NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Fri, Oct 23

1 items

16:57Impact score 60
长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存，计划在第三座晶圆厂推进量产（仍属研发与规划，未证实已量产）
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
LPDDR5X LPDDR5 DRAM长江存储（YMTC）, 长鑫存储（CXMT） and 5 totalCapacity Change

Thu, Oct 22

3 items

20:42Impact score 58
三星将部分4纳米产能转向HBM基底芯片，计划以2纳米工艺制造M2800调制解调器，NVHBM基底芯片2纳米方案仍处验证阶段
三星电子正在调整先进芯片制造业务的资源分配，将部分4纳米生产能力转向HBM基底芯片，同时计划采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800。该芯片由三星系统LSI部门开发，预计于2027年完成研发，目标是配合2028年推出的Galaxy S28系列手机，与下一代Exynos 2800处理器共同工作；此前三星的外置调制解调器主要采用4纳米工艺。根据目前披露的信息，三星仍计划使用4纳米工艺生产标准HBM产品的基底芯片，并非所有相关产品都立即转向2纳米。此外，英伟达的定制化HBM项目NVHBM要求相关供应商采用台积电3纳米工艺制造基底芯片，三星、SK海力士及美光等厂商参与该合作；行业消息称，三星正在验证利用自家2纳米工艺制造NVHBM基底芯片的可行性，以便在台积电先进制程产能紧张时拥有替代方案，相关计划仍处于验证阶段，尚不能视为已确定的大规模量产安排。文章还指出，目前尚无证据表明高通已决定将某一款旗舰骁龙处理器交给三星以2纳米工艺生产，三星能否获得订单取决于良率、性能、功耗、成本及高通的可靠性要求，相关报道提出的是一种可能的发展方向而非已确定的商业合作结果。原文将上述调整的原因归结为人工智能计算需求持续增长带来的HBM市场需求迅速扩大，正在改变半导体产业的产能配置。
HBM基底芯片 HBM 外置5G调制解调器三星电子, 高通 and 6 totalCapacity Change
16:14Impact score 58
TrendForce：美光计划于2027年开始量产1-delta nm工艺，将接替其当前主流的1-gamma nm工艺；NAND方面拟于2H27爬坡量产G11世代
TrendForce指出，美光计划于2027年开始量产其1-delta（1δ）nm工艺，该工艺将接替其当前主流的1-gamma（1γ）nm工艺。在此转型之外，美光打算继续扩展其6F²架构，然后直接转向3D DRAM，跳过中间的4F²架构；相比之下，韩国和中国的DRAM制造商仍计划采用4F²架构，凸显主要供应商在工艺技术路线图上的分歧日益扩大。美光还在开发针对AI解决方案优化的内存方案，包括vHBM和vEIM，以与SK海力士的3D HBM和三星的zHBM竞争。在NAND闪存方面，美光正准备于2027年下半年（2H27）爬坡量产其G11世代；通过采用晶圆键合并堆叠超过400层，G11预计可提供两倍于G9的位元密度，并目标实现1.5倍的I/O速度提升。TrendForce认为这些进展将使美光缩小与铠侠（Kioxia）和长江存储（YMTC）的技术差距——这两者是混合键合架构的早期采用者——并在NAND性能对AI驱动的市场日益关键的背景下增强其竞争地位。上述均为计划或预期，尚未量产实现。
1-delta nm DRAM process vHBM vEIMMicronCapacity Change
10:05Impact score 58
美光预告G11 NAND：堆叠超400层、按面积密度约为276层G9 NAND的2倍，预计2027H2产能爬坡
10月22日消息，美光（Micron）当地时间昨日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行展望，本篇关注闪存类别。美光预告了预计2027H2产能爬坡的G11 NAND闪存，且似乎跳过G10世代。G11 NAND堆叠超过400层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，同时能实现至高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗可减少25%以上。美光还表示在G11后计划在NAND中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集单元架构、强化节能属性；并介绍了2种AI-class数据中心级NAND设计，分别是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品、类似HBF定义的带宽优化产品。上述均为美光的规划/预告，尚未实现量产。
NAND美光, MicronCapacity Change

Wed, Oct 21

2 items

16:04Impact score 60
三星将M2800调制解调器转向2nm工艺，腾出4nm产能用于HBM基底裸片
三星电子正计划将其4nm产能转向HBM，其下一代移动调制解调器M2800将转用2nm工艺生产。腾出的4nm产能将主要用于支持HBM基底裸片（base dies）的生产，该裸片位于HBM堆叠底部并负责控制功能。原文未说明此次产能调整的原因。
M2800 modem HBM base dies 4nm capacitySamsung ElectronicsCapacity Change
12:07Impact score 58
被曝遭英伟达实质性收购后，Groq计划在下一代芯片中以3D堆叠DRAM替换SRAM以提升显存规格
据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。
SRAM DRAMGroq, 英伟达Capacity Change

Tue, Oct 20

1 items

17:44Impact score 60
三星计划将下一代移动调制解调器M2800转用2nm工艺并转用4nm产能，M2700通过MX内部测试
据行业消息人士10月20日（原文未注明年份）称，三星电子计划使用2nm工艺制造其下一代M2800系列移动调制解调器芯片，从目前用于外置调制解调器的4nm工艺过渡；该外置5G调制解调器M2800计划于2027年完成开发，拟用于2028年发布的Galaxy S28系列，并与下一代Exynos 2800以双芯片配置搭配。调制解调器生产转向2nm将释放三星4nm产线产能，公司计划将其转用于HBM生产；行业人士称“三星代工正在将其大部分4nm产能转换为HBM制造”，4nm工艺用于制造位于HBM堆栈底部、含控制电路的基底裸片。三星将通过M2700继续使用4nm，M2700是配合2027年Galaxy S27系列中Exynos 2700的外置调制解调器；2026年Galaxy S26所用的Shannon 5410外置调制解调器（对外亦以Exynos Modem 5410销售）同样采用4nm工艺，三星在Galaxy S26和S26+的韩国版本中配备Exynos 2600与Shannon 5410组合，美国型号使用高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。行业人士称三星已停用Shannon调制解调器品牌并以M系列取代。M2700虽采用相同4nm工艺，但据报道在三星MX（Mobile eXperience）事业部内部测试中获得好评，与前代不同；其通过设计和软件改进提升功耗效率与数据传输速度，利用光学收缩（optical shrink）将芯片面积缩小约4%，并从3GPP Release 17升级至Release 18、改进NTN卫星通信能力。行业人士称，现有Shannon 5410在空闲功耗和标准功耗测量条件下落后于竞品，经电压调整等改进后，M2700性能据称与竞品相当或更优。上述2nm转向与4nm产能转用均为计划，其实现情况原文未证实。
mobile modem HBM base dieSamsung ElectronicsCapacity Change

Mon, Oct 19

4 items

23:30Impact score 58
英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
300mm InP silicon photonics InP-based laser technology co-packaged optics (CPO)Intel, NVIDIA and 6 totalCapacity Change
20:45Impact score 60
长鑫存储计划一年内新增超10万片DRAM月产能，总月产能拟由约32万片提升至42万片以上，聚焦缓解消费电子存储短缺
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
DRAM 标准DRAM 通用DRAM长鑫存储, 三星电子 and 5 totalCapacity Change
19:52Impact score 88
三星、SK海力士、美光与长鑫表态逐步停接DDR4订单直至全面停产，DDR4现货价11个月涨286%，长鑫规划月产能60万片以上并年底前推出首款4F²服务器DDR5
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
DDR4 HBM DDR5三星, SK海力士 and 4 totalCapacity Change
17:35Impact score 55
美光看好人形机器人HBM潜力：称未来机器人需200GB DRAM与4TB存储，正为物理AI开发EIM，据报道量产预计2H28
据TrendForce于2026年10月19日发布的推文，美光（Micron）看好HBM在人形机器人中的未来潜力，原因在于日益复杂的AI模型带来的带宽需求超出LPDDR所能提供的水平。美光预计未来机器人需要200GB DRAM加4TB存储，并正在为物理AI开发EIM，据报道量产预计在2028年下半年（2H28）。上述均为前瞻性看法与开发计划，量产时间带有'据报道'的限定，尚未实现。
HBM LPDDR DRAMMicronCapacity Change

Sun, Oct 18

1 items

07:26Impact score 0
布局物理 AI：美光研发边缘推理内存 EIM，降低数据处理延迟并提高带宽
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
Edge Inference Memory (EIM)LPDDR6MicronCapacity Change

Sat, Oct 17

1 items

20:28Impact score 60
戴尔CEO警告HBM和DRAM供应紧张预计2027年进一步恶化，950亿美元积压订单转化取决于内存供应
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
HBM DRAM戴尔科技, 三星电子 and 3 totalCapacity Change

Thu, Oct 15

2 items

22:38Impact score 60
SK海力士拟在美国新建NAND工厂，以换取为中国大连工厂引进更多美国设备的许可，Mod B设备安装仍在协商授权下进行
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
NAND闪存高带宽内存（HBM）SK海力士, Solidigm and 7 totalCapacity Change
12:57Impact score 58
美光于10月15日在台中开设台湾第二座先进封装测试厂AATT2，扩大HBM封装测试产能
美光科技于10月15日在台中开设美光先进封装与测试台湾二厂（AATT2），这是该公司在台湾的第二个先进封装与测试设施。该厂扩大了公司的高带宽内存（HBM）封装与测试产能，背景是AI需求增长、HBM供应趋紧。原文未说明具体新增产能数量。
high-bandwidth memory (HBM)Micron TechnologyCapacity Change

