三星1c纳米DRAM良率突破80%，HBM4良率近六成

三星电子1c纳米制程DRAM在高温测试中良率达80%，较2025年第四季度的60-70%显著提升。其HBM4良率亦从50%改善至近60%，且该制程月投片量预计从2025年末的6万片增至2026年下半年的20万片。利空：良率提升与产能大幅扩张将增加DRAM及HBM的有效供给，可能缓解供应紧张并对价格构成下行压力。

来源：IT Home · 2026/2/24 · 查看原始来源