SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
在2026年开放计算项目(OCP 2026)全球峰会上,英特尔展示了硅光子技术发展蓝图,数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”,并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟(InP)硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面,源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限,在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈,数据中心架构需向光互连演进,能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出,当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求,其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模;自2016年投入商用以来,已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学(CPO)与近封装光学(NPO)发展。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存(EIM)的研发,旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存(LPDDR),美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道,在传出RTX 5090生产将停止的传闻后,英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示:"供应链(产能)确实有些受限,但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止,英伟达将继续出货",并称尽管存在RTX 5090(芯片)的其他变体。此前有传闻称,在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后,已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止,可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况:亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售;Newegg listings 5090s约7,300美元(据判断可能来自中国卖家,且美国关税可能进一步推高价格);Best Buy无货;截至发稿,该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复,相关说法均属"据称/传闻"性质,生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外,传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂(Taylor Fab 2)动工,量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称,Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排,三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动,且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景,第一座泰勒厂(Fab 1)已大幅超出其原定的2024年目标,目前正进行分阶段认证,已安装设备开始运行;Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺,计划2026年底投入运营、2027年量产;其最知名客户为特斯拉,双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议,三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5;两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元,并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久,原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示,评估需求超过可用供给,公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元,并以美元计预计2026年营收增长约44%(此为预测而非已实现结果)。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中,包括尖端制造和先进封装项目;公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍(预期)。魏哲家称,尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产,公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划,并对得克萨斯州进行初步评估;魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来,并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺,并提到与GlobalFoundries的合作;同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况,因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告,元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
台积电3Q26财报后,外资券商发布解读:台积电将2026年营收增长展望上调至44%(同比),并预计4Q26再创单季纪录,同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元,但示意未来三年支出显著提高;文中指出,在半导体设备价格上涨背景下,台积电承认"设备通胀是真实的",为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测:UBS最乐观,预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元,2028年再增至1,050亿美元;Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核,预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%,并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元;Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测,尚非已实现支出。产能方面:台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能(后者规划四座晶圆厂);2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%,管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压:4Q毛利率指引65–67%,较3Q的66.4%上行空间有限(券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利);Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%,2027年升至66.7–68.9%,2028年达67.1–68.9%。定价方面:Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元;UBS模型更乐观,预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装:Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍;Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆(约每月10.6万片),2027年同比激增114%至273万片(每月22.75万片),2028年再增27%至348万片(接近每月29万片)。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报,称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓,客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出;CEO Christophe Fouquet表示,尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划,公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价,全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元,净销售额为117亿欧元;公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元(159亿至170亿美元),并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%,今年迄今累计上涨近70%,市值达5860亿欧元,成为欧洲市值最大的公司。此外,据Reuters报道,据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具;CFO Roger Dassen称仍在评估该(Terafab)机会的确切规模。
摘要:TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日(星期四)的确认中表示,公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能,得克萨斯州是其中一个选项;已派团队到得克萨斯进行评估,并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户(埃隆·马斯克)进行了讨论。若 TSMC 加入该项目,将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中,尚未达成任何协议。
台积电在第三季度净利润创新高后,管理层预估2026年第四季度营收介于523亿至543亿美元之间,同比增长约58%,环比增长约14%。基于1美元兑31.8新台币的汇率假设,台积电预测毛利率为65%–67%、营业利益率为56.5%–56.8%,并指出2nm量产加速将令利润率承压。尽管近期利润率承压,CEO魏哲家对先进制程需求表达乐观,台积电现预计2026年全年美元口径营收增长约44%,较此前约40%的展望上调。台积电重申2026年资本支出指引为600亿至640亿美元,并重申计划在2026–2028年支出显著高于此前三年,以扩大产能满足长期需求;其将增长动力归因于AI,包括新兴的代理式AI(agentic AI)应用。第三季度中,2nm占晶圆营收比重由2Q26的3%升至8%,3nm占33%,5nm占28%,7nm占10%,先进制程(7nm及以下)合计占79%;高效能运算(HPC)平台营收环比大增22%,占第三季度营收68%,智能手机占21%,汽车与物联网各占4%。
据2026年10月14日报道,Kontron已开始在位于美国阿拉巴马州亨茨维尔的子公司Nextek生产其加固型VX307H计算板,同时该产品从按订单生产转向按库存生产,以缩短对美国防务客户的交货时间。VX307H是Kontron在美国扩大VPX制造的首个产品,VX3060和VX30101计划随后跟进。Nextek负责从PCB组装到最终组装和测试的完整生产链,该设施通过AS9100和ISO 9001认证,已注册ITAR并遵循IPC工艺标准。公司发言人表示,防务客户要求更强的供应链韧性、更快的可用性和更近的支持渠道,将VX307H生产带到美国正是为满足这些需求。VX307H为基于Intel Xeon D-2700/2800处理器的3U VPX平台,符合SOSA标准设计。
微导纳米公告,公司拟向特定对象发行A股股票,募集资金总额不超过49.44亿元,扣除发行费用后拟用于无锡先进半导体设备产业化升级迭代项目、华中先进半导体设备产业化项目、尖端薄膜沉积技术研发中心项目及补充流动资金。其中,尖端薄膜沉积技术研发中心项目拟投入募集资金32.25亿元,无锡项目拟投入7.29亿元,华中项目拟投入2.89亿元,补充流动资金7亿元。
华擎集团正扩大服务器产量并进军边缘计算领域,ASRock Rack已上市,ASRock Industrial亦计划上市。此举标志着公司重心从传统主板向AI服务器及边缘AI转型,业务结构发生重大调整。
随着产能向高附加值服务器领域倾斜,预计相关服务器主板及边缘计算硬件需求将提升。
SK海力士在加州举办2026全球论坛,宣布扩建印第安纳Fab等新产能以应对AI需求。CEO Kwak强调AI行业对内存依赖度极高,公司正通过全球研发与生产基地布局巩固技术优势。
长期AI内存需求强劲;利空:新增产能可能带来未来价格下行压力。
报道称中国DRAM龙头CXMT计划在第二座北京工厂建设3D NAND研发线,目标客户为AI及超算领域。该项目尚处于早期阶段,距离投产至少需2-3年。
长期看将加剧NAND Flash市场竞争,但短期内对现货价格影响有限。
20家中国OSAT厂商拓展先进封装业务。受EUV设备限制及制程瓶颈影响,行业正向封装领域转移。
中国封测产能扩张。
Kioxia与Sandisk宣布扩产NAND投资310亿美元以保障供应。该计划旨在至2032年通过多年度比特增长满足AI与数据中心需求。
大规模产能扩张预示供应增加,对NAND Flash价格构成下行压力。
YMTC计划A股上市募资扩产,并已超越Kioxia成为全球第三大NAND供应商。此举旨在对标三星、SK海力士等国际巨头。
扩产计划将增加市场供应,压制NAND Flash价格。
三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线,生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。
HBM供应链,预计2028年下半年量产。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |