EPC称其100-V GaN功率级适用于机器人、无人机及其他多轴电机驱动系统
EPC表示，其100-V（100伏）GaN功率级适用于机器人、无人机及其他采用多轴电机驱动的系统。该内容为产品定位陈述，原文未提及价格变化、产能、日期或任何事件结果。
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EPC表示，其100-V（100伏）GaN功率级适用于机器人、无人机及其他采用多轴电机驱动的系统。该内容为产品定位陈述，原文未提及价格变化、产能、日期或任何事件结果。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
在10月15日的投资者关系活动上，中国显示面板厂商BOE表示，其已完成玻璃基板（glass-core substrates）的完整制造工艺，制备出超过100×100mm的24层样品。这些样品已交付客户并通过多项可靠性测试，进一步的验证仍在进行中；量产仍在推进之中，尚未实现。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032全球与中国毫米波技术市场现状及未来发展趋势》报告，为市场研究报告出版事件，非价格或供需实际变动。报告预测：2025年全球毫米波技术市场销售额为4800百万美元，2032年预计达到10065百万美元，年复合增长率（CAGR）为11.2%（2026-2032）。核心统计：2025年全球毫米波系统及模块销量约2,400千套，全球平均市场价格约2,000美元每套，全球产能约3,100千套，行业主要企业毛利率约28%至48%；通信和汽车雷达为主要应用市场。报告研究产品类型细分为毫米波天线、毫米波收发器、毫米波雷达模块，应用细分为高速无线通信、雷达感知与探测、成像与安检及其他，覆盖2021-2032年全球及中国市场按产品类型、半导体技术（CMOS基、SiGe基、GaAs/GaN基）和频率范围的销售额分析，并列出Analog Devices、Qorvo、Keysight、NXP、Infineon、TI、MACOM、安立、罗德与施瓦茨、NEC、富士通、村田及中兴、华为、成都雷电微力、国博电子、卓胜微、唯捷创芯等企业。原文未说明原因（本事件为报告发布，无因果事件）。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
深南电路公告，预计2026年前三季度归母净利润40.5亿元至41.5亿元，同比增长74.13%至78.43%，上年同期为23.26亿元；扣非净利润40.18亿元至41.18亿元，同比增长84.15%至88.73%，上年同期为21.82亿元；基本每股收益6.02元/股至6.17元/股。原文说明增长原因为AI算力基础设施投资、产品迭代升级带来市场机遇，AI服务器、高速交换机、光模块、处理器及存储类封装基板市场需求持续增长，公司产能利用率高位运行，产品结构持续优化，叠加广州生产基地产能稳步爬坡。该数据为业绩预告（预计值），尚非最终实现结果。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Microchip Technology（美国亚利桑那州钱德勒）推出辐射加固（耐辐射）点负载转换器POL-05-20S-T，面向太空处理应用的严苛电源需求。该新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供最高20A输出电流，并具备高效率与高功率密度。该产品被加入其太空电源产品组合，原文未说明原因之外的其他背景，无价格或供应变化信息。
36氪获悉，中信证券发布研报称，ABF封装基板是受益于AI成长逻辑最持续的PCB产业环节之一，深度受益于PCB载板化的升级趋势，市场空间和利润有望快速爆发。该机构判断行业产能缺口短期内或将持续扩大，行业涨价有望持续；并从国产板厂及国产客户视角切入，判断当前已成为国产ABF载板全面起量的关键节点，看好国产厂商ABF载板业务未来的业绩弹性。以上均为中信证券的判断与预期，并非已实现的价格变动或产能变化，原文未说明具体涨价幅度或时间。
SEMI技术联盟副总裁Beth Keser预测，玻璃基板将于2028年前后进入市场，较其此前约2030年的预测提前两年。她表示，AI和数据中心芯片封装尺寸的快速扩大正在加速玻璃基板的采用，封装尺寸增长过快，行业难以等到约2030年。该内容为行业预测，并非已实现的市场进入。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
云南锗业在回答投资者提问时表示，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的磷化铟晶片（衬底）已批量生产多年，并保持稳定供货；当前磷化铟晶片市场需求旺盛，公司在手订单充足，订单规格涵盖2—6英寸，客户涵盖国内外下游知名厂商。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
Intekplus于10月12日宣布签署价值309.02亿韩元的半导体基板检测设备供应合同，为其今年最大单笔供应合同，合同金额相当于其去年合并收入的34.43%，供应期自2028年10月8日至2028年1月10日，客户信息因保密协议未披露。该合同使Intekplus今年已披露八份供应合同，总额约1036亿韩元，超过去年总收入，但因交付时间分散，全年不予确认收入。
韩国主要半导体材料、零部件及设备供应商将参加定于10月13日至15日在美国旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026。据这些公司表示，美国半导体制造设施投资的不断增长正使韩国企业对SEMICON West的兴趣上升。材料供应商方面，ENF Technology将展示蚀刻液、清洗液、剥离液和稀释剂等工艺材料，该公司自2021年起从其得克萨斯州Kyle工厂向三星电子奥斯汀工厂供应材料，并于今年早些时候完成剥离液和稀释剂产能扩建，上半年开始向三星电子Taylor工厂供货；Dongjin Semichem将展示光刻胶、稀释剂和CMP抛光液，其位于得州的稀释剂和高纯硫酸生产设施目标今年年底前量产，预计将支持三星电子Taylor工厂及当地其他业务。设备商方面，Hanmi Semiconductor将展出面向HBM和2.5D封装的TC热压邦定机，Shindo Eng Lab将介绍玻璃陶瓷结合的TGCV基板技术；检测计量厂商Intekplus将展示封装与基板的自动外观检测及3D量测技术，其近期获得一家日本基板厂商用于玻璃基板研发的检测设备订单，Koh Young Technology将展示先进封装工艺的3D测量检测方案；测试零部件供应商ISC与LEENO Industrial也将参展。气体输送与控制相关零部件厂商BMT、DK-Lok、ASFlow，以及设备零部件和晶圆传送材料厂商BOBU Hi-Tech、Glint Materials亦将参展。SEMI预计本届展会将有超过1,500个展位、吸引超过35,000名观众。
在10月8日举行的在线技术研讨会上，LG Display 首席技术官 Choi Young-seok 表示，公司计划将其下一代 OLED 图案化技术 FLiPP 优先用于笔记本电脑和显示器等 IT 产品，同时保留未来智能手机应用的可能性。LG Display 将花费约一年时间审查现有 LCD 和 OLED 生产设备如何被重复使用或改造以降低资本投入。FLiPP 仍处于技术开发阶段，量产目标设定在未来几年；技术开发始于 2025 年 7 月，并在第八代玻璃基板上进行了演示。相较于传统 FMM，FLiPP 使 23.5 英寸面板的面板利用率从 75% 提升至超过 93%，有机发射材料利用率从 40% 提升至 74%，沉积时间降低约 40%，光孔径比提升至 65%（传统 FMM 为 42%），并且可依据产品设计优先事项将亮度提升 1.6 倍、寿命延长 2.4 倍或降低功耗 13%。LG Display 最初将专注于 IT OLED 应用，包括笔记本电脑和显示器。原文未说明原因。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |