容百科技拟投36.03亿元建襄阳20万吨钠电正极项目，尚需股东会及发改委等审批
容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
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容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
佰维存储公告，公司持续推进“存储+晶圆级先进封测”双轮驱动战略，加快晶圆级先进封测制造项目建设。公司围绕先进存储、存算合封及高速光电互联等领域，持续推进FOMS、CMC、OEC等先进封装技术研发及产业化应用，并积极拓展人工智能算力基础设施等新兴应用市场，为中长期发展培育新的增长动能。公司表示看好人工智能产业发展带来的中长期存储市场机遇，将持续发挥在存储解决方案、芯片设计及先进封装测试等领域的技术积累和产业协同优势。项目建设与技术产业化均为公司推进中的计划性事项，原文未说明原因以外的具体风险或进展时间表。
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
Powerchip Semiconductor Manufacturing（PSMC）正急速扩张其3D AI代工业务，评估在台湾、新加坡和日本新建工厂，并探索与客户的战略合资。其产品组合包括集成无源器件（IPD）、中介层、晶圆对晶圆（WoW）技术和晶圆后加工（PWF）服务；随着AI服务器功耗上升，IPD需求预计在2028年前保持可见。扩产为计划阶段，尚无落成或量产事实。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
英特尔表示，位于美国亚利桑那州钱德勒市奥科蒂洛园区的Fab 62已进入设备安装阶段，厂房建设和生产设备进场正同步进行，公司预计该厂在2028年底前开始运营；英特尔代工部门首席技术与运营官纳迦·钱德拉塞卡兰称这是公司在奥科蒂洛园区的第六座高产能制造厂。Fab 62的具体制程尚未公布，英特尔尚未确认任何方案，也未公布该厂产能和客户安排；作为参照，相邻的Fab 52已采用18A制程生产，18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。美国扩产计划还在其他地区推进：俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架，加州圣克拉拉的新光罩制造设施已举行奠基。另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租用于在美国生产存储芯片，双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。
北京时间10月22日的特斯拉财报电话会上，CEO马斯克披露，特斯拉汽车产品的市场需求正在快速增长，需求规模已大幅超出产能；特斯拉毫无疑问会提升产量，目前正显著扩产，而拉动需求的最大驱动力是FSD完全自动驾驶系统。FSD目前已在欧洲多国获得许可，特斯拉希望拿到欧盟全域的审批；马斯克坦言这一目标很难预判，几个月内落地有可能，但拖到明年一季度也不令人意外，审批进度不由特斯拉掌控，但其预计FSD终将拿到欧洲全境以及其他各国的许可。此外，马斯克预计到明年年末，机器人AI、机电设计、可靠性以及使用寿命等一系列问题有望得到解决，到那个时间点特斯拉才可以对外向特斯拉以外的企业交付Optimus。
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
韩国IC设计公司LX Semicon在显示驱动IC（DDI）开发中部署了AI代理，将一个基准图像处理引擎的设计时间从10天缩短至2天。公司表示，采用该技术开发的两款大尺寸LCD电视DDI产品已达成tape-out（设计定案），并计划于2027年早至中期针对大中华区的电视面板进行量产；量产目前仅为计划，尚未实施。
据业内2026年10月20日消息（原文日期为10月20日，年份未在正文中明确给出），三星晶圆代工计划于年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台，属于计划中事项，尚非已量产事实。对比上一代8LPU，该平台性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%；其还通过在8LPU FinFET晶圆上集成3.3V平面型I/O器件，将I/O面积缩减约10%。外界解读认为，此举意在高效盘活现有成熟的深紫外（DUV）产线，避开单价昂贵且全球仅有ASML能供货的EUV光刻机；该工艺瞄准不需要像2纳米那样高昂成本的车载、机器人、边缘AI芯片。8LPU+的核心目标产品预计为AI微控制器（MCU）以及汽车区域控制器（ZCU）。背景方面，三星8纳米工艺自2017年成功开发8LPP后正式商用，2018年推出8LPU；新平台的eMRAM达到车载一级（AG1）规格，单元面积0.017μm²、存储密度约20Mb/mm²。业内相关人士表示，三星8纳米老客户及希望获取车载认证的无晶圆厂企业将是潜在客户。
据天眼查App显示，近日深圳沛顿半导体封测有限公司成立，法定代表人为王海兰，注册资本5亿人民币，经营范围包括集成电路制造、集成电路芯片设计及服务、电子元器件制造、电子产品销售、普通货物仓储服务等。股东信息显示，该公司由沛顿科技（深圳）有限公司全资持股，沛顿科技则由深科技（深圳长城开发科技股份有限公司）全资持股。原文未说明该公司具体产能规划或投产时间。
Yea Shin Technology(钰新科技,为Eris Technology子公司)将于10月23日在台湾兴柜市场开始挂牌交易,并计划将其产能中6英寸晶圆的占比从35%提升至50%以上,因其TVS产品进入国际AI服务器供应链。原文将此背景归因于AI服务器带动对电源元件、瞬态电压抑制器(TVS)及静电放电(ESD)保护元件的需求。上述6英寸晶圆占比提升为计划,并非已完成事项。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
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| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |