西数在日前的财报会议上公布了HDD硬盘路线图：目前40TB的ePMR硬盘预计在12月份的季度中占近线硬盘出货量的30%，明年3月份的季度中将提升到50%。更高容量依赖HAMR技术：第一代HAMR产品已与2家大客户合作，预计明年Q1季度完成认证，上半年开始出货；第二代HAMR硬盘计划于明年下半年启动认证，采用11碟片封装、单碟5TB容量，总容量达到55TB；HAMR硬盘预计可做到14碟片封装、容量达70TB，但西数未说明上市年份。价格方面，上季度中每TB的价格上涨了28%，涨幅高于前一季度的18%增速。西数预测其7大客户的订单能见度已到2030到2031年，即未来5年内订单饱满、降价不可能。此前由于对AI泡沫破灭的担忧，HDD硬盘厂商股价曾大跌。
容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
快科技10月23日消息，根据Trendforce最新DRAM市场报告预测，2027年面向PC市场的内存供应将出现收缩，消费端DRAM不仅更贵，也更难买到。报告指出2026年的内存涨价主要由需求端驱动，AI数据中心凭借资金大量采购闪存和DRAM，三星、美光和SK海力士的产品价高者得，虽然三大厂产能拉满，但价格仍在飙升。Trendforce分析指出，2027年可能供应端也恶化，2029年新一波晶圆厂建成投产前产能增幅有限；分析师明确预测PC市场DRAM供应量将下降。DDR市场内部竞争加剧，所有厂商的AI工作站产品线使用与消费级显卡相同的GDDR芯片，用量却是三倍，且随AI模型规模增长继续扩大；NVIDIA DGX/RTX Spark和AMD Strix Halo的内存容量相当于八台普通消费笔记本，消耗同样的LPDDR。Trendforce此前预测内存年底涨幅15%至20%，但高价对需求的抑制效应可能成为回旋镖，2026年延迟的购买需求将在2027或2028年集中释放，届时供应不足以承接。以上供应收缩与需求释放均为预测，尚未成为已实现事实。
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
据ZDNet Korea于10月23日援引业内消息人士报道，三星电子已追加订购设备，用于填满其位于美国得克萨斯州泰勒的首座代工晶圆厂剩余空间，此举将使该厂2nm产能于2027年下半年提升至每月20,000片晶圆。该事件为计划中的扩产，文章未说明扩产的具体原因。
据IT之家10月23日援引韩媒ZDNET Korea当日报道，三星电子晶圆代工业务近期为美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂追加采购对应每月6000片晶圆产能的制造设备。泰勒首座晶圆厂设计产能为每月2万片晶圆，当前尚未达到该目标；随着新设备从今年底开始逐步引进，该晶圆厂有望在2027年下半年达到设计产能目标。同时，在首座晶圆厂日趋完善的情况下，三星晶圆代工计划于11月启动泰勒第二晶圆厂的施工，该项目预计2030年投产，以进一步提升三星电子在美先进制程产能。
台积电位于桃园的龙潭科学园区第三期在延宕近三年后即将重启，台湾国发会已于2026年9月17日核准其开发计划。该园区面积104.65公顷，预计将率先聚焦CoPoS等先进封装技术，与台积电嘉义AP7及南部科学园区AP8设施一道，作为公司为满足激增的AI需求而扩充产能的一部分。原文未说明延迟近三年的原因。
Rapidus董事长东哲郎表示，这家日本芯片制造商大体上仍按计划在2027年下半年开始2纳米芯片的量产。他表示，争取客户仍是关键挑战，预计初始需求主要来自美国，那里与人工智能相关的需求强劲。量产计划为计划状态，尚未实现。
源杰科技披露近期生产经营情况，表示公司产能扩充正按业务需求推进。原文未提供具体扩产规模、涉及产品线、时间表或金额等细节，也未说明除业务需求外的其他原因。
