC提升稳定性。
嵌入式DDR5市场扩容，利好高性能工业计算需求。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
大众安徽与众 08 猎影版 SUV 上市，搭载高通 SA8295P 芯片及双图灵芯片。新车基于 800V 平台，配备 95kWh 电池，支持 0 速激活 NOA。
新车上市增加对高通座舱芯片及高性能计算芯片的需求。
英飞凌推出OPTIREG TLE9744QK PMIC，集成电源供应、解析器激励及安全监控功能。该器件专为电动汽车高压牵引逆变器系统设计，旨在减少逆变器ECU的外部元件数量。
新产品发布，对当前供需无直接影响。
大众与众08猎影版将于9月12日上市，标配双图灵芯片，总算力达1500TOPS。该车基于800V平台打造，搭载宁德时代电池，定位中大型纯电SUV。
高算力车载芯片需求，但新车上市对现货价格影响中性。
Mouser Electronics正在分销Nordic Semiconductor的最新连接方案，涵盖nRF54L、nRF54LM20及nRF9151系列开发套件。这些方案支持BLE、Mesh、Matter及LTE-M/NB-IoT协议，其中nRF54LM20B集成了NPU以加速边缘AI应用。
新方案发布主要影响未来市场需求，对当前现货价格无直接冲击。
联想发布ThinkTab 11S平板，搭载天玑6300芯片，首发价1899元。该机配备8GB内存、128GB存储及7040mAh电池，主打商务办公场景。
刺激天玑6300、LPDDR4X及UFS 2.2芯片需求。
中科曙光将在数博会发布新一代词元加速方案，优化存储参与推理管理。此前报告显示其在AI等四大行业市场份额第一。
新技术趋势，暂无现货价格或供应变动。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Transcend推出全系列DDR5-7200嵌入式DRAM模组，涵盖CUDIMM、CSODIMM及ECC类型，面向AI PC与数据中心等高性能场景。
DDR5高端市场需求信号，但单一厂商扩产对现货价格影响有限。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |