三星18天罢工致DRAM减产4%，NAND减产3%
三星电子5月将面临18天罢工，预计导致DRAM减产3-4%，NAND减产2-3%。此次劳资纠纷发生在本已紧张的存储芯片市场。
利多
供应冲击将加剧现货短缺，预计推高近期内存价格。
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三星电子5月将面临18天罢工，预计导致DRAM减产3-4%，NAND减产2-3%。此次劳资纠纷发生在本已紧张的存储芯片市场。
供应冲击将加剧现货短缺，预计推高近期内存价格。
Kioxia暂停岩手县NAND产线生产，TEL及材料商受波及。此次7.7级地震震中位于三陆海岸，仙台、青森等地震度达5+。
NAND供应面临不确定性，短期供应中断风险上升。
三星电子工会计划自5月21日起发起为期18天的总罢工，其70%成员来自半导体事业部DS。此次罢工风险叠加台积电与三星自身成熟制程产能收紧的背景，主要影响DDIC与PMIC供应。
预计罢工将加剧DDIC与PMIC供应紧张，推升价格并延长交期。
安世半导体中国子公司已开始独立生产双极分立器件、肖特基整流器和ESD保护器件，使用12英寸晶圆。冲突源于2025年荷兰政府干预后，欧洲总部停止向中国发货晶圆。
此次运营分裂为关键的汽车及工业分立器件供应带来重大不确定性，存在进一步生产中断风险。
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