NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Thu, Oct 22

6 items

23:30Impact score 50
韩国LX Semicon出售逾60项SiC专利，预期售价低于10亿韩元，正式退出碳化硅市场
韩国芯片厂商LX Semicon宣布出售其碳化硅（SiC）相关专利，标志着其正式退出SiC市场。据披露信息，公司正在出售超过60项专利组合，涵盖SiC功率半导体器件和外延晶圆，预期售价低于10亿韩元；专利涉及SiC MOSFET技术（包括平面型和沟槽栅结构、终端及栅极焊盘设计）以及外延晶圆技术，组合覆盖韩国、美国、中国大陆、欧洲、日本和台湾地区，部分专利有效期至2045年。专利正出售给一家韩国功率半导体公司，具体交易细节尚未披露。原因方面：行业观察人士指出，电动汽车需求停滞拖累SiC市场增长，削弱了相关业务的近期回报预期；自Lee Yoon-tae于2023年末出任CEO以来，公司转向核心业务并通过资产处置精简运营，且已于2024年缩减其SiC研发团队；财务压力也加剧了这一决定，公司营收连续三年下滑，从2022年的2.1193万亿韩元降至2025年的1.6391万亿韩元，2026年上半年营收同比下降7.6%，营业利润骤降39%，而显示驱动IC（DDI）仍占公司总营收的86%以上。此次出售是LX Semicon退出SiC的最后一步，公司此前已清算与日本Sanken Electric的功率器件合资企业。
SiC power semiconductor devices SiC epitaxial wafers SiC MOSFETLX Semicon
23:00Impact score 30
纳微推出面向电网基础设施的2300 V碳化硅功率模块
纳微半导体推出G4H08MT23GB4系列2300 V碳化硅(SiC)全桥功率模块，面向能源转换与电网基础设施，基于行业标准SiCPAK™封装形式，导通电阻(RDS(on))为8 mΩ，采用纳微第四代GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP)技术。该系列扩展了纳微包含2300 V和3300 V器件的超高压SiC产品组合，目标应用包括固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器、兆瓦级EV充电基础设施和高压DC-DC转换。模块采用氮化铝(AlN)活性金属钎焊(AMB)基板以改善散热并提供超过5 kV的电气隔离，环氧树脂灌封可减少内部机械应力并限制湿气和污染物侵入，据纳微称其导热性是硅凝胶的十倍；大电流压接引脚每引脚载流能力是标准压接连接的两倍，并可选预涂导热界面材料(TIM)。该系列计划按纳微AEC-Plus可靠性基准进行资格认证(该基准超出AEC-Q101和JEDEC要求)；G4H08MT23GB4(HC)系列样品(含大电流变体和预涂TIM选项)现已可提供，工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统。原文未说明价格或供货量产时间表。
2300 V silicon carbide (SiC) full-bridge power modulesNavitas Semiconductor
17:39Impact score 30
美光总裁Scott DeBoer称4F² DRAM架构不存在可行微缩路径，美光将跳过4F²坚持6F²并全力转向3D DRAM，直接回应长鑫2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM的计划
快科技10月22日报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上表示，经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度优势被指为'有点神话'，并暗示长鑫正在实施的4F² DRAM技术是死路一条。美光将跳过4F²，坚持6F²并全力转向3D DRAM，将3D1、3D2两代3D DRAM写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直HBM。该表态直接回应长鑫存储本月早些时候宣布的计划：2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存；该消息曾引发全球存储股集体重挫，SK海力士单日暴跌超10%，三星跌超7%。美光认为密度瓶颈在电容间距而非单元架构，且4F²需引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难，为缩小30%面积而多付50%制造成本商业逻辑不成立。报道称长鑫押注4F²的原因在设备约束：因无法获得EUV光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死，4F²是在DUV条件下继续推进制程的少数工程选项。行业路线已分裂：三星采取中间策略，计划2027年完成1d nm节点6F²量产、2028年底前再导入4F²；SK海力士同样在评估两条路线。原文未说明原因之外无其他影响。