Tue, Oct 13

2 items

23:30Impact score 65
CXMT 4F²架构提速，DRAM份额升至9.5%
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
利空
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
DRAM DDR5 LPDDR5CXMT (ChangXin Memory Technologies), SK hynix and 3 totalCapacity Change
17:00Impact score 75
SK海力士HBM扩产14倍，TTFT提速5倍
SK海力士推出内存中心AI机架系统，TTFT提速5倍；HBF扩产14倍以缓解内存短缺。
利多
产能大幅提升缓解供应压力。
HBM AI MemorySK hynix, HBFCapacity Change

Mon, Oct 12

1 items

15:56Impact score 60
瑞银预测：三星HBM份额2027年将升至40%，首次超越SK海力士的39%登顶全球第一
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
HBM HBM4 HBM4E三星电子, SK海力士 and 3 totalCapacity Change

Mon, Oct 5

1 items

23:30Impact score 65
美光预期2027-2028年供应持续收紧
美光CEO Mehrotra预计2027和2028财年供需将比2026年更紧张。此前美光预期2028年供应改善，但新产能（如爱达荷、日本及清州工厂）预计2028年底才上线。
利多
供需缺口扩大将支撑存储价格。
DRAM NAND Flash HBMMicron Technology, Samsung Electronics and 3 totalCapacity Change

Fri, Oct 2

1 items

14:45Impact score 60
美光扩产HBM四基地，2027-2028供应紧张
美光2026财年Q4营收利润超预期，宣布在台湾四基地扩大HBM产能。公司预计2027-2028年供应将比2026年更紧张，AI需求强劲驱动。
利多
HBM价格，产能扩张旨在应对AI需求。
HBM DRAMMicron TechnologyCapacity Change

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Fri, Oct 23

长江存储据称正研发9600 MT/s LPDDR5X内存，计划在第三座晶圆厂推进量产（仍属研发与规划，未证实已量产）

Thu, Oct 22

三星将部分4纳米产能转向HBM基底芯片，计划以2纳米工艺制造M2800调制解调器，NVHBM基底芯片2纳米方案仍处验证阶段

TrendForce：美光计划于2027年开始量产1-delta nm工艺，将接替其当前主流的1-gamma nm工艺；NAND方面拟于2H27爬坡量产G11世代

美光预告G11 NAND：堆叠超400层、按面积密度约为276层G9 NAND的2倍，预计2027H2产能爬坡

Wed, Oct 21

三星将M2800调制解调器转向2nm工艺，腾出4nm产能用于HBM基底裸片

被曝遭英伟达实质性收购后，Groq计划在下一代芯片中以3D堆叠DRAM替换SRAM以提升显存规格

Tue, Oct 20

三星计划将下一代移动调制解调器M2800转用2nm工艺并转用4nm产能，M2700通过MX内部测试

Mon, Oct 19

英特尔宣称拥有业界唯一的高产量300mm InP硅光子学制造能力，CPO商业化势头增强

长鑫存储计划一年内新增超10万片DRAM月产能，总月产能拟由约32万片提升至42万片以上，聚焦缓解消费电子存储短缺

三星、SK海力士、美光与长鑫表态逐步停接DDR4订单直至全面停产，DDR4现货价11个月涨286%，长鑫规划月产能60万片以上并年底前推出首款4F²服务器DDR5

美光看好人形机器人HBM潜力：称未来机器人需200GB DRAM与4TB存储，正为物理AI开发EIM，据报道量产预计2H28

Sun, Oct 18

布局物理 AI：美光研发边缘推理内存 EIM，降低数据处理延迟并提高带宽

Sat, Oct 17

戴尔CEO警告HBM和DRAM供应紧张预计2027年进一步恶化，950亿美元积压订单转化取决于内存供应

Thu, Oct 15

SK海力士拟在美国新建NAND工厂，以换取为中国大连工厂引进更多美国设备的许可，Mod B设备安装仍在协商授权下进行

美光于10月15日在台中开设台湾第二座先进封装测试厂AATT2，扩大HBM封装测试产能

Tue, Oct 13

CXMT 4F²架构提速，DRAM份额升至9.5%

SK海力士HBM扩产14倍，TTFT提速5倍

Mon, Oct 12

瑞银预测：三星HBM份额2027年将升至40%，首次超越SK海力士的39%登顶全球第一

Mon, Oct 5

美光预期2027-2028年供应持续收紧

Fri, Oct 2

美光扩产HBM四基地，2027-2028供应紧张

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

Trending components