Hanmi Semiconductor在美国硅谷设立子公司以支持AI封装客户
Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
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Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
据DIGITIMES Insight报道，生成式AI正将芯片功耗与热通量推向前所未有的水平，推动AI封装散热需求从数百瓦提升至千瓦（kW）级。散热器厂商Jentech Precision指出，封装上盖正从传统的固态热传导向相变均热与微通道液冷演进，无TIM（TIM-less）架构代表下一步发展方向。原文未说明原因以外的时间表或具体实施计划。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
德国设备制造商Von Ardenne进入半导体行业，推出面向面板级封装的涂覆技术。该细分市场中竞争面板尺寸的选择仍未解决。其基于托盘的系统无需新平台即可处理不同基板尺寸，可能在全球制造商与客户权衡先进封装及玻璃基工艺标准之际降低设备风险。
韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
AUO 正在扩大其 AI 相关业务，包括增强现实（AR）眼镜、低地球轨道（LEO）卫星天线、光通信和先进半导体封装。公司已获得董事会批准，计划在 2026 年投资新台币 24 亿元（美元 7.3992 亿），此为规划中的投资。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
据贝哲斯咨询发布的2025版多轴运动控制卡市场分析报告，2025年全球和中国多轴运动控制卡市场规模分别达到52.05亿元（人民币）与16.75亿元；报告预计至2032年全球市场规模将达到121.38亿元（属预测，非已实现结果）。报告列出的中国核心企业包括The Inovance Group、ADTECH (SHENZHEN) TECHNOLOGY CO., LTD、Leetro、Hosting UK、Shenzhen INVT Electric Co., Ltd、Galil、Delta Electronics、Recon、ADLINK、Shenzhen Just Motion Control Electromechanics Co Ltd、Omron Corporation、Shenzhen Leadshine Control Technology CO., LTD、Taiwan Pulse Motion Co., Ltd、Yanhua Science and Technology、Googol Technology、MotiCont、OMS Motion，并给出中国市场排行前三及前五品牌市占率分析。产品类型细分为6轴、16轴、4轴、8轴及其他；终端应用涵盖工业机器人、机床、纺织、半导体、包装及其他领域。该内容为行业研究报告，属背景信息，不涉及具体价格变动、产能变化或企业事件，原文未说明原因（无具体事件原因可言）。
本文为深圳承办APEC的区域经贸背景报道：亚太经合组织第三十三次领导人非正式会议计划于2026年11月18日至19日在深圳举行，这是中国第三次承办APEC领导人非正式会议。贸易数据方面：1996年至2025年，深圳对APEC经济体进出口值从2675亿元增至3.13万亿元，年均增长8.5%；2025年深圳外贸进出口总额达4.55万亿元，连续2年居内地城市首位，出口实现"33连冠"；2026年上半年，深圳对APEC其他经济体进出口达1.98万亿元，同比增长33%，占全市外贸总值比重接近七成，创历史同期新高，前8个月继续保持全国首位。半导体相关数据：2025年深圳集成电路产业销售收入达3610.4亿元，同比增长27.1%，"十四五"期间年均复合增长率10.8%，非设计环节（制造、封测、设备及材料）占比从2020年的27%提升至2025年的42%。其他要点：2026年前7个月深圳对APEC其他经济体出口机器人货值30.9亿元，同比激增逾6倍；比亚迪2025年出口泰国新能源整车1.1万台，同比增长超过50%；2026年一季度深圳实际使用外资约170亿元，同比增长超47%，其中来源于APEC成员经济体超160亿元、占94.5%；贝特瑞在印度尼西亚的年产16万吨负极材料生产基地已投产并向全球客户供货。原文未说明具体价格或供应变动原因。
据IT之家10月18日消息，英特尔首席执行官陈立武在接受《日经新闻》专访时表示，特朗普政府没有任何政策打算凭借所持英特尔少数股权干预公司经营战略，对公司治理不具备影响力，英特尔保持独立并可自主决策。背景方面：美国政府去年将联邦资助转为89亿美元投资，获得英特尔9.9%股份，8月二次增发后稀释至约8.2%；去年8月特朗普政府购入4.333亿股不占董事会席位的被动股权。英特尔因高昂重组成本在2024年第三季度净亏损166亿美元，前任CEO基辛格于同年12月辞职。陈立武表示重组工作已完成80%，并将AI先进芯片封装、ASIC视为潜在增长赛道；软银与英伟达合计投资约70亿美元。英特尔当前股价约每股100美元，较其2025年3月上任时约翻四倍。
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
据新加坡企业发展局(EnterpriseSG)负责制造业的助理局长Zeng Yi Wong表示,新加坡正瞄准高价值半导体制造、先进封装和硅光子学领域,依托其在工程、精密制造和可靠性方面的优势。该内容为背景性战略定位信息,未涉及具体价格、产能数字或企业事件。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的《芯片级封装设备市场分析报告-发展现状与行业趋势图（2026）》显示，2025年全球与中国芯片级封装设备市场规模分别为 亿元（人民币）与 亿元（原文该数值处为空缺），并预计全球市场规模在预测期将以 %的CAGR增长，2032年将达 亿元（增长率与规模数值在原文中亦为空缺）。报告将产品类型细分为半自动、自动，应用领域涵盖半导体行业、微机电系统(MEMS)、集成电路制造工艺及其他，列举的代表企业包括BeSemiconductor Industries、Hitachi High-Technologies、Advantest、DISCO、Shinkawa、Kulicke & Soffa Industries、TOWA Corporation、Cohu，并给出2021年和2025年前三大企业（CR3）与前五大企业（CR5）销售额份额占比。该内容为市场研究报告推广信息，不构成具体设备价格变动、产能变化或企业事件。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
2026年10月16日报道：高通旗舰移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen 6虽率先采用台积电2纳米工艺，但新制程并未完全解决芯片在高负载场景下的发热问题。消息称三星在内部验证测试中发现该处理器在长时间高负载任务下会出现温度升高后的降频、频率下降并影响持续性能输出，并已将结果反馈高通要求尽快改进；高通曾引入新型Offset PoP封装以改善散热。原文未披露三星内部测试具体数据、降频幅度、温度变化或性能损失比例，这些说法暂时无法通过独立数据验证，问题严重程度尚无法准确评估。此前几周的一项测试显示，采用Offset PoP封装的该芯片达到105摄氏度温度阈值所需时间超过15分钟，而采用传统PoP封装的上一代产品约在6分30秒后达到相同温度，说明新封装提升了热量管理但未彻底解决持续负载散热问题。该芯片峰值频率首次突破5GHz。骁龙8 Elite Extreme Gen 6是三星下一代旗舰Galaxy S27系列潜在搭载平台之一；若高通未来数周内通过固件或设计优化解决相关问题仍可维持竞争力，若发热降频持续，三星也可启用基于改进版2纳米SF2P工艺的Exynos 2700作为替代。业界对爆料普遍持谨慎态度。
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| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |