中金：当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力
36氪获悉，中金指出，当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力。中金表示，在不同竞争格局下，供给扩张对ROE和景气度的影响将有所差异：未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备；面临较大考验的是全球数字芯片设计。中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益；美国有色金属则可能阶段性承压。
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36氪获悉，中金指出，当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力。中金表示，在不同竞争格局下，供给扩张对ROE和景气度的影响将有所差异：未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备；面临较大考验的是全球数字芯片设计。中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益；美国有色金属则可能阶段性承压。
华泰证券发布A股策略观点称，宽基ETF放量为低位指数提供托底，但历史上此类放量更可能是左侧信号，建议防守为主，并在三季报中寻找盈利环比加速的板块。该策略指出上周A股先跌后稳、整体缩量，AI硬件领跌；AI链回调是全球现象，AI业绩弹性与融资可持续性受质疑；避险情绪仍强，食饮、银行逆势收涨；三季报披露尚早，但市场对单季盈利环比加速的个股定价偏积极，可作为短期交易线索。配置上，建议保持低波红利等防御底仓；AI链关注PCB环节及光器件、半导体设备中的个股，AI链外关注通用及专用设备、风电与电网设备、航运、玻纤化纤、医疗服务等板块。本条为券商策略观点，非价格变动或供给事件。
本文为中金公司2026年10月19日发布的研报《AI高景气能否经住供给考验？》。报告以标准化未预期盈利（SUE大于1）定义高景气行业，测算显示美股电气设备、半导体及设备、电子、软件以及A股电子等板块景气度较高；认为景气上行源于需求打开增长空间、供给约束放大回报弹性。报告从相对投资强度（RI）和新增融资两个维度衡量供给扩张：2026年RI较高的行业包括全球半导体存储、全球半导体代工、美国建材、美国PCB、美国光模块等；新增融资超过50%分位数的仅有全球半导体代工和美国半导体设备（两者处于历史68%分位数），投资强度大且融资强度也大的行业只有全球半导体代工。报告引入行业收入集中度（HHI）并以1997~2025年数据实证：中低集中度组中相对投资强度与下一期ROE及SUE变化呈负相关，高集中度组则转为正相关；历史案例显示美国半导体设备1998年RI达0.535（历史89.7%分位），至2001年ROE累计下降28.0个百分点，美国PCB 2000年RI达0.324（89.7%分位），一年后ROE下降63.2个百分点，而2001年全球半导体代工HHI达4289、RI为0.250（82.8%分位），一年后ROE反而提高7.5个百分点。基于2026年和2027年市场一致预期的测算，报告结论为：当前投资预期尚不至于对全球科技行业景气构成全面压力；未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备，面临较大考验的是全球数字芯片设计；中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益，美国有色金属可能阶段性承压。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
本文为深圳承办APEC的区域经贸背景报道：亚太经合组织第三十三次领导人非正式会议计划于2026年11月18日至19日在深圳举行，这是中国第三次承办APEC领导人非正式会议。贸易数据方面：1996年至2025年，深圳对APEC经济体进出口值从2675亿元增至3.13万亿元，年均增长8.5%；2025年深圳外贸进出口总额达4.55万亿元，连续2年居内地城市首位，出口实现"33连冠"；2026年上半年，深圳对APEC其他经济体进出口达1.98万亿元，同比增长33%，占全市外贸总值比重接近七成，创历史同期新高，前8个月继续保持全国首位。半导体相关数据：2025年深圳集成电路产业销售收入达3610.4亿元，同比增长27.1%，"十四五"期间年均复合增长率10.8%，非设计环节（制造、封测、设备及材料）占比从2020年的27%提升至2025年的42%。其他要点：2026年前7个月深圳对APEC其他经济体出口机器人货值30.9亿元，同比激增逾6倍；比亚迪2025年出口泰国新能源整车1.1万台，同比增长超过50%；2026年一季度深圳实际使用外资约170亿元，同比增长超47%，其中来源于APEC成员经济体超160亿元、占94.5%；贝特瑞在印度尼西亚的年产16万吨负极材料生产基地已投产并向全球客户供货。原文未说明具体价格或供应变动原因。
10月18日消息，据 Tweaktown 报道，一名韩国半导体工程师（X 平台账号 @TTHUEONE）指控，特斯拉在与三星签订芯片代工协议时试图争取极为优厚的条款：既要获取敏感的制造工艺信息、审计权限，同时还要求压低报价；该工程师还称特斯拉的 Terafab 项目从三星位于得州泰勒的工厂挖走了大量员工。特斯拉与三星均没有对该指控予以证实或否认，原文未说明原因的指控真实性尚无定论。报道称，争议核心的代工合同方面，特斯拉 AI5 芯片已在三星泰勒工厂试生产，目标在 2027 年实现量产，算力目标为 2000 至 2500 TOPS；马斯克称该芯片性能约为同级别英伟达芯片的三倍、成本仅为后者的十分之一，但这些数据尚未得到第三方独立验证；AI6 与 AI6.5 芯片预计将分别采用台积电和三星的 2 纳米工艺，内存容量降至 144GB。另据消息，三星已从韩国本土调派先进制程良率工程师前往泰勒工厂，为计划在 2027 年启动的 2 纳米芯片量产做准备。《Business Post》今年 3 月曾报道两座工厂地理位置邻近对三星构成结构性风险，彼时特斯拉已在为该项目招聘半导体研发工程师。
SEC于10月16日表示，将向一家全球半导体封装测试(OSAT)服务商运营的量产线供应其Semi-Scan Wafer在线X-ray检测系统，这是该设备自今年第一季度开发完成后获得的首个商用订单。首批设备预计近期交付，供应量预计将增加，单台价格约为20亿韩元。Semi-Scan Wafer面向晶圆级封装(WLP)产线，采用无损检测方式检测微凸点及内部键合结构缺陷，也可用于检测HBM堆叠工艺。SEC称将以首个商用订单为基础争取更多全球客户，并计划将HBM及先进封装检测设备发展为核心增长动力；公司还表示正在为同一客户扩充产线，并已完成增产供应的准备。
英特尔高级副总裁 Cho Min-sung 在韩国首尔三成洞举行的“半导体驱动人形机器人”研讨会上确认，下一代 Razor Lake-AX 系统级芯片计划于 2028 年推出，AI 算力目标为 700 TOPS，约为现有 Panther Lake 平台的 3.88 倍。他表示英特尔计划在明年率先推出下一代 Nova Lake 并实现 700 TOPS 级别性能，随后于 2028 年通过 Razor Lake-AX 达成这一目标；报道指出 Razor Lake-AX 将是重点承载该算力水平的产品。与现有 Panther Lake “Core Series 3” 芯片的 180 TOPS 相比，700 TOPS 约为其 3.88 倍；英特尔还将其与英伟达 AI 算力为 275 TOPS 的 Jetson AGX Orin 平台对比，Razor Lake-AX 约为其 2.5 倍。报道认为 Razor Lake-AX 更接近 AMD Ryzen Halo 一类的集成式高性能平台，预计配备更多核心、更大规模 GPU 和更强内存能力，主要面向高端设备，目标市场之一是面向机器人、自动化设备的“物理 AI”；由于 AI 工作负载对大容量高带宽内存依赖显著，预计将采用统一的大容量内存池，并可能重新引入曾在 Lunar Lake “Core Series 2” 平台上使用的 MoP（Memory on Package）封装内内存设计。报道同时提到英伟达近期更新 Jetson 产品线，主流型号 AI 算力覆盖 160 至 275 TOPS，Jetson Thor T2000 平台提供约 400 TFLOPS 的 FP4 AI 算力、T3000 达到 865 TFLOPS，功耗分别约为 40W 和 70W，配备 8GB 至最高 64GB 显存，用于说明 Razor Lake-AX 未来面临的竞争环境。上述均为计划中的路线图信息，尚未实现。
10月15日台积电发布三季度财报：营收1.49万亿新台币，同比增长51%，创历史新高；净利润7631亿新台币，同比增长68.7%，连续第六个季度创新高；营业利润8764亿新台币，环比增长14.3%，同比增长75%。毛利率从二季度的67.7%降至66.4%，在公司指引区间内但低于市场预期；原文将毛利率回落归因于2纳米新产线设备折旧处于最高阶段、良率仍在爬坡，叠加美国亚利桑那州和日本工厂运营效率较低、成本较高，以及夏季电费上涨。2纳米本季度开始大规模量产，占晶圆收入比重从3%升至8%，单片约三万美元；3纳米从30%升至33%；HPC类收入环比增长22%，手机业务环比增长10%。财报公布后台积电美股盘中一度跌5%，收盘跌2%。7月公司将全年资本开支从520-560亿美元上调至600-640亿美元，理由是AI订单多于预期；第四季度毛利率指引维持65%-67%。市场传闻台积电拟于2027年一季度对先进制程再涨价5%-10%（仅为传闻/计划，未证实）。高盛预计CoWoS封装产能到2027年扩至2025年的四倍；黄仁昭预计海外工厂今年摊薄整体毛利率近2个百分点，未来几年可能扩大到3-4个百分点。公司账上有4万亿新台币现金和有价证券。
湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的《芯片级封装设备市场分析报告-发展现状与行业趋势图（2026）》显示，2025年全球与中国芯片级封装设备市场规模分别为 亿元（人民币）与 亿元（原文该数值处为空缺），并预计全球市场规模在预测期将以 %的CAGR增长，2032年将达 亿元（增长率与规模数值在原文中亦为空缺）。报告将产品类型细分为半自动、自动，应用领域涵盖半导体行业、微机电系统(MEMS)、集成电路制造工艺及其他，列举的代表企业包括BeSemiconductor Industries、Hitachi High-Technologies、Advantest、DISCO、Shinkawa、Kulicke & Soffa Industries、TOWA Corporation、Cohu，并给出2021年和2025年前三大企业（CR3）与前五大企业（CR5）销售额份额占比。该内容为市场研究报告推广信息，不构成具体设备价格变动、产能变化或企业事件。
三星电机（Semco）在其约6.78万亿韩元（约51亿美元）用于AI服务器的半导体基板产能扩张中面临潜在的设备采购瓶颈，原因是机械制造商因零部件短缺和交货时间延长而困难；公司称投资按计划进行，暂未确认生产延迟。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
据Moore's Law Is Dead YouTube频道曝光的裸片照片，Intel即将推出的移动端"Nova Lake"系列芯片细节披露。其中"Nova Lake-HX"采用8+16+4核心配置（8个P-Core、16个E-Core、4个LPE-Core），总硅片尺寸为12x30毫米、合计360平方毫米，由六颗不同工艺节点的裸片组成：图形tile基于Intel 3-E节点，内含4个Xe GPU核心，面积约26平方毫米；21平方毫米的虚拟裸片用于封装结构完整性；72平方毫米的大裸片基于Intel 18A-P节点，承载4个LPE-Core并作为中央枢纽；另一颗58平方毫米的18A-P裸片作为外设控制tile；主计算tile由外部代工（TSMC N2P节点）承载8P+16E CPU核心配置，占最大面积104平方毫米；旁边还有85平方毫米的无源tile用于结构完整性和"Nova Lake-HX"芯片的预期运作。"Nova Lake-H"变体采用4+8+4配置（4个P-Core、8个E-Core、4个LPE-Core），封装明显更小，为12x23毫米、总面积276平方毫米；除主计算tile（TSMC N2P节点、4P+8E核心配置、55平方毫米）外，其余配置与HX相同，其相邻无源裸片仅45平方毫米，外设控制裸片、中央枢纽裸片和图形tile均采用Intel节点制造并与HX变体相同。
IBM 当地时间本月 14 日（IT之家 10 月 16 日报道）宣布，其计划在 2027 年第 1 季度发布适用于其 7A nanostack 尖端制程的早期研发 PDK（工艺设计套件），目前为计划状态。IBM 的 7A nanostack 在业内率先采用了不同于 FinFET 和 GAA FET 的 CFET 器件结构；欲在该制程上制造芯片必须先熟悉 CFET 实现的特征并适应其特性变化。该早期研发 PDK 将包含用于逻辑功能的示例标准单元库和一个示例 SRAM 设计，作为早期设计技术协同优化（DTCO）平台，并不会提供成熟商业 PDK 所包含的所有模型。电路设计人员可利用这份 PDK 研究布局和布线。IBM 在该 PDK 上的潜在合作方包括 Fabless 企业、EDA 供应商、设备供应商以及对技术开发感兴趣的研究机构。原文未说明原因。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
SIA的10月9日报告指出，美国半导体行业从美国、欧洲和日本总部的公司采购了约270亿美元的设备和材料的95%，但其中只有68%的输入实际上在这些地区制造或组装，凸显了供应商总部数据掩盖的地理依赖。原文未说明原因。
一位韩国芯片工程师回应马斯克所称的“敲诈式”内存定价言论，指控特斯拉在AI5/AI6代工价格上向三星施压、要求获得晶圆厂产能，并从三星得州工厂为Terafab挖角人才。以上均为该工程师的指控内容，原文未说明原因以外的核实信息，事件本身为言论交锋，不构成已确认的价格或产能变动。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |