据IT之家 10 月 24 日消息，博主 @数码闲聊站 今日爆料称，接下来会有几个大家熟悉的手机产品线或平板线迎来停更，原因是成本兜不住、越发新机越亏；该消息属博主爆料，相关厂商与产品线尚未官宣。文中回顾：今年 2 月 27 日，魅族发布战略转型公告，宣布暂停国内手机新产品自研硬件项目，并积极接洽第三方硬件合作伙伴，原有业务不受任何影响；OPPO 于 7 月 16 日官宣子品牌全球产品策略：realme 新品将聚焦海外市场、在中国市场暂停产品更新，一加将保持印度市场产品更新不变、主力发展中国市场，并暂停在欧洲和北美发布新品。此外，今年还有部分手机厂商通过涨价来应对整机物料成本上涨。
快科技10月24日消息，博主数码闲聊站表示，接下来会有几个大家熟悉的手机产品线和平板线迎来停更，原因很直接，成本兜不住了，越发新机越亏。据称2026年内存价格持续大涨，直接推高了整机物料成本，厂商利润空间被严重压缩。今年上半年魅族暂停手机新硬件研发，随后真我告别国内市场。此外，消息称小米18 Ultra暂时缺席，高端旗舰堆料密集、成本高，再叠加内存涨价，成本压力尤为突出。文中还提到，存储成本在整机物料中的占比从一成多升至三成以上。以上停更为博主及消息称，尚未获厂商确认。
美光在10月21日于投资者关系网站举行的技术与产品网络研讨会上宣布，将跳过原规划的NAND一代，加速其3D NAND技术路线图，以更快提供额外裸片容量、速度和能效。据Blocks & Files于2026年10月22日(周四15:48 UTC)报道，美光目前出货第九代G9 NAND,采用276层，首款采用该技术的2650客户端SSD于2024年7月发布。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将直接从G9跳到G11,并称该存储器经过优化、面向未来AI产品。与G9相比，G11位密度翻倍、I/O速度提升最高1.5倍、传输一位所需能量减少25%;G11将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过400层，计划于明年下半年量产，更多细节将于明年临近发布时公布。该媒体 Bootsnote指出，G10(原规划300+层)已于2026年10月被放弃，G11对应原规划的400+层代际。DeBoer还介绍了可能基于G11的未来产品方向：高IOPS的SLC小区块AI级NAND(约2500万至1亿IOPS量级)和高带宽AI级NAND(类似HBM的TSV堆叠结构，置于加速器附近)，下一代SSD容量最高可达512TB。此外，据BNP Paribas分析师引述，美光HBM4 36GB 12-high已于2026年3月进入量产，HBM4E正在向关键客户送样，公司目标2027年量产HBM4E、2028年HBM5、2029年HBM5E、2030年HBM6,并宣布vHBM和vEIM两条新线目标2028年量产。跳代的原因，按美光说法是为更快提供额外裸片容量、速度和能效并优化AI产品；该媒体另行发表评论认为跳代属营销性质，是对三星、SK hynix及Sandisk/Kioxia代际命名的回应，此为媒体观点而非美光自述。
美光于2026年10月22日宣布放弃未来的4F² DRAM架构，结束约二十年的研究。公司称该架构没有有意义的密度优势、会增加制造复杂性和成本，并存在根本性的扩展限制；美光CTO Scott DeBoer表示电容器间距而非晶体管标称面积决定DRAM位密度，并称4F²在超过某一点后没有可持续的扩展路径，最终将由3D DRAM取代。美光承认4F²技术上可行且已制造过基于该架构的实验性器件。4F²理论上较6F²减少约33%单元面积、可将每片晶圆的存储单元数量提高50%，但美光认为这些理论优势在实践中不一定转化为更高密度。美光计划继续扩展传统6F² DRAM，通过缩小电容器间距和工艺节点提升位密度，其1δ工艺计划于2027年下半年进入量产，位密度较前代提升mid-20%（20%中段），并计划在未来DRAM世代采用High-NA EUV光刻；公司同时在开发多代3D DRAM生产节点，但未披露何时进入商业生产。据TechInsights，三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²存储单元。
据IT之家10月17日消息，科技媒体Android Headline当日发布博文称，瑞士奢侈腕表品牌泰格豪雅（TAG Heuer）将退出智能手表市场，相关产品据报道已于2026年夏季停止生产，剩余库存计划销售至2027年底，售完为止。目前的库存产品主要是2025年10月推出的Connected Calibre E5，该系列新品问世约一年后便传出停产消息，且尚不清楚已售设备及后续库存产品还能获得多久的系统支持。Connected Calibre E5有40毫米和45毫米两种尺寸，覆盖钢壳、钛金属及DLC镀层钛金属等材质，并推出跑步、高尔夫、F1、New Balance、TaylorMade等运动或联名版本。该媒体认为该产品定价过高，其1,600美元（约合10,718元人民币）的定价难以吸引主流消费群体，吸引力更多来自品牌辨识度、外观和表带品质。泰格豪雅源自1860年，总部位于瑞士拉绍德封，现隶属于LVMH集团。
