GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
阿里云T-Head发布Zhenwu V900 AI芯片计划于1Q27量产，同步推出Yitian 720/730服务器CPU，构建全栈自研数据中心芯片。此举旨在降低外部依赖，长期利好代工与封测产能。对当前现货市场影响中性。
苹果发布M6（2nm）及M5 Ultra芯片，Mac mini涨价100美元。M6的发布验证了台积电N2工艺的量产成熟度，台积电及富士康将受益。
台积电2nm产能验证及富士康组装业务，利空Mac mini终端售价。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Stackpole扩展CSSU系列高功率金属合金电流检测电阻，新增0.5 mΩ和20 mΩ规格。该系列具备低电阻、低TCR及AEC-Q200认证，适用于电池管理、汽车电子及工业电源等高电流场景。
（中性）：无短缺或价格变动，仅产品线扩充。
Kioxia于7月3日开始1Tb TLC BiCS 10 NAND样品出货，计划2027年量产。该产品采用332层堆叠与CBA技术，传输速度达4.8Gb/s。
新世代技术发布预示未来产能扩张，短期现货价格影响有限。
塔塔汽车计划2031财年新增4款电动车，年销目标35万至40万辆，产能提升至130万辆。公司通过产品迭代与工厂扩建支撑销量翻倍，并投入巨额资本支出。
该计划预示着对汽车半导体（尤其是电动车芯片）的强劲需求，尽管产能有所提升。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品，单引脚速率达16Gbps，能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺，热阻降低17%，确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度，强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
NVIDIA计划8月起向中国客户开放Vera CPU销售，单一大客户已预订超300台服务器。针对H200出货受阻，且全球AI推理需求激增导致Intel和AMD服务器CPU供应紧张。
NVIDIA CPU业务及SK海力士、台积电等供应链，有望抢占受限市场。
Vishay扩展ILHB车规磁珠系列，电流提升至6A。该产品涵盖0402至1206尺寸，满足汽车及工业领域需求。
无直接价格影响。
Direct Insight推出搭载NXP i.MX 91的QS91 SoM，尺寸为27x27mm。该产品面向Linux IoT市场，旨在提供比i.MX 93更经济的入门级解决方案。
新品发布暂无明确的供需或价格变动信号。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
英伟达联手联发科推出RTX Spark PC处理器，采用台积电3nm工艺。该产品将于今年秋季上市，配备128GB统一内存。
台积电3nm产能需求预期提升，传统PC CPU市场格局或生变。
TDK、微芯及意法半导体推出面向AI数据中心与机器人的新型功率模块与GaN器件。英飞凌启动Si、SiC与GaN异构集成项目，意法半导体与Vishay发布高隔离光耦，旨在提升能效。
新产品发布预示AI与EV领域功率器件需求增长，但短期内对现货价格影响中性。
Microchip推出dsPIC33CK Value Line系列DSC，提供100MHz处理与12位ADC。该系列针对成本敏感型实时控制应用，兼容AEC-Q100 Grade 1。
新产品发布，主要影响设计选型而非现货价格。
三星电子开始向全球合作伙伴交付全球首款12层HBM4E样品，性能较HBM4提升20%，容量增加30%。该产品采用先进低功耗设计，计划随客户时间表进入量产，竞争对手SK海力士也在加速HBM4E研发。
尽管供应端出现新进展，但AI算力需求强劲，HBM4E的量产节奏对缓解当前缺货状况至关重要。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |