NuAxi半导体贸易情报
GlobalFoundries披露FDX Fusion技术细节：采用平面FD-SOI晶体管、无需EUV光刻实现7nm级性能与8nm级逻辑密度，公司目标2030年实现高量产
发生了什么
GlobalFoundries披露其FDX Fusion技术的新细节：该技术采用平面FD-SOI晶体管，在无需EUV光刻设备的条件下实现7nm级性能与8nm级逻辑密度。公司将2030年定为该节点高量产（high-volume manufacturing）的目标时间，并分享了FDX Fusion节点及FDX计划的后续方向。该消息为技术路线图披露，量产仍属计划目标，尚未实现；原文未说明原因。
影响与信号
中影响影响力评分：55/100
受影响器件与厂商
FDX Fusion
GlobalFoundries
FDX FusionFD-SOIplanar transistors7nm-class performance8nm-class logic densityno EUV lithography
来源与时间
来源：Tom's Hardware · 2026/11/6 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生