SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
台湾半导体封装设备供应商E&R Engineering Corp.宣布开设其马来西亚子公司E&R Semiconductor (MALAYSIA) SDN. BHD.，以扩大封装材料产能。新厂房目前正在进行样品测试与认证，公司称量产预定于明年年初正式启动。该厂预计创造50个本地就业机会，并加强E&R在东南亚的供应能力，为半导体及OSAT客户提供实时技术支持与供应链灵活性。总裁KS Chen表示，开设马来西亚厂房是其载带业务全球布局的里程碑，为应对东南亚客户需求增长，公司将部分生产重心转移至马来西亚并扩大产能。厂长总经理AK Ong称新设施落成使其能更贴近客户提供实时支持。此为计划中的扩产，量产尚未开始。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
ACM Research（美国半导体设备制造商）正将业务扩展至中国以外，其面板级封装设备正在台湾推进客户评估，同时该公司投资于韩国和俄勒冈州。公司预计海外业务的增长速度将快于其中国收入，但原文说明技术采用、封装尺寸标准以及美中紧张关系可能影响其计划。该扩张为计划/预期状态，客户评估仍在进行，尚未表述为已完成。
SEMI最新的12英寸晶圆厂展望预测,2026年至2029年期间设备支出将实现两位数的年度增长,且该预测较上一版报告有所上调。SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示,涉及资金、电力和政治的外部约束正成为潜在的下行风险,并补充称这可能会防止AI驱动的扩张过热。
据上海超导公众号，10月18日（年份未注明），正值公司成立十五周年之际，其二代高温超导带材及总部基地项目主体建筑全面封顶，标志着这一全球超导领域规划产能最大的项目正式从建设阶段转入产线组装与设备调试阶段。该项目为2025年上海市重大工程，于2025年6月29日开工，选址上海市康桥工业区东区，占地92.62亩，设计年产能1.5万公里；建成达产后，上海超导总产能将提升至2万公里/年，位居全球第二代高温超导带材细分领域第一。目前上海超导年产能已达4000公里/年（12mm），是全球唯二实际年出货量超1000公里的超导带材企业之一。三期基地将投产全球首创的三公里大长度高温超导带材产线，计划于2027年一季度产出产品；标题将该投产表述为“明年”，与正文所载计划时间（2027年一季度）在原文中并存，均为计划状态，实际产出尚未实现。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
ASML未发布任何公告，但专利、供应链报道与其自身路线图三方面证据指向其正在开发芯片对晶圆（D2W）混合键合设备；据文中所述，其量产不早于2030年，2027年市场竞争者为Besi、韩华、SEMES与中国设备商。文中称ASML入局的影响在于把混合键合从后道设备重新定义为前道设备，并以此解释Besi股价三个月回撤46.8%，称市场调整的是估值框架而非当期业绩。另提及国内受益顺序为减薄/CMP→临时键合解键合→混合键合本体→材料，且混合键合设备本身的国产化率仍不足5%。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
三星电子计划于2026年11月在得克萨斯州泰勒市开始建设其第二座半导体晶圆厂，继续推进其美国代工产能扩张。该状态为计划，尚未开工。其位于泰勒的第一座工厂预计于年底前开始运营。原文未说明原因。
因全球对AI基础设施硬件的强劲需求，买方正通过预付款和长期合同锁定产能，推动台湾半导体、封装测试、存储器、基板及设备供应链积极扩产。台湾民间投资预计于2026年达到创纪录的6.9539万亿新台币（约合2154亿美元），企业将兴建厂房、采购设备、进口原材料并招聘员工以满足客户需求。该数字为预测值而非已实现结果，原文未说明价格影响。
三星电子位于德克萨斯州奥斯汀的半导体员工队伍在2025年缩减32%，当地运营支出下降近75%；与之形成对比的是，其邻近的Taylor晶圆厂活动增加，该厂正准备于2026年底前开始运营，并逐步提升2nm芯片产量。Taylor工厂开始运营及2nm产量提升为计划事项，尚未实现。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
源杰科技公告，其光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的首批生产设备预计近期进厂。该信息为预计安排，设备尚未确认已实际进厂，原文未说明原因。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
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