4F² DRAM 6F² DRAM 3D DRAM美光, 长鑫存储 and 4 total
16:14Impact score 30
英特尔CEO陈立武警告：先进芯片制造不应由台积电垄断，其占7纳米以下代工近九成、整体代工约73%，并称中国追赶速度惊人
据快科技10月22日报道，英特尔CEO陈立武近日在媒体专访中警告全球先进芯片制造不应由一两家公司垄断，称英特尔、台积电、三星及日本Rapidus都有必要承担扩充制造基础的责任。其依据是：台积电在7纳米以下先进逻辑芯片代工市场份额已接近九成，整体晶圆代工市占率约73%，且全球AI芯片95%的产能依赖一家企业，风险极高。被问及在美国制裁限制中国获取EUV光刻机的情况下中国能否在五到十年内追上美国先进芯片制造水平时，陈立武回答'就目前来看，我认为并没有落后太多'，并称中国大陆拥有许多优秀人才，清华大学、北京大学等高校研发能力不逊于麻省理工和斯坦福。报道提到，蔡司半导体业务负责人此前评估中国在最新EUV技术上落后约15年；文中还称中国大陆在缺乏最先进EUV、面临严厉出口管制的受限环境下，通过架构创新和成熟工艺深度挖掘不断缩小差距，中芯国际先进制程仍停留在7纳米级别，华为等芯片设计企业正通过逻辑折叠技术在DUV工艺条件下挖掘性能潜力。
7纳米以下先进逻辑芯片 EUV光刻机 AI芯片英特尔, 台积电 and 6 total
06:53Impact score 55
美光据报道排除4F² DRAM微缩路线，下一代存储路线图押注6F²与3D DRAM
美光据报将继续采用6F² DRAM架构而不采用4F²，即使中国竞争对手CXMT正在推进后一种设计。据Nikkei报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在近期一次技术网络研讨会上表示，经过20多年的评估，4F²目前'不在路线图上'；公司计划扩展6F²架构，同时开发3D DRAM作为更长期的替代方案。DeBoer解释称，DRAM位密度主要由电容间距而非仅由单元架构决定，并指出4F²存在根本性微缩限制、更高制造复杂度和更高成本。路线图方面：1γ节点已进入大批量生产，将支撑未来12个月内推出的产品；下一节点1δ预计2027年下半年进入批量生产，目标位密度提升约20%中段水平，并将支持DDR6、LPDDR6、HBM5和垂直HBM（vHBM）等下一代存储产品；1ε节点开发晶圆键合以提升位密度并支持AI应用；1ζ和1η节点正在探索High-NA EUV、新材料等创新以延伸平面DRAM微缩。3D DRAM在路线图中位于1ζ与1η节点之间，但与平面DRAM并行开发，采用与否取决于成本、制造复杂度和器件性能。产品方面，美光正准备DDR6和LPDDR6，分别目标达到DDR5两倍带宽和较LPDDR5提升35%能效（特定密度下能效提升更大）；在近期送样512GB DDR5 RDIMM后计划推出1TB RDIMM。AI方面，公司推进vHBM（将存储直接堆叠在处理芯片上以提供大幅更高带宽），与标准及定制HBM产品并行开发，但热管理仍是挑战，封装工作包括混合键合、更高HBM堆叠和改进散热。NAND方面，美光计划于2027年下半年爬坡第11代（G11）技术，G11目标达到G9 NAND两倍位密度、1.5倍I/O速度和更低数据传输能耗，并将采用晶圆-on-晶圆键合、层数超过400层。
DRAM 6F² DRAM 3D DRAMMicron
00:45Impact score 10
DeepSeek开源推理框架DeepInfer并配套DeepSeek Recipe，称一张算力卡日入6100元，KVCache管理等组件尚未完整开源
DeepSeek开源了推理框架DeepInfer，并配套发布DeepSeek Recipe用于统一Codex的Responses API、Claude Code的Messages API等各家接口与DeepSeek的交互格式，且同时适配华为和英伟达硬件。文章称按其公开的内部账本，手把手跟上的话一张卡一天能收米6100块，并对比称现在最贵的B300租一个小时也就不到60块（9刀）。技术细节方面：Confidence Head置信度预测头相比之前挨个核查减少了足足30%的工作量，提高了4%～7%的token吞吐；V4.1 Flash出厂时硬盘里的缓存占用压缩到了前代的八分之一，并采用SWA Bounded Replay（有界回放）技术使处理输入的计算量直接砍半；MTP多Token预测早在DeepSeek V3时引入，今年七月份发布DSpark批量生成草稿。DeepSeek在公告中说明，推理系统中的KVCache管理与负载均衡组件因与内部基础设施耦合较深，相关代码目前尚未完整开源；已开源代码更利好软件芯片厂商调试或中小企业私有化部署，对云服务大厂和直接竞争对手则不够用。
GPU B300DeepSeek, 华为 and 3 total

Wed, Oct 21

1 items

21:10Impact score 20
奇瑞尹同跃称中国车企出海坚决不能打价格战；9月奇瑞集团出口207,814辆再破20万辆并创中国汽车单月出口新纪录
据IT之家10月21日消息，2026世界智能网联汽车大会于2026年10月21日至23日在北京亦庄举办。据蓝鲸汽车报道，奇瑞控股集团董事长尹同跃在会上谈及中国汽车出海时建议车企一定要谦虚低调，不要在海外变成'海吹'，称中国车企在海外很多方面与国际传统车企还有很大差距；同时认为要吸取此前摩托车出海的经验，坚决不能打价格战，要做好准备、不要盲目出海。他还表示非常愿意和国际主机厂进行深度合作，实现共赢，并称此前奇瑞在西班牙、南非等市场都盘活了一些其他主机厂的闲置产能。销量方面，奇瑞集团公布的最新数据显示，9月奇瑞集团出口207,814辆，单月出口再次突破20万辆，并创下中国汽车单月出口新纪录。尹同跃此前曾表示，今年中国汽车出口有望超1000万辆，其中新能源车会超过一半（此为预测，非已实现数据）。
奇瑞控股集团

Tue, Oct 20

3 items

19:00Impact score 10
技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
SiC GaN
18:55Impact score 20
新加坡连接芯片研究、初创企业与制造：从碳化硅功率器件到硅光子学建设基础设施与产业伙伴关系
文章为背景性内容，未涉及具体价格或事件：从碳化硅功率器件到硅光子学，新加坡正在建设所需的基础设施和产业伙伴关系，以将深科技研究推向市场。原文未说明原因，也未给出任何具体数字、日期、公司或产品细节。
SiC power devices silicon photonics
01:10Impact score 20
Mouser新品速递：2026年第三季度新增超过5,000个料号（7月至9月）
Mouser Electronics于2026年10月19日发布的New Product Insider称，2026年第三季度（7月至9月）其作为授权全球分销商推出了超过5,000个可供出货的新料号。文中列举的季度新品包括：Renesas Electronics的RZ/G3SE系列64位通用微处理器（面向IoT边缘应用，最多四个Arm Cortex-A55核心、主频最高1.2 GHz，含200 MHz Cortex-M33协处理器）；Semtech的LR2021EVK2XxS1评估套件（基于LR2021 LoRa Plus RF收发器，支持868MHz、915MHz、2.4GHz、S波段和L波段卫星通信，并提供北美915 MHz、欧洲868 MHz、亚洲490 MHz配置版本，套件含两块LoRa Plus RF板和两块基于Nordic Semiconductor nRF54L SoC的XIAO模块）；Infineon Technologies的XENSIV TLx49012磁角度传感器（汽车用TLE49012和工业用TLI49012，支持SPI、ABZ、PWM、UVW接口）；以及Banner Engineering的S100系列多点触控显示器。Mouser表示其客户可获得100%经认证、可完全溯源至制造商的正品。原文未说明原因（该报道属产品目录更新性质，无价格或供需变化事件）。
RZ/G3SE Quad Core Microprocessors LR2021 LoRa Plus RF transceiver XENSIV TLx49012 Magnetic Angle SensorsMouser Electronics, Inc., Renesas Electronics and 6 total

Mon, Oct 19

2 items

21:00Impact score 25
瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
650-V 20-mΩ d-mode GaN FET (Gen 4+)Renesas Electronics
01:00Impact score 10
Critical Manufacturing CEO访谈：公司聚焦以MES为核心的半导体后段与先进封装软件平台，自2018年起隶属ASMPT
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
Critical Manufacturing

