onsemi发布第四代SiC平台EliteSiC M4：功率密度提升最高30%、损耗降低35%，首款750 V汽车牵引逆变器裸片即刻可用

发生了什么

onsemi发布第四代碳化硅(SiC)平台EliteSiC M4，该平台基于沟槽架构设计，用于改进下一代功率系统。据onsemi称，新技术相比上一代可提供最高30%的更高功率密度和35%的更低损耗，并宣称基于超过160亿英里的汽车与工业应用实际运行经验。关键改进包括比导通电阻(RSP)降低20%至50%、硬开关应用中开关品质因数提升67%、软开关环境中提升50%。平台支持多种封装选项，包括顶面散热表贴封装和大功率模块，并通过了185°C及以上工作温度的认证，适用于汽车、工业及其他高可靠性应用。面向AI数据中心、电动汽车和能源基础设施（含太阳能和储能系统）三大市场。首款EliteSiC M4产品为面向汽车牵引逆变器应用的750 V裸片，即刻可用；覆盖最高1200 V电压等级的其他器件预计从2027年起推出。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Power Electronics News · 2026/11/12 · 查看原始来源