NuAxi半导体贸易情报
imec展示325GHz射频硅中介层，插入损耗仅0.73dB/mm
发生了什么
比利时imec在ECTC 2025展示其300mm射频硅中介层平台，在325GHz频率下实现0.73dB/mm的创纪录低插入损耗。该平台旨在实现CMOS与III/V族芯片在单一载体上的异质集成，以构建下一代紧凑型射频系统。中性：此为远期研发里程碑，对当前元件供应、价格及交易无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
RF Silicon InterposerRF Chiplet
imec
rd-milestoneheterogeneous-integration
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2025/5/28 · 查看原始来源
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