据路透社报道,随着AI需求从DRAM延伸至NAND,且中国厂商YMTC竞争加剧,三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂:三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND(内部项目代号“Monami”);SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND,据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上,并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计,中国约占三星NAND总产出的30–35%,占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍:两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备,且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张;两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行,但拒绝披露详细生产计划。竞争方面,YMTC的NAND产品以160层和232层为主,已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报,三星已将约60%的V-NAND产能转向V9(286层),向NVIDIA加大出货,并开始V10 NAND的量产与供货,下一代V11(目标约500层)研发正在加速;据Bloter,SK海力士正加快转向321层NAND,该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块,预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。
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- Samsung, SK hynix, YMTC
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