韩国LX Semicon正为其超过60项碳化硅(SiC)功率半导体专利寻找买家，逐步退出其在五年前进入、旨在降低对显示驱动IC(DDI)依赖的业务。原文说明该退出的原因为：台湾联咏(Novatek)在LX Semicon核心显示芯片市场不断取得进展，加大了LX Semicon开发新收入来源的压力。该专利出售目前处于寻求买家的计划阶段，尚未确认完成出售。
据IT之家10月10日援引台媒BenchLife.info报道及消息人士@hongxing2020分享的内容（原文未说明原因），NVIDIA（英伟达）在停产GeForce RTX 5090 / 5090 D v2的同时，也将调整GeForce RTX 5080显卡。NVIDIA计划停产配备16GB显存的现有GeForce RTX 5080，转而推出24GB显存版本，新型号预计将在2027年第1季度面世，AIC合作伙伴预计将在近期收到相应的开发资料。不出意外的话，GeForce RTX 5080 24GB将配备8颗24Gb (3GB) GDDR7 DRAM Die，尚不清楚其是否会像此前泄露的SUPER变体那样提升显存等效速率和整卡功耗。该消息为计划/传闻性质，停产与新品推出尚未被确认已实施。
据报道，三星将退出自2018年起布局的车用应用处理器（AP）业务，并计划在完成对现代汽车（2023年达成供货协议）和宝马（去年达成协议）的既有供货承诺后，停止开发及量产后续Exynos Auto产品；此为据报道内容，属于计划而非已确认的停产。三星将把System LSI资源转向图像传感器和下一代移动AP，力争该部门明年恢复全年盈利。据报道，原因是车用AP需满足严格的安全与耐久要求、开发成本高，且高通（Qualcomm）在车用AP市场占据主导地位，三星难以提升份额。背景方面，System LSI与代工业务合计年亏损达数万亿韩元；2026年7月公布的二季度业绩披露显示，移动SoC与图像传感器销售扩大，推动System LSI在2026年上半年创下营收纪录。三星已将Exynos 2700移动AP排定于第四季度量产，采用三星代工第二代2nm工艺，寻求在2027年问世的Galaxy S27系列中扩大采用；2026年上半年三星向外部供应商支付的移动AP采购金额为7.44万亿韩元。三星还计划扩展显示驱动IC（DDI）、电源管理IC（PMIC）及数据中心芯片设计等业务。
Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
三星、SK海力士及美光宣布DDR4停产，产能转投HBM。此次EOL导致OSAT代工产能被大厂锁定，中小厂商面临无产能可用局面。
HBM及先进DRAM价格，利空DDR4及中小存储厂商。
英伟达因LPDDR4短缺加速终止旧款Jetson TX2及Xavier模块，将其转为不可退货状态。此次EOL主要针对2017-2018年推出的旧款产品，而新款Orin/Thor仍使用LPDDR5。
DDR4内存价格，现货供应紧张。
三星电子已停止接受LPDDR4和LPDDR4X移动DRAM的新订单，仅履行现有订单后即进入停产阶段。停产源于客户向LPDDR5过渡的需求加速，促使三星转换产线以解决先进制程瓶颈。
特定型号供应正式中断将收紧现货市场，迫使客户加速升级并可能推高相关内存价格。
三星电子于4月17日确认停止接收LPDDR4和LPDDR4X新增订单，正式进入EOL阶段。这两款产品自2017年前后大规模量产，凭借低功耗优势成为移动设备主流配置。
供应端收缩将导致剩余库存价格坚挺，产能将加速向DDR5等新一代技术转移。
大众汽车将于4月中旬停止田纳西州工厂ID.4电动跨界车生产，以备战2027款Atlas燃油SUV。此举表明大众汽车正调整电动汽车产能或需求预期，利空电动汽车相关芯片需求。
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。
该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
苹果正式停产Mac Pro，终结了20年的塔式电脑历史。该机型售价7000美元，搭载M2 Ultra芯片，因不支持独立显卡和内存扩展而失败。
Apple Silicon需求，M2 Ultra库存积压风险增加。
三星电子将在售罄后停产上市仅三个月的Galaxy Z TriFold智能手机。该设备为限量生产的超高端概念产品，旨在测试技术与市场反应。
/利空/关注：此次停产为低产量、小众设备的正常产品周期结束，对半导体元器件供需及价格无直接影响。
三星停止销售折叠屏手机，称内存成本涨3-4倍。受高生产成本及制造复杂性影响，公司暂未决定是否推出后续机型。
需求疲软导致高端组件价格承压。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |