据SPIE Digital Library的技术分析,常规极紫外(EUV)光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模,虽能以高产能打印极小特征,但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上,而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件,将数字图形直接写入晶圆,从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈,缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代:EUV辐射被大多数材料强吸收,系统需在真空和专用反射光学下运行;可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷;光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的,如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层,而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析,不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍,该公司推出RES80A-Q1,这是一款50-MΩ精密电阻分压器,可用于高达2,000 V DC的极高电压,且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证,主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统(BMS)提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装,8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm,高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm;每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%(最大)以内,规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%(最大),未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%(最大)范围内。文章背景性讨论了汽车(尤其是EV)对无源元件性能要求提升,以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用,同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战;文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。