Lam与imec合作加速3D集成技术制造就绪，覆盖先进封装、下一代存储及Aether干阻平台高NA EUV研发

发生了什么

Lam与imec宣布开展合作，旨在加速3D集成技术的制造就绪，以支持先进封装和下一代存储。合作聚焦异构集成在行业内广泛扩展前必须解决的关键工艺挑战，联合研究领域包括厚介质沉积、非对称应力补偿、bevel沉积和等离子切割，以及面向先进封装和未来存储架构的工艺验证；工作还延伸至未来3D存储技术，包括新型charge-trap材料、精密多层沉积、高深宽比沟道刻蚀、深存储接触和低电阻率互连。原文说明这些创新之所以日益重要，是因为AI工作负载推动对更高存储密度和带宽的需求。双方还在研发中推进Lam Aether干法光刻胶平台的应用，利用imec的高NA EUV研究环境提升分辨率、灵敏度、焦深和随机缺陷水平，并探索面向先进互连的Aether patterning，包括在日益激进的节距下的钌直接金属刻蚀。联合研究已实现亚20nm钌直接金属刻蚀互连的单次曝光高NA EUV图形化；在20nm节距下，对桥接敏感的fork结构获得100%电学良率，对断路敏感的meander结构获得大于90%的电学良率。该合作尚属研发与制造就绪推进性质，原文未给出量产时间表或商业条款。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Electronics Weekly · 2026/10/27 · 查看原始来源