Sun, Oct 18

1 items

21:00Impact score 0
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入同比增长 123% 至 $330.4 百万美元，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。

Thu, Oct 15

2 items

21:41Impact score 55
VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
panel-level packaging (PLP) deposition equipment through-glass via (TGV) barrier and seed layers redistribution layers (RDL)VON ARDENNE
16:09Impact score 20
华为半导体EDA首席科学家黄宇：韬定律最大挑战在于EDA工具
华为半导体EDA首席科学家黄宇于10月15日在2026湾芯展的公开演讲中表示，华为提出的韬定律当前面对的最大核心挑战集中在全流程EDA工具领域，整个韬定律推进落地的全路径里最大的挑战始终来自EDA工具的适配迭代。他详细拆解了韬定律的四层架构：第一层为器件层，核心方向是优化晶体管物理结构和芯片内部互联方式，从最源头压缩器件运行的时间常数；第二层为链路层，是整个韬定律体系里最具突破性的自主创新点；第三层为芯片层，核心逻辑是通过软硬件深度协同设计，探索全新的算力芯片架构路径；第四层为系统层，即超级节点、机柜互联场景，优化方向是研发更高效的通讯协议，实现数据传输速度的量级提升。他还指出先进制造工艺挑战、大规模量产工程化挑战、全栈系统设计挑战也是推进过程中需逐个攻克的核心难关。
全流程EDA工具 EDA工具华为

Tue, Oct 13

1 items

03:45Impact score 20
Intel "Crescent Island" GPU定名为D-Series，支持最高480 GB LPDDR5X内存
Intel正式公布其'Crescent Island' D-Series GPU的外观与规格，在先前项目停滞之后推出一款服务器形态的专用AI加速器。该GPU配备32个Xe3P核心、256个XMX引擎、32 MB统一L2缓存，并支持高达480 GB的LPDDR5X内存。Intel标称其FP8性能最高可达1.3 PetaFLOPS，支持从FP4到FP64的格式。显卡内置含四个编码器和四个解码器的媒体引擎，可用于需要视频生成与理解的多模态工作负载。显卡出厂配置为160 GB内存，该配置为Intel品牌的'Crescent Island'显卡独有，同时Intel允许其ODM为显卡配备最高480 GB的LPDDR5X内存以获得最大显存容量。Xe3P的XMX引擎由常规Xe3的四深脉动阵列设计重新设计为16深处理。其他细节包括支持FP4数据格式、每核心1 MB的大寄存器文件和每核心512 KB的L1缓存；共有256个Vector引擎和256个新XMX引擎，每个Xe3P核心分为每组八个。此外，Xe3P没有用于输出图像的图形处理单元，因为该芯片专为需要长上下文和代理任务的AI推理工作负载而设计。
Crescent Island D-Series GPU Xe3P cores XMX enginesIntel

Mon, Oct 12

1 items

21:27Impact score 30
英飞凌推出面向下一代AI服务器电源架构的27 kW三相PSU解决方案，满足OCP ORV3规范，峰值效率超98%，功率密度116 W/in³
英飞凌科技股份公司面向服务器ODM和OEM推出27 kW三相电源单元（PSU）解决方案，以应对AI工作负载推动数据中心向800 VDC或±400 VDC供电架构的转变。该参考设计满足OCP Open Rack V3（ORV3）规范及AI服务器机架架构要求。设计整合了英飞凌650V CoolSiC和CoolMOS MOSFET、EiceDRIVER栅极驱动器、XENSIV电流传感器及PSOC微控制器；在480 VAC输入电压、50%负载下实现超过98%的峰值效率；采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器，功率密度达116 W/in³（ORV3最低要求为94 W/in³）；集成能量缓冲器可在电网短暂扰动时提供20毫秒保持时间；支持311至528 VAC三相输入电压范围，在大部分负载工作范围内功率因数高于0.99，工作环境温度为-5°C至45°C。公司背景：截至2025年9月底全球员工约57,000人，2025财年（截至9月30日）营收约147亿欧元。
27 kW three-phase power supply unit (PSU) solution 650V CoolSiC MOSFETs CoolMOS MOSFETsInfineon Technologies AG

