EPC称其100-V GaN功率级适用于机器人、无人机及其他多轴电机驱动系统
EPC表示，其100-V（100伏）GaN功率级适用于机器人、无人机及其他采用多轴电机驱动的系统。该内容为产品定位陈述，原文未提及价格变化、产能、日期或任何事件结果。
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EPC表示，其100-V（100伏）GaN功率级适用于机器人、无人机及其他采用多轴电机驱动的系统。该内容为产品定位陈述，原文未提及价格变化、产能、日期或任何事件结果。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
在10月15日的投资者关系活动上，中国显示面板厂商BOE表示，其已完成玻璃基板（glass-core substrates）的完整制造工艺，制备出超过100×100mm的24层样品。这些样品已交付客户并通过多项可靠性测试，进一步的验证仍在进行中；量产仍在推进之中，尚未实现。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032全球与中国毫米波技术市场现状及未来发展趋势》报告，为市场研究报告出版事件，非价格或供需实际变动。报告预测：2025年全球毫米波技术市场销售额为4800百万美元，2032年预计达到10065百万美元，年复合增长率（CAGR）为11.2%（2026-2032）。核心统计：2025年全球毫米波系统及模块销量约2,400千套，全球平均市场价格约2,000美元每套，全球产能约3,100千套，行业主要企业毛利率约28%至48%；通信和汽车雷达为主要应用市场。报告研究产品类型细分为毫米波天线、毫米波收发器、毫米波雷达模块，应用细分为高速无线通信、雷达感知与探测、成像与安检及其他，覆盖2021-2032年全球及中国市场按产品类型、半导体技术（CMOS基、SiGe基、GaAs/GaN基）和频率范围的销售额分析，并列出Analog Devices、Qorvo、Keysight、NXP、Infineon、TI、MACOM、安立、罗德与施瓦茨、NEC、富士通、村田及中兴、华为、成都雷电微力、国博电子、卓胜微、唯捷创芯等企业。原文未说明原因（本事件为报告发布，无因果事件）。
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
深南电路公告，预计2026年前三季度归母净利润40.5亿元至41.5亿元，同比增长74.13%至78.43%，上年同期为23.26亿元；扣非净利润40.18亿元至41.18亿元，同比增长84.15%至88.73%，上年同期为21.82亿元；基本每股收益6.02元/股至6.17元/股。原文说明增长原因为AI算力基础设施投资、产品迭代升级带来市场机遇，AI服务器、高速交换机、光模块、处理器及存储类封装基板市场需求持续增长，公司产能利用率高位运行，产品结构持续优化，叠加广州生产基地产能稳步爬坡。该数据为业绩预告（预计值），尚非最终实现结果。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
Microchip Technology（美国亚利桑那州钱德勒）推出辐射加固（耐辐射）点负载转换器POL-05-20S-T，面向太空处理应用的严苛电源需求。该新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供最高20A输出电流，并具备高效率与高功率密度。该产品被加入其太空电源产品组合，原文未说明原因之外的其他背景，无价格或供应变化信息。
36氪获悉，中信证券发布研报称，ABF封装基板是受益于AI成长逻辑最持续的PCB产业环节之一，深度受益于PCB载板化的升级趋势，市场空间和利润有望快速爆发。该机构判断行业产能缺口短期内或将持续扩大，行业涨价有望持续；并从国产板厂及国产客户视角切入，判断当前已成为国产ABF载板全面起量的关键节点，看好国产厂商ABF载板业务未来的业绩弹性。以上均为中信证券的判断与预期，并非已实现的价格变动或产能变化，原文未说明具体涨价幅度或时间。
SEMI技术联盟副总裁Beth Keser预测，玻璃基板将于2028年前后进入市场，较其此前约2030年的预测提前两年。她表示，AI和数据中心芯片封装尺寸的快速扩大正在加速玻璃基板的采用，封装尺寸增长过快，行业难以等到约2030年。该内容为行业预测，并非已实现的市场进入。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |