NuAxi半导体贸易情报

ST意法半导体推出两款600V三相应栅极驱动器STDRIVE631P/STDRIVE631N，评估板同步上市

发生了什么

意法半导体（STMicroelectronics）宣布扩展其STDRIVE三相应栅极驱动器产品系列，推出两款新的600V器件STDRIVE631P和STDRIVE631N，可使电机驱动器和逆变器直接由高压母线供电。两款器件在SO-28封装中集成三个半桥驱动器，用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，面向白色家电的风扇、泵和压缩机等应用。器件采用ST的BCD6-OFFLINE先进工艺，可承受最高100V的欠地尖峰，各输出具备1.0A源电流和0.85A灌电流能力，集成零压降自举二极管，各通道传播延迟匹配。STDRIVE631P采用正逻辑（高电平有效）输入，STDRIVE631N采用负逻辑（低电平有效）输入；保护功能包括带智能关断的集成比较器（用于过流和过温等故障）、防交叉导通的互锁和死区控制，以及高侧和低侧驱动部分的欠压锁定（UVLO）。两款器件可帮助精简物料清单、简化PCB布局并缩小系统整体尺寸。配套的EVLSTDRIVE631P和EVLSTDRIVE631N评估板也已上市，各搭载采用STGD6M65DF2 IGBT的完整三相应逆变器，支持单电阻或三电阻电流采样可选，并通过34针电机控制连接器与STM32微控制器连接，便于开展磁场定向控制（FOC）或六步控制开发。STDRIVE631x器件提供±50V/ns的dV/dt瞬态抗扰度，并可承受高达2kV（HBM）的静电放电（ESD）。