新易盛披露近期生产经营情况，表示在手订单充足，订单交付及产能扩充正按业务需求推进。原文未说明具体产品、产能规模或金额，也未说明原因。
源杰科技公告称，公司目前生产经营活动、订单交付及产能扩建等工作均正常开展，内部生产经营秩序正常，产能扩充正按业务需求推进。光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的土建工程、部分洁净室及相关配套设施已完成建设，首批生产设备预计近期开始进厂，后续将进行设备调试，预计2026年底至2027年初开始形成产能，整体项目进展符合预期。
特斯拉和英伟达据报道将投资合计3.7万亿韩元（28亿美元），以帮助三星电机扩大韩国的Ajinomoto Build-up Film（ABF）基板生产设施。此举反映了全球科技公司为AI应用获取高性能半导体基板稳定供应的日益增长的努力。
西部数据在10月22日的财报电话会议上说明其应对硬盘需求急剧上升的策略：不会建造更多硬盘（不新增组装产能），而是持续提高每TB价格、在每块硬盘中塞入更多数据，并把资本支出用于磁头与磁盘介质而非组装产能。这使得其增长依赖于其向热辅助磁记录（HAMR）技术过渡的速度，而希捷已在HAMR上实现规模化出货。另据标题，东芝计划将产量翻倍。原文说明了原因：硬盘需求急剧上升。
10月23日，据报道，三星电子计划利用印度政府新推出的手机制造计划，提高在印度生产的手机出口量；该计划将为新增出口提供更高补贴。三星正考虑扩大印度产能，包括追加投资。此外，如果全球手机市场因存储芯片成本高企而持续收缩，公司也可能将部分产能从越南等国家转移至印度。上述产能扩张与转移均为计划或考虑中的事项，尚未实施。
宇树科技（Unitree Robotics）G1人形机器人累计产量达10,000至20,000台，并持续扩大其人形机器人生产，但公司仍在产能和人工智能（AI）技术方面面临挑战，同时致力于扩大生产以实现广泛应用。扩产为计划中/进行中的状态，尚未表明挑战已解决。
LG Display在10月22日的第三季度财报电话会议上介绍了其新的OLED图案化工艺FLiPP，并将其定位为对竞争对手大型IT OLED工厂的回应方案，但公司尚未承诺建设产线。高管明确表示："该投资的规模或时机以及生产尚未最终确定"。因此这属于尚未落地的规划/提案，不构成已确认的扩产。
台积电正在得克萨斯州考察可能的美国新增产能选址，同时仍在亚利桑那州扩建其先进制程晶圆厂。董事长魏哲家确认公司已派遣团队前往得州评估扩产机会。此外，台积电还在与马斯克的Terafab探讨合作，前提条件是台积电保留运营控制权。这些动向可能使台积电的美国战略从扩建现有厂区转向选择新地点并探索产能合作。原文未说明原因。
三星电子晶圆代工业务计划于2026年推出第二代8LPU+平台，将其已超过八年的8纳米制程延伸至另一世代。该举措瞄准汽车电子、机器人和边缘AI芯片的需求，同时利用现有深紫外（DUV）产线以控制晶圆成本。此为计划，尚未落地。
Powerchip Semiconductor Manufacturing（PSMC）正急速扩张其3D AI代工业务，评估在台湾、新加坡和日本新建工厂，并探索与客户的战略合资。其产品组合包括集成无源器件（IPD）、中介层、晶圆对晶圆（WoW）技术和晶圆后加工（PWF）服务；随着AI服务器功耗上升，IPD需求预计在2028年前保持可见。扩产为计划阶段，尚无落成或量产事实。
英特尔计划于28年末之前，使位于亚利桑那的最尖端工厂「Fab 62」投入运行（稼働）。该信息为计划/规划状态，尚非已实现的投产结果；原文未提供产能规模、投资金额或具体投产月份等细节，原文未说明原因。
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| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |