Gelsinger参投的Nagare Labs的Z2RAM承诺以DRAM密度实现SRAM速度：最新已发表单元在85°C下数据保持超过300秒，其余数字为预测值

发生了什么

由Pat Gelsinger参投的佐治亚理工分拆公司Nagare Labs宣称，其无电容Z2RAM可在AI芯片上方以DRAM密度提供SRAM级速度。创始人论文显示，在最高85摄氏度测试下，其'折叠非对称增压'三晶体管单元数据保持超过300秒，而传统三晶体管设计在85°C下仅保持100毫秒；2025年自对准三晶体管单元在25°C下测得超过1,000秒的保持时间。Nagare预测Gen 1采用六层堆叠，密度为SRAM的5倍、速度比DRAM快14倍、读取能耗比SRAM低3倍，但公司拒绝提供实测的保持时间、延迟或能耗数据，这些头衔数字仍属预测。Datta表示'我们目前字面上还只是实验室原型'，Z2RAM tile的目标是在四年内送样，若能实现，量产出货将在下一个十年内；Nagare目前没有代工厂，正寻找研发代工与封装合作伙伴，Playground Global领投了该公司500万美元融资轮。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Tom's Hardware · 2026/11/6 · 查看原始来源