Fri, Oct 9

3 items

15:29Impact score 0
MPS技术文章：结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络的多输出反激变换器实用设计，改善交叉调整率
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
multi-output flyback converter +5 V main regulated output +12 V stacked outputMonolithic Power Systems
15:02Impact score 20
Toray薄膜电容器支持150°C逆变器运行
标题称Toray薄膜电容器使逆变器能够在150°C下运行。正文内容为“TT Electronics: Resistor and Sensing Trends at electronica 2026”，仅提及TT Electronics在electronica 2026上的电阻与传感趋势，未提供该Toray薄膜电容器的进一步细节，也未说明任何价格、产能或供需信息。
film capacitorToray, TT Electronics
09:53Impact score 10
Sisecam参加2026年9月23-25日在拉斯维加斯举行的GlassBuild America展会，展示面向美国市场的建筑玻璃解决方案
Sisecam于2026年10月9日发布新闻稿，宣布其参加了2026年9月23-25日在拉斯维加斯举行的GlassBuild America展会，展示了面向美国市场的节能、可持续和高性能建筑玻璃解决方案，包括结合太阳能控制、隔热和高透光率的镀膜玻璃、高透明度产品Sisecam Pure Clear以及防鸟撞玻璃方案Sisecam BirdProtec。公司称美国是其全球增长战略中的优先市场之一，并表示将继续拓展在美国的业务布局和深化商业伙伴关系。原文未包含任何价格、产能、供应中断或交易相关数据，属于展会宣传性背景信息。
architectural glass coated glass Sisecam Pure ClearSisecam

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

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Thu, Oct 22

韩国LX Semicon出售逾60项SiC专利，预期售价低于10亿韩元，正式退出碳化硅市场

纳微推出面向电网基础设施的2300 V碳化硅功率模块

美光总裁Scott DeBoer称4F² DRAM架构不存在可行微缩路径，美光将跳过4F²坚持6F²并全力转向3D DRAM，直接回应长鑫2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM的计划

英特尔CEO陈立武警告：先进芯片制造不应由台积电垄断，其占7纳米以下代工近九成、整体代工约73%，并称中国追赶速度惊人

美光据报道排除4F² DRAM微缩路线，下一代存储路线图押注6F²与3D DRAM

DeepSeek开源推理框架DeepInfer并配套DeepSeek Recipe，称一张算力卡日入6100元，KVCache管理等组件尚未完整开源

Wed, Oct 21

奇瑞尹同跃称中国车企出海坚决不能打价格战；9月奇瑞集团出口207,814辆再破20万辆并创中国汽车单月出口新纪录

Tue, Oct 20

技术综述：仿真驱动SiC与GaN变换器热建模，WBG性能主要受发热位置与封装散热制约

新加坡连接芯片研究、初创企业与制造：从碳化硅功率器件到硅光子学建设基础设施与产业伙伴关系

Mouser新品速递：2026年第三季度新增超过5,000个料号（7月至9月）

Mon, Oct 19

瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中

Critical Manufacturing CEO访谈：公司聚焦以MES为核心的半导体后段与先进封装软件平台，自2018年起隶属ASMPT

Sun, Oct 18

Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入同比增长 123% 至 $330.4 百万美元，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。

Thu, Oct 15

VON ARDENNE推出新HiPIMS沉积解决方案，进军半导体面板级封装（PLP）市场

华为半导体EDA首席科学家黄宇：韬定律最大挑战在于EDA工具

Tue, Oct 13

Intel "Crescent Island" GPU定名为D-Series，支持最高480 GB LPDDR5X内存

Mon, Oct 12

英飞凌推出面向下一代AI服务器电源架构的27 kW三相PSU解决方案，满足OCP ORV3规范，峰值效率超98%，功率密度116 W/in³

Fri, Oct 9

MPS技术文章：结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络的多输出反激变换器实用设计，改善交叉调整率

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Sisecam参加2026年9月23-25日在拉斯维加斯举行的GlassBuild America展会，展示面向美国市场的建筑玻璃解决方